-
公开(公告)号：CN1684800A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN03823068.2
申请日：2003-09-26
Applicant: 小松电子金属股份有限公司
IPC: B24B37/04
CPC classification number: B24B37/30
Abstract: 本发明提供一种研磨装置、研磨头及研磨方法。具有在表面贴附了研磨布(25)的平台(24)、保持晶片(30)的一面并使之与研磨布(25)接触的卡盘(19)、被成同心状地配置于卡盘(19)的外周的圆环状的固定环(23)。固定环(23)可以相对于卡盘(19)摆动及上下移动，在粗研磨工序中利用固定环(23)推压研磨布(25)，在精研磨工序中，使固定环(23)向上方退避，防止粗磨粒进入精研磨台架中，用相同的研磨头连续地进行粗研磨和精研磨。这样，就不会将粗研磨的粗磨粒带入精研磨台架，可以通过用相同的研磨头连续地进行粗研磨和精研磨而实现装置的成本降低。
-
公开(公告)号：CN101002310B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200580026862.0
申请日：2005-08-11
Applicant: 小松电子金属股份有限公司
IPC: H01L21/322 , C30B29/06
CPC classification number: C30B29/06 , C30B15/00 , H01L21/3225 , Y10T117/1004 , Y10T117/1056
Abstract: 通过进行外延生长或高温热处理，得到具有高吸气能力的外延晶片和高温热处理晶片。由氮浓度和晶体生长中于1100℃附近的冷却速度导出表示添加有氮的硅晶在晶体生长时所导入的氧析出物的密度相对于半径的关系式，通过给出所导出的表示氧析出物的密度相对于半径的关系式和氧浓度以及晶片热处理工艺，可以预测热处理后得到的氧析出物的密度。另外，得到使用由该方法预测得到的条件而控制为适当的氧析出物密度的外延生长晶片和高温退火晶片。
-
公开(公告)号：CN100385046C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200380102309.1
申请日：2003-10-31
Applicant: 小松电子金属股份有限公司
IPC: C30B29/06 , C30B15/04 , C30B15/22 , H01L21/322
CPC classification number: C30B29/06 , C30B15/203
Abstract: 一种硅晶片的制造方法，包括：硅结晶制造工序，以进入无外延缺陷区域(α2)内的方式，对硅结晶中的硼浓度和生长条件V/G进行控制，制造硅结晶，其中，所述无外延缺陷区域(α2)，是在硅晶片基板中无缺陷且在外延生长层中无缺陷的无缺陷区域，并且其将硅结晶中的硼浓度为1×1018atoms/cm3以上且随着硼浓度的上升而使生长速度V渐渐降低的线作为下限线(LN1)。另一种硅晶片的制造方法，以至少含有在硅晶片基板上出现OSF即氧化诱生层错缺陷且在外延生长层中出现缺陷的外延缺陷区域(β1)的方式，对硅结晶中的硼浓度和生长条件V/G进行控制的同时，以使OSF核不显现化为OSF的方式，控制硅结晶的热处理条件和硅结晶中的氧浓度。再另一种硅晶片的制造方法，以处于在硅晶片基板中出现空位缺陷且在外延生长层中成无缺陷的无外延缺陷区域(α1)内的下限线(LN3)附近的方式，对硅结晶中的硼浓度和生长条件V/G进行控制，制造硅结晶。
-
公开(公告)号：CN100459056C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200480021399.6
申请日：2004-07-29
Applicant: 小松电子金属股份有限公司
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/67313 , H01L21/67086 , Y10S134/902
Abstract: 本发明涉及圆板状的部件的蚀刻方法及蚀刻装置，尤其涉及半导体晶片的蚀刻方法及蚀刻装置。在装满蚀刻液的蚀刻槽(12)的内部，在使晶片(30)旋转的同时来进行蚀刻的蚀刻方法中，在旋转的晶片(30)与晶片(30)之间配置不旋转的细胞板(26)。另外，在通过杆(16)支撑、旋转多个晶片(30)的蚀刻装置中，在晶片(30)与晶片(30)之间配置细胞板(26)。细胞板(26)的表面积的大小与晶片(30)的表面积相同。
-
公开(公告)号：CN100400236C
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN03823068.2
申请日：2003-09-26
Applicant: 小松电子金属股份有限公司
IPC: B24B37/04
CPC classification number: B24B37/30
Abstract: 本发明提供一种研磨装置、研磨头及研磨方法。具有在表面贴附了研磨布(25)的平台(24)、保持晶片(30)的一面并使之与研磨布(25)接触的卡盘(19)、被成同心状地配置于卡盘(19)的外周的圆环状的固定环(23)。固定环(23)可以相对于卡盘(19)摆动及上下移动，在粗研磨工序中利用固定环(23)推压研磨布(25)，在精研磨工序中，使固定环(23)向上方退避，防止粗磨粒进入精研磨台架中，用相同的研磨头连续地进行粗研磨和精研磨。这样，就不会将粗研磨的粗磨粒带入精研磨台架，可以通过用相同的研磨头连续地进行粗研磨和精研磨而实现装置的成本降低。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1943022B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200580011882.0
申请日：2005-04-22
Applicant: 小松电子金属股份有限公司
IPC: H01L21/322
CPC classification number: H01L21/3225
Abstract: 本发明提供一种能对在含有氮气的气氛中进行了RTA之后的BMD密度在晶片深度方向的M分布形态进行任意控制、可自如地控制每个器件制造商的要求不同的接近吸收构造的方法。并且，提供一种对规定的硅晶片进行热处理，以制造在表面附近具有无缺陷层的硅晶片的热处理方法，其中，通过控制该热处理用硅晶片在深度方向的氮浓度分布，形成所希望的内部缺陷密度分布。
-
公开(公告)号：CN101002310A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200580026862.0
申请日：2005-08-11
Applicant: 小松电子金属股份有限公司
IPC: H01L21/322 , C30B29/06
CPC classification number: C30B29/06 , C30B15/00 , H01L21/3225 , Y10T117/1004 , Y10T117/1056
Abstract: 通过进行外延生长或高温热处理，得到具有高吸气能力的外延晶片和高温热处理晶片。由氮浓度和晶体生长中于1100℃附近的冷却速度导出表示添加有氮的硅晶在晶体生长时所导入的氧析出物的密度相对于半径的关系式，通过给出所导出的表示氧析出物的密度相对于半径的关系式和氧浓度以及晶片热处理工艺，可以预测热处理后得到的氧析出物的密度。另外，得到使用由该方法预测得到的条件而控制为适当的氧析出物密度的外延生长晶片和高温退火晶片。
-
公开(公告)号：CN1943022A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200580011882.0
申请日：2005-04-22
Applicant: 小松电子金属股份有限公司
IPC: H01L21/322
CPC classification number: H01L21/3225
Abstract: 本发明提供一种能对在含有氮气的气氛中进行了RTA之后的BMD密度在晶片深度方向的M分布形态进行任意控制、可自如地控制每个器件制造商的要求不同的接近吸收构造的方法。并且，提供一种对规定的硅晶片进行热处理，以制造在表面附近具有无缺陷层的硅晶片的热处理方法，其中，通过控制该热处理用硅晶片在深度方向的氮浓度分布，形成所希望的内部缺陷密度分布。
-
公开(公告)号：CN1762046A
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN200480007423.0
申请日：2004-03-25
Applicant: 小松电子金属股份有限公司
IPC: H01L21/322 , H01L21/20
CPC classification number: H01L21/322
Abstract: 本发明提供一种半导体外延晶片，在P－硅基板的表面侧叠层多层外延层，在背面侧不进行任何叠层。将多层外延层中的与硅基板相接的外延层形成P+的第1外延层。通过如此使P+层接近外延层，即使在低温的元件制造工艺中，也能够有效地进行聚集，能够提高外延晶片的制造成品率。从而能够降低外延晶片的制造成本。
-
公开(公告)号：CN1708606A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200380102309.1
申请日：2003-10-31
Applicant: 小松电子金属股份有限公司
IPC: C30B29/06 , C30B15/04 , C30B15/22 , H01L21/322
CPC classification number: C30B29/06 , C30B15/203
Abstract: 一种硅晶片的制造方法，包括：硅结晶制造工序，以进入无外延缺陷区域(α2)内的方式，对硅结晶中的硼浓度和生长条件V/G进行控制，制造硅结晶，其中，所述无外延缺陷区域(α2)，是在硅晶片基板中无缺陷且在外延生长层中无缺陷的无缺陷区域，并且其将硅结晶中的硼浓度为1×1018atoms/cm3以上且随着硼浓度的上升而使生长速度V渐渐降低的线作为下限线(LN1)。另一种硅晶片的制造方法，以至少含有在硅晶片基板上出现OSF即氧化诱生层错缺陷且在外延生长层中出现缺陷的外延缺陷区域(β1)的方式，对硅结晶中的硼浓度和生长条件V/G进行控制的同时，以使OSF核不显现化为OSF的方式，控制硅结晶的热处理条件和硅结晶中的氧浓度。再另一种硅晶片的制造方法，以处于在硅晶片基板中出现空洞缺陷且在外延生长层中成无缺陷的无外延缺陷区域(α1)内的下限线(LN3)附近的方式，对硅结晶中的硼浓度和生长条件V/G进行控制，制造硅结晶。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.055 seconds)
