公开(公告)号：CN104205361A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201380015784.9

申请日：2013-03-18

Applicant: 泰姆普雷斯艾普公司

Inventor： 罗纳德·科内利斯·杰拉德·纳贝尔

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1876 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及由第一传导型半导体基板制造太阳能电池的方法，该半导体基板具有正面和背面，该方法按该顺序包括：通过第二传导型掺杂物的扩散创建正面和背面中的第二传导型掺杂层，在扩散期间形成正面和背面上的包含掺杂物的玻璃层；通过单面蚀刻工艺从背面除去第二传导型的掺杂层和包含掺杂物的玻璃层，同时在正面中保留包含掺杂物的玻璃层；通过将第一传导型的掺杂物植入到背面中来创建背面上的第一传导型的背面场(BSF)层；通过蚀刻工艺从所述基板的正面除去包含掺杂物的玻璃层；通过在氧化气氛中以预定的一段时间加热所述基板并加热到预定的温度进行表面氧化以形成正面和背面上的钝化层。

公开(公告)号：CN108271424A

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201680058097.9

申请日：2016-09-30

Applicant: 泰姆普雷斯艾普公司

Inventor： 罗纳德·科内利斯·杰拉德·纳贝尔

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0682 ,  H01L31/022458 ,  H01L31/1872 ,  Y02E10/547

Abstract: 用于制造太阳能电池的工艺提供基于在诸如隧道氧化物的隧道电介质上的多晶硅层(5)的层的所谓的钝化触点。这里，对如通过离子注入沉积的多晶硅层进行处理以便使其非晶化。该离子注入同时允许提供掺杂的区域(6)，特别是磷的掺杂的区域。然后通过蚀刻去除选择性再结晶的区域和未处理的区域，包括在衬底(1)的第一侧面(1a)处非故意地沉积的多晶硅。在该提供图案化的和离子注入的多晶硅层之前或之后可以进行另外的工艺步骤，以便例如提供具有金属穿孔卷绕(MWT)结构的电池。

公开(公告)号：CN104205361B

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201380015784.9

申请日：2013-03-18

Applicant: 泰姆普雷斯艾普公司

Inventor： 罗纳德·科内利斯·杰拉德·纳贝尔

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1876 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及由第一传导型半导体基板制造太阳能电池的方法，该半导体基板具有正面和背面，该方法按该顺序包括：通过第二传导型掺杂物的扩散创建正面和背面中的第二传导型掺杂层，在扩散期间形成正面和背面上的包含掺杂物的玻璃层；通过单面蚀刻工艺从背面除去第二传导型的掺杂层和包含掺杂物的玻璃层，同时在正面中保留包含掺杂物的玻璃层；通过将第一传导型的掺杂物植入到背面中来创建背面上的第一传导型的背面场(BSF)层；通过蚀刻工艺从所述基板的正面除去包含掺杂物的玻璃层；通过在氧化气氛中以预定的一段时间加热所述基板并加热到预定的温度进行表面氧化以形成正面和背面上的钝化层。

公开(公告)号：CN108701727A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201680068314.2

申请日：2016-09-28

Applicant: 泰姆普雷斯艾普公司

Inventor： 马泰恩·莱内斯 ,  罗纳德·科内利斯·杰拉德·纳贝尔 ,  约翰尼斯·莱茵德·马克·卢奇斯 ,  艾伯特·哈斯佩尔

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  C23C16/24

CPC classification number: H01L31/0682 ,  C23C16/24 ,  C23C16/28 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0684 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 制造太阳能电池的方法包括以下步骤：提供半导体衬底(100)，半导体衬底(100)包括在其第一侧面延伸的导电区域(11)；以及通过热氧化设置隧道氧化物(13)随后是在半导体衬底的第二侧面上的硼掺杂的多晶硅LPCVD沉积层。这里，设置掺杂的多晶硅层(20)包括交替地沉积硅的第一子层(21、22、23)和硼掺杂剂的第二子层(31、32)的多层堆叠，并且随后退火。此后，太阳能电池用在至少第一侧面上的钝化层以及在发射极区和基极区上的合适的金属化层来完成。

公开(公告)号：CN104364911B

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201380030185.4

申请日：2013-06-05

Applicant: 泰姆普雷斯艾普公司

Inventor： 罗纳德·科内利斯·杰拉德·纳贝尔 ,  约翰尼斯·莱茵德·马克·卢奇斯

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02245 ,  H01L31/022458 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/186 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 太阳能电池的制造包括通路孔(2)的蚀刻，该通路孔(2)具有锥形形状，使得在衬底(1)的预期作为主面以用于捕获入射光的第一面(1a)处的直径(A)大于在衬底(1)的第二面(1b)处的直径(B)。第一掺杂区域(3)延伸到通路孔(2)中的第一表面(11)。第二掺杂区域(5)存在于衬底(1)的第二表面(1b)处并且适合地通过离子注入形成。产生的太阳能电池具有通过通路孔(2)中的第二表面(12)在第一掺杂区域(3)和第二掺杂区域(5)之间的适当的隔离，并且适合地在第一掺杂区域(3)和衬底(1)中的掺杂剂之间设置有深的结。

公开(公告)号：CN104205363A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201380017340.9

申请日：2013-05-03

Applicant: 泰姆普雷斯艾普公司

Inventor： 罗纳德·科内利斯·杰拉德·纳贝尔

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/1872 ,  H01L31/065 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/20 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种制造太阳能电池的方法，其包括：有着第一侧(1a)和相对的第二侧(1b)的半导体基板(1)，在所述第一侧处选择性界定掺杂第一导电类型的电荷载子的活性区域。该方法包括：在植入步骤中通过离子植入以诱使表面非晶化的剂量水平将所述电荷载子引入基板中所述第一侧(1a)上，于是形成非晶化区域。在那之后，在非晶化区域的部分中选择性再结晶材料来界定第一、再结晶的子区域(5)，所述非晶化区域的剩余部分界定第二子区域(15)。接着，至少部分去除所述第一子区域(5)的再结晶材料，于是创建选择性界定的活性区域并且在至少部分去除的第一子区域(5)和第二子区域(15)之间引入表面拓扑结构。还提供一种用于执行所述方法的装置和产生的有着表面拓扑结构的太阳能电池。

公开(公告)号：CN110352501A

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201880010666.1

申请日：2018-02-12

Applicant: 泰姆普雷斯艾普公司

Inventor： 罗纳德·科内利斯·杰拉德·纳贝尔 ,  约翰尼斯·莱茵德·马克·卢奇斯 ,  马泰恩·莱内斯

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/072 ,  H01L31/068

Abstract: 制造钝化太阳能电池的方法包括以下步骤：(1)在半导体衬底的设置有纹理化表面的第一侧面上提供导电区域，该导电区域包括p型电导率的掺杂剂原子，特别是硼；(2)通过施加隧道电介质层和多晶硅层并进行退火以便将掺杂剂原子从导电区域扩散到多晶硅层中来提供钝化层。氢化氮化硅或氮氧化硅层可以存在于多晶硅层的顶部上。所形成的太阳能电池具有显著增加的电荷载流子寿命，并因此提高了开路电压。

公开(公告)号：CN104364911A

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201380030185.4

申请日：2013-06-05

Applicant: 泰姆普雷斯艾普公司

Inventor： 罗纳德·科内利斯·杰拉德·纳贝尔 ,  约翰尼斯·莱茵德·马克·卢奇斯

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02245 ,  H01L31/022458 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/186 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 太阳能电池的制造包括通路孔(2)的蚀刻，该通路孔(2)具有锥形形状，使得在衬底(1)的预期作为主面以用于捕获入射光的第一面(1a)处的直径(A)大于在衬底(1)的第二面(1b)处的直径(B)。第一掺杂区域(3)延伸到通路孔(2)中的第一表面(11)。第二掺杂区域(5)存在于衬底(1)的第二表面(1b)处并且适合地通过离子注入形成。产生的太阳能电池具有通过通路孔(2)中的第二表面(12)在第一掺杂区域(3)和第二掺杂区域(5)之间的适当的隔离，并且适合地在第一掺杂区域(3)和衬底(1)中的掺杂剂之间设置有深的结。