公开(公告)号：CN104205363B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201380017340.9

申请日：2013-05-03

Applicant: 泰姆普雷斯艾普公司

Inventor： 罗纳德·科内利斯·杰拉德·纳贝 ,  尔

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/1872 ,  H01L31/065 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/20 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种制造太阳能电池的方法，其包括：有着第一侧(1a)和相对的第二侧(1b)的半导体基板类型的电荷载子的活性区域。该方法包括：在植入步骤中通过离子植入以诱使表面非晶化的剂量水平将所述电荷载子引入基板中所述第一侧(1a)上，于是形成非晶化区域。在那之后，在非晶化区域的部分中选择性再结晶材料来界定第一、再结晶的子区域(5)，所述非晶化区域的剩余部分界定第二子区域(15)。接着，至少部分去除所述第一子区域(5)的再结晶材料，于是创建选择性界定的活性区域并且在至少部分去除的第一子区域(5)和第二子区域(15)之间引入表面拓扑结构。还提供一种用于执行所述方法的装置和产生的有着表面拓扑结构的太阳能电池。(1)，在所述第一侧处选择性界定掺杂第一导电