公开(公告)号：CN101409212A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200810148893.9

申请日：2008-10-09

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 安孝俊 ,  朴贵秀

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/306 ,  B08B3/04 ,  B08B3/08

CPC classification number: H01L21/67057 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67313 ,  H01L21/67757

Abstract: 本发明提供一种通过在填充有处理液的处理槽中浸渍基材来清洁基材的设备以及一种使用所述设备清洁基材的方法。在处理中每个处理槽上设置的舟形件通过与基材的不同点接触而支撑基材。由于在各处理槽中每个舟形件所支撑的基材的接触点不同，从而在任一处理槽中未被清洁的基材的接触点可以在不同的处理槽中被清洁。因此，清洁处理的效率得以改善。

公开(公告)号：CN101361167A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200780001779.7

申请日：2007-12-10

Applicant: 里纳特种机械有限责任公司

Inventor： N·伯格

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B08B3/02 ,  B08B3/10 ,  B08B11/02 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/67057 ,  H01L21/67313 ,  H01L21/67326

Abstract: 本发明涉及用于清洗薄晶片(6)的装置，其中将晶片(6)的一侧固定在载体装置(2)，和其中在2个相邻晶片之间形成间隙(7)，和其中该装置基本上包括喷淋装置(15)，通过它将流体喷入到各个间隙(7)中，和可以用液体充满的液槽(14)，它的尺寸是这样，它能容纳载体装置(2)。按照本发明，可选择地或者喷淋(15)相对不动的载体装置(2)是可以移动的，或者相对不动的喷淋装置(15)载体装置(2)可以移动，或者载体装置(2)以及喷淋装置(15)两者互相可以相对移动。该方法突出之处在于，在优选的清洗过程中，将载体装置(2)放入液槽后首先用热的流体进行喷淋清洗，接着在冷的液体中进行超声波清洗和用热的液体进行又一次喷淋清洗。

公开(公告)号：CN1830070A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200480021399.6

申请日：2004-07-29

Applicant: 小松电子金属股份有限公司

Inventor： 宫崎正光 ,  平山和也 ,  福永寿也 ,  二村公康

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/67313 ,  H01L21/67086 ,  Y10S134/902

Abstract: 本发明涉及圆板状的部件的蚀刻方法及蚀刻装置，尤其涉及半导体晶片的蚀刻方法及蚀刻装置。在装满蚀刻液的蚀刻槽(12)的内部，在使晶片(30)旋转的同时来进行蚀刻的蚀刻方法中，在旋转的晶片(30)与晶片(30)之间配置不旋转的细胞板(26)。另外，在通过杆(16)支撑、旋转多个晶片(30)的蚀刻装置中，在晶片(30)与晶片(30)之间配置细胞板(26)。细胞板(26)的表面积的大小与晶片(30)的表面积相同。

公开(公告)号：CN1586000A

公开(公告)日：2005-02-23

申请号：CN03801437.8

申请日：2003-03-31

Applicant: 阿斯特克半导体技术有限责任公司

Inventor： M·尼泽 ,  J·弗兰茨克 ,  J·施维肯迪克

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67313 ,  H01L21/6734

Abstract: 本发明涉及一种用于生产光电元件的容纳衬底(S)特别是晶片或硅衬底用的装置。本发明的装置包括两个互相对置的壁(1)，其中设置至少两个连接壁(1)的棒状承载元件(2，3)，而承载元件(2，3)设有制动机构(5)，用于保持沿平行于壁(1)取向的垂直位置的承载元件上支承的衬底(S)。本发明的目的是使衬底能够在处理浴槽中浮动而同时能最容易地装入和取出。为此，设置至少一个棒状对置承载元件，该元件连接两壁并以这样的方式相对于承载元件配置，使得能限制衬底(S)相对于壁(1)的垂直移动，并能够以相对于垂直方向的角度装入或取出这些衬底。

公开(公告)号：CN1334596A

公开(公告)日：2002-02-06

申请号：CN01132819.3

申请日：2001-06-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 上川裕二

IPC: H01L21/304 ,  B08B3/08

CPC classification number: H01L21/67781 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67303 ,  H01L21/67313 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/67751 ,  H01L21/67754 ,  H01L21/67757 ,  Y10S134/902

Abstract: 一种液体处理装置,具有:配有保持基板的保持机构和使保持机构旋转的旋转装置的基板旋转装置;为使保持在保持机构上的基板基本上垂直或基本上水平、变换基板旋转装置的姿势的姿势变换机构;对保持在保持机构上的基板进行规定的液体处理的处理腔室;为把保持机构容纳在处理腔室内、相对地调节处理腔室与保持机构的位置的位置调节机构。从基本上水平的容纳基板的容器内取出基板将其保持在保持机构上,使保持基板的保持机构变换姿势使基板基本上处于垂直状态,一面旋转基板一面向基板供应处理液体进行液体处理。

公开(公告)号：CN87107754A

公开(公告)日：1988-08-17

申请号：CN87107754

申请日：1987-11-11

Applicant: 赫罗斯·阿姆希尔公司

Inventor： 查理斯·E·迪吉斯特

IPC: H01L21/00 ,  C03B20/00

CPC classification number: H01L21/67313 ,  H01L21/67316

Abstract: 在半导体衬底上淀积均匀薄层的某些工艺中，需要全罩式透明熔凝石英的晶片处理装载舟，并要把晶片从半标准塑料晶片装载器具中大批量传送到上述的装载舟中去。由于降低了装取时产生的沾污，这种大批量传送操作一般可增加各半导体晶片上器件的产量。本发明提供了一种满足各种工艺加工要求的三组件透明熔凝石英全罩式晶片装载舟，其兼容于许多大批量传送机构。本发明特别适用于在硅晶片上生长氧化层和多晶覆盖层所用的系统。

公开(公告)号：CN109003934A

公开(公告)日：2018-12-14

申请号：CN201810576194.8

申请日：2018-06-06

Applicant: 泰姆普雷斯艾普公司 ,  索雷泰克私人有限责任公司

Inventor： 彼得·罗埃尔弗·维尼玛 ,  马滕·罗纳德·雷内斯 ,  罗纳德·亨利卡·玛丽亚·范迪克 ,  约翰尼斯·莱茵德·马克·卢奇斯

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/673 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/6838 ,  C23C16/4588 ,  H01L21/67313 ,  H01L21/67751 ,  H01L21/68707 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1876 ,  H01L21/673

Abstract: 本申请公开了晶圆夹持器组件、系统及其用途。晶圆夹持器组件设置有至少一个晶圆夹持器(50)，该晶圆夹持器包括基座(51)和桥接元件(52)；真空装置，其包括用于施加负压的软管(53)和至少一个抽吸区域(54)，被配置用于借助于所施加的负压保持晶圆(10)；框架(60)，其联接到桥接元件(52)。框架(60)设置有被配置用于接触晶圆舟的定位装置(57)，以便将晶圆定位在距晶圆舟的预定距离处。在框架(60)与桥接元件(52)或包括抽吸设备(54)的保持板(70)之间存在弹性联接件(56)，如果存在这样的保持板的话。

公开(公告)号：CN107924853A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680032218.2

申请日：2016-03-31

Applicant: 韦费德·莱尔希

Inventor： 韦费德·莱尔希 ,  麦可·科利克 ,  拉尔夫·罗特 ,  约翰尼斯·雷利

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/673 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/67313 ,  C23C16/4587 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32908 ,  H01J37/3299 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67383 ,  H01L21/67754 ,  H01L21/67757 ,  H01L21/68771

Abstract: 本发明描述一种用于盘状晶片的等离子体处理的晶舟，盘状晶片尤其是用于半导体或光伏打应用的半导体晶片，晶舟具有由导电材料制成的平行于彼此而定位的多个板，多个板面向另一板的每一侧上具有用于晶片的至少一个载体且限定板的收纳空间。还具有多个间隔元件，定位于直接邻近板之间以便平行地定位板，其中间隔元件导电。也描述一种晶片用等离子体处理装置以及一种用于晶片的等离子体处理的方法。装置具有用于收纳之前所描述的类型的晶舟的处理腔室、用于控制或调节处理腔室中的处理气体气氛的调控工具、以及至少一个电压源，至少一个电压源可以合适方式而与晶舟的板连接，以便在晶舟的直接邻近板之间施加电压，其中至少一个电压源适合于施加至少一个DC电压或至少一个低频AC电压以及至少一个高频AC电压。在此方法中，在加热阶段期间，将DC电压或低频AC电压施加至晶舟的板使得间隔元件由于流动通过间隔元件的电流而变热，且在处理阶段期间，将高频AC电压施加至晶舟的板以便在插入至板中的晶片之间产生等离子体。

公开(公告)号：CN107818911A

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201710775132.5

申请日：2017-08-31

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 桥本良知 ,  松冈树 ,  永户雅也 ,  堀池亮太 ,  小仓慎太郎

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0214 ,  C23C16/30 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45548 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67313 ,  H01L21/67778

Abstract: 本发明提供半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。半导体器件的制造方法包括将下述循环进行规定次数从而在衬底上形成膜的工序，所述循环是非同时地进行如下工序：自第一喷嘴对衬底供给原料，并从排气口排气；自配置在比第一喷嘴更远离排气口一侧的第二喷嘴，对衬底供给第一反应体，并从排气口排气；以及自配置在比第二喷嘴更接近排气口一侧的第三喷嘴，对衬底供给第二反应体，并从排气口排气，在供给原料时，通过控制自第二喷嘴供给的非活性气体的流量、自第三喷嘴供给的非活性气体的流量、和自第一喷嘴供给的非活性气体的流量的平衡，从而对在衬底上形成的膜的衬底面内膜厚分布进行控制。

公开(公告)号：CN107644824A

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201710579877.4

申请日：2017-07-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 益富裕之 ,  盐川俊行 ,  田中幸二 ,  佐藤尊三

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67253 ,  G02F1/1303 ,  G02F1/1333 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67086 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67313 ,  H01L21/823431

Abstract: 本发明提供一种基板液处理装置、基板液处理方法以及存储介质。基板液处理装置能够在处理槽内的处理液中形成均匀的N2气体的气泡。基板液处理装置(1)具备：处理槽(34)，其收纳基板(8)；以及多个气体供给管(81、82、83、84)，所述多个气体供给管(81、82、83、84)设置在处理槽(34)内。一个气体供给管(81)的喷出口(81a)与相邻的其它气体供给管(82)的喷出口(82a)在与基板(8)的电路形成面平行的方向上不重叠。