公开(公告)号：CN108701727A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201680068314.2

申请日：2016-09-28

Applicant: 泰姆普雷斯艾普公司

Inventor： 马泰恩·莱内斯 ,  罗纳德·科内利斯·杰拉德·纳贝尔 ,  约翰尼斯·莱茵德·马克·卢奇斯 ,  艾伯特·哈斯佩尔

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  C23C16/24

CPC classification number: H01L31/0682 ,  C23C16/24 ,  C23C16/28 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0684 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 制造太阳能电池的方法包括以下步骤：提供半导体衬底(100)，半导体衬底(100)包括在其第一侧面延伸的导电区域(11)；以及通过热氧化设置隧道氧化物(13)随后是在半导体衬底的第二侧面上的硼掺杂的多晶硅LPCVD沉积层。这里，设置掺杂的多晶硅层(20)包括交替地沉积硅的第一子层(21、22、23)和硼掺杂剂的第二子层(31、32)的多层堆叠，并且随后退火。此后，太阳能电池用在至少第一侧面上的钝化层以及在发射极区和基极区上的合适的金属化层来完成。

公开(公告)号：CN107881490A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201710919181.1

申请日：2017-09-30

Applicant: 泰姆普雷斯艾普公司

Inventor： 马尔科姆·约翰·哈里斯 ,  彼得·罗埃尔弗·维尼玛 ,  马滕·罗纳德·雷内斯 ,  约翰尼斯·莱茵德·马克·卢奇斯

IPC: C23C16/48 ,  C23C16/513 ,  C23C16/52 ,  H01L31/18

CPC classification number: C23C16/4587 ,  C23C16/46 ,  C23C16/481 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67313 ,  C23C16/513 ,  H01L31/18

Abstract: 本申请公开了化学气相沉积装置及其用途。等离子体增强化学气相沉积(PECVD)装置包括配置用于具有基板的晶圆舟(10)的管状室(100)。PECVD装置还包括布置在室外侧并被配置用于借助于辐射来发射热的加热工具(110)、以及用于控制室(100)内部的包括温度和组成的状态的控制器。在这里，加热工具(110)配置用于根据在室内的径向变化剖面来提供辐射，该径向加热剖面包括第一径向区(I)和第二径向区(II)，并且其中在第一径向区(I)中的热通量(FI)高于在第二径向区中的热通量(FII)。

公开(公告)号：CN104364911B

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201380030185.4

申请日：2013-06-05

Applicant: 泰姆普雷斯艾普公司

Inventor： 罗纳德·科内利斯·杰拉德·纳贝尔 ,  约翰尼斯·莱茵德·马克·卢奇斯

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02245 ,  H01L31/022458 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/186 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 太阳能电池的制造包括通路孔(2)的蚀刻，该通路孔(2)具有锥形形状，使得在衬底(1)的预期作为主面以用于捕获入射光的第一面(1a)处的直径(A)大于在衬底(1)的第二面(1b)处的直径(B)。第一掺杂区域(3)延伸到通路孔(2)中的第一表面(11)。第二掺杂区域(5)存在于衬底(1)的第二表面(1b)处并且适合地通过离子注入形成。产生的太阳能电池具有通过通路孔(2)中的第二表面(12)在第一掺杂区域(3)和第二掺杂区域(5)之间的适当的隔离，并且适合地在第一掺杂区域(3)和衬底(1)中的掺杂剂之间设置有深的结。

公开(公告)号：CN104205363A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201380017340.9

申请日：2013-05-03

Applicant: 泰姆普雷斯艾普公司

Inventor： 罗纳德·科内利斯·杰拉德·纳贝尔

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/1872 ,  H01L31/065 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/20 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种制造太阳能电池的方法，其包括：有着第一侧(1a)和相对的第二侧(1b)的半导体基板(1)，在所述第一侧处选择性界定掺杂第一导电类型的电荷载子的活性区域。该方法包括：在植入步骤中通过离子植入以诱使表面非晶化的剂量水平将所述电荷载子引入基板中所述第一侧(1a)上，于是形成非晶化区域。在那之后，在非晶化区域的部分中选择性再结晶材料来界定第一、再结晶的子区域(5)，所述非晶化区域的剩余部分界定第二子区域(15)。接着，至少部分去除所述第一子区域(5)的再结晶材料，于是创建选择性界定的活性区域并且在至少部分去除的第一子区域(5)和第二子区域(15)之间引入表面拓扑结构。还提供一种用于执行所述方法的装置和产生的有着表面拓扑结构的太阳能电池。

公开(公告)号：CN107881490B

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN201710919181.1

申请日：2017-09-30

Applicant: 泰姆普雷斯艾普公司

Inventor： 马尔科姆·约翰·哈里斯 ,  彼得·罗埃尔弗·维尼玛 ,  马滕·罗纳德·雷内斯 ,  约翰尼斯·莱茵德·马克·卢奇斯

IPC: C23C16/48 ,  C23C16/513 ,  C23C16/52 ,  H01L31/18

Abstract: 本申请公开了化学气相沉积装置及其用途。等离子体增强化学气相沉积(PECVD)装置包括配置用于具有基板的晶圆舟(10)的管状室(100)。PECVD装置还包括布置在室外侧并被配置用于借助于辐射来发射热的加热工具(110)、以及用于控制室(100)内部的包括温度和组成的状态的控制器。在这里，加热工具(110)配置用于根据在室内的径向变化剖面来提供辐射，该径向加热剖面包括第一径向区(I)和第二径向区(II)，并且其中在第一径向区(I)中的热通量(FI)高于在第二径向区中的热通量(FII)。

公开(公告)号：CN109003934A

公开(公告)日：2018-12-14

申请号：CN201810576194.8

申请日：2018-06-06

Applicant: 泰姆普雷斯艾普公司 ,  索雷泰克私人有限责任公司

Inventor： 彼得·罗埃尔弗·维尼玛 ,  马滕·罗纳德·雷内斯 ,  罗纳德·亨利卡·玛丽亚·范迪克 ,  约翰尼斯·莱茵德·马克·卢奇斯

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/673 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/6838 ,  C23C16/4588 ,  H01L21/67313 ,  H01L21/67751 ,  H01L21/68707 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1876 ,  H01L21/673

Abstract: 本申请公开了晶圆夹持器组件、系统及其用途。晶圆夹持器组件设置有至少一个晶圆夹持器(50)，该晶圆夹持器包括基座(51)和桥接元件(52)；真空装置，其包括用于施加负压的软管(53)和至少一个抽吸区域(54)，被配置用于借助于所施加的负压保持晶圆(10)；框架(60)，其联接到桥接元件(52)。框架(60)设置有被配置用于接触晶圆舟的定位装置(57)，以便将晶圆定位在距晶圆舟的预定距离处。在框架(60)与桥接元件(52)或包括抽吸设备(54)的保持板(70)之间存在弹性联接件(56)，如果存在这样的保持板的话。

公开(公告)号：CN104205363B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201380017340.9

申请日：2013-05-03

Applicant: 泰姆普雷斯艾普公司

Inventor： 罗纳德·科内利斯·杰拉德·纳贝 ,  尔

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/1872 ,  H01L31/065 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/20 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种制造太阳能电池的方法，其包括：有着第一侧(1a)和相对的第二侧(1b)的半导体基板类型的电荷载子的活性区域。该方法包括：在植入步骤中通过离子植入以诱使表面非晶化的剂量水平将所述电荷载子引入基板中所述第一侧(1a)上，于是形成非晶化区域。在那之后，在非晶化区域的部分中选择性再结晶材料来界定第一、再结晶的子区域(5)，所述非晶化区域的剩余部分界定第二子区域(15)。接着，至少部分去除所述第一子区域(5)的再结晶材料，于是创建选择性界定的活性区域并且在至少部分去除的第一子区域(5)和第二子区域(15)之间引入表面拓扑结构。还提供一种用于执行所述方法的装置和产生的有着表面拓扑结构的太阳能电池。(1)，在所述第一侧处选择性界定掺杂第一导电

公开(公告)号：CN109003934B9

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN201810576194.8

申请日：2018-06-06

Applicant: 泰姆普雷斯艾普公司 ,  索雷泰克私人有限责任公司

Inventor： 彼得·罗埃尔弗·维尼玛 ,  马滕·罗纳德·雷内斯 ,  罗纳德·亨利卡·玛丽亚·范迪克 ,  约翰尼斯·莱茵德·马克·卢奇斯

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/673 ,  H01L31/18

Abstract: 本申请公开了晶圆夹持器组件、系统及其用途。晶圆夹持器组件设置有至少一个晶圆夹持器(50)，该晶圆夹持器包括基座(51)和桥接元件(52)；真空装置，其包括用于施加负压的软管(53)和至少一个抽吸区域(54)，被配置用于借助于所施加的负压保持晶圆(10)；框架(60)，其联接到桥接元件(52)。框架(60)设置有被配置用于接触晶圆舟的定位装置(57)，以便将晶圆定位在距晶圆舟的预定距离处。在框架(60)与桥接元件(52)或包括抽吸设备(54)的保持板(70)之间存在弹性联接件(56)，如果存在这样的保持板的话。

公开(公告)号：CN109003934B

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN201810576194.8

申请日：2018-06-06

Applicant: 泰姆普雷斯艾普公司 ,  索雷泰克私人有限责任公司

Inventor： 彼得·罗埃尔弗·维尼玛 ,  马滕·罗纳德·雷内斯 ,  罗纳德·亨利卡·玛丽亚·范迪克 ,  约翰尼斯·莱茵德·马克·卢奇斯

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/673 ,  H01L31/18

Abstract: 本申请公开了晶圆夹持器组件、系统及其用途。晶圆夹持器组件设置有至少一个晶圆夹持器(50)，该晶圆夹持器包括基座(51)和桥接元件(52)；真空装置，其包括用于施加负压的软管(53)和至少一个抽吸区域(54)，被配置用于借助于所施加的负压保持晶圆(10)；框架(60)，其联接到桥接元件(52)。框架(60)设置有被配置用于接触晶圆舟的定位装置(57)，以便将晶圆定位在距晶圆舟的预定距离处。在框架(60)与桥接元件(52)或包括抽吸设备(54)的保持板(70)之间存在弹性联接件(56)，如果存在这样的保持板的话。

公开(公告)号：CN108271424A

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201680058097.9

申请日：2016-09-30

Applicant: 泰姆普雷斯艾普公司

Inventor： 罗纳德·科内利斯·杰拉德·纳贝尔

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0682 ,  H01L31/022458 ,  H01L31/1872 ,  Y02E10/547

Abstract: 用于制造太阳能电池的工艺提供基于在诸如隧道氧化物的隧道电介质上的多晶硅层(5)的层的所谓的钝化触点。这里，对如通过离子注入沉积的多晶硅层进行处理以便使其非晶化。该离子注入同时允许提供掺杂的区域(6)，特别是磷的掺杂的区域。然后通过蚀刻去除选择性再结晶的区域和未处理的区域，包括在衬底(1)的第一侧面(1a)处非故意地沉积的多晶硅。在该提供图案化的和离子注入的多晶硅层之前或之后可以进行另外的工艺步骤，以便例如提供具有金属穿孔卷绕(MWT)结构的电池。