公开(公告)号：CN103928501B

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201410165353.7

申请日：2014-04-23

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 许晟瑞 ,  姜腾 ,  郝跃 ,  杨林安 ,  张进成 ,  林志宇 ,  樊永祥 ,  张春福

IPC: H01L29/267 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明公开了一种基于m面GaN上的极性InN纳米线材料及其制作方法，主要解决常规极性InN纳米线生长中工艺成本高、效率低、方向一致性差的问题。其生长步骤是：(1)在m面GaN衬底上蒸发一层1-15nm金属Ti；(2)将有金属Ti的m面GaN衬底置于MOCVD反应室中，并向反应室内通入氢气与氨气，使m面GaN衬底上的一部分金属Ti氮化形成TiN，并残余一部分未被氮化的金属Ti；未被氮化的金属Ti作为催化剂在TiN层上生长平行于衬底、方向一致的极性InN纳米线。本发明具有成本低，生长速率快，方向一致性好的优点，可用于制作高性能极性InN纳米器件。(3)向MOCVD反应室中同时通入铟源和氨气，利用

公开(公告)号：CN105680132A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201610150646.7

申请日：2016-03-16

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 杨林安 ,  李杨 ,  王少波 ,  郝跃

IPC: H01P3/12 ,  H01P11/00

CPC classification number: H01P3/121 ,  H01P11/002

Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波阻抗易调谐空气共面波导结构及其制备方法，该共面波导结构利用空气桥制作技术，实现了以空气介质层作为主要介质层的共面波导结构；同时在空气介质层和碳化硅基片层之间插入开关金属层，并在开关金属层上开有一定尺寸的沟槽Slot。本发明通过采用空气材料作为主要介质层，减小了太赫兹信号传输的损耗和色散，实现了一种高品质因数的共面波导结构，本发明通过采用高阻型碳化硅基片层，针对基于第三代半导体太赫兹器件和电路设计了一种新型传输线结构，通过加入开关金属层减小空气介质层厚度，降低了加工难度，另外调节金属开关层的开槽Slot尺寸，能够使阻抗更易调谐。

公开(公告)号：CN105679838A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201610015393.2

申请日：2016-01-11

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 杨林安 ,  王晓燕 ,  徐洋 ,  严霏 ,  郝跃

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/15 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/151 ,  H01L29/66212

Abstract: 本发明公开了一种基于AlGaN/GaN异质结多沟道结构的GaN太赫兹肖特基二极管及其制作方法，主要解决现有GaN肖特基二极管掺杂迁移率低，串联电阻大，截止频率低的问题。包括主体部分和辅体部分，主体部分自下而上包括：(1)半绝缘SiC衬底、(2)GaN缓冲层、(3)AlGaN/GaN异质结多沟道层、(4)GaN帽层，辅体部分包括：(5)欧姆接触电极(阴极)、(6)肖特基势垒接触电极(阳极)、(7)空气桥、(8)背金层。其中：AlGaN/GaN异质结多沟道层采用AlGaN/GaN类超晶格结构，该类超晶格有2到6个周期，每个周期中GaN层和AlGaN层的厚度均为10-20nm，且AlGaN层中的Al组分为30％。本发明能够避免传统的n型掺杂工艺，利用极化形成的多层二维电子气沟道来提高电子迁移率，减小串联电阻，提高截止频率，适用于太赫兹频段工作。

公开(公告)号：CN104393044A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201410660754.X

申请日：2014-11-18

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 毛维 ,  郝跃 ,  范举胜 ,  李敏娜 ,  杨林安 ,  刘红侠 ,  王冲 ,  郑雪峰 ,  张金风

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/41

CPC classification number: H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明公开了一种绝缘栅型直角栅-漏复合场板功率器件，其包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、肖特基漏极(5)、台面(6)、绝缘介质层(7)、绝缘栅极(8)、钝化层(9)和保护层(14)。钝化层内刻有栅槽(10)与漏槽(11)；钝化层与保护层之间淀积有直角栅场板(12)和直角漏场板(13)；直角栅场板与绝缘栅极电气连接，且下端完全填充栅槽；直角漏场板与肖特基漏极电气连接，且下端完全填充漏槽，直角栅场板靠近绝缘栅极一侧边缘与栅槽靠近绝缘栅极一侧边缘对齐，直角漏场板靠近肖特基漏极一侧边缘与漏槽靠近肖特基漏极一侧边缘对齐。本发明工艺简单，正、反向特性好，成品率高，可作为开关器件。

公开(公告)号：CN104009157A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201410272508.7

申请日：2014-06-18

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 杨林安 ,  许详 ,  李亮 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L47/02 ,  H01L47/00

Abstract: 本发明公开了一种基于双线性渐变Al组分AlGaN电子发射层的GaN耿氏二极管及其制作方法，主要解决现有耿氏器件输出功率低、散热性差的问题。该二极管包括主体部分和辅体部分，该主体部分自下而上为：SiC衬底、AlN成核层、n+GaN阴极欧姆接触层、电子发射层、n-GaN有源层和n+GaN阳极欧姆接触层；辅体部分包括环形电极、衬底电极、圆形电极、钝化层、开孔和通孔。其中：电子发射层厚度为200～600nm，且采用自下而上先由0％线性渐变到100％，再由100％线性渐变到0％的双线性渐变Al组分AlGaN结构。本发明能显著减小“死区”长度、降低位错浓度，实现大功率输出，适用于太赫兹频段工作。

公开(公告)号：CN101414627B

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200810232528.6

申请日：2008-12-01

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 毛维 ,  郝跃 ,  杨翠 ,  过润秋 ,  杨林安

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种绝缘栅型源-漏复合场板高电子迁移率晶体管及其制作方法，该器件自下而上包括衬底、过渡层、势垒层、源极、漏极、绝缘栅极、钝化层、源场板、漏场板和保护层，所述的源场板与源极电气连接，所述的漏场板与漏极电气连接，其中：源极上部和漏极上部，以及源极和漏极之间的势垒层上部淀积有绝缘介质层；源场板与漏场板之间的钝化层上淀积有n个浮空场板。每个浮空场板大小相同、相互独立，处于浮空状态，且按照等间距的方式均匀分布于源场板与漏场板之间。n个浮空场板与源场板和漏场板在钝化层上通过一次工艺完成。本发明具有工艺简单、可靠性强和击穿电压高的优点，可制作基于宽禁带化合物半导体材料异质结的大功率器件。

公开(公告)号：CN101303978A

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200810150273.9

申请日：2008-07-04

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 杨林安 ,  郝跃 ,  张进城 ,  倪金玉

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/28 ,  H01L21/321

Abstract: 本发明公开了一种适用于氮化镓(GaN)器件的欧姆接触快速热退火方法。主要解决了常规快速热退火工艺对钛/铝/钛/金(Ti/Al/Ti/Au)欧姆接触可能造成金属侧流和合金表面形貌粗糙的问题。针对铝镓氮/氮化镓异质结高电子迁移率器件(AlGaN/GaN HEMT)源/漏欧姆接触工艺中常规采用的Ti/Al/Ti/Au金属系，提出二次独立快速热退火技术方案，其中高温持续时间明显缩短，该技术使欧姆接触特性和合金表面形貌特征都有明显的改善，克服了常规的一次快速热退火技术存在的问题，也避免了两段台阶温度退火技术中长时间的温度处理对氮化镓材料可能造成的影响。本发明显著降低GaN HEMT器件制造的复杂度，提高器件可靠性，降低器件制造成本，为器件工艺实用化打下坚实的基础。