公开(公告)号：CN1707795A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200510007770.X

申请日：2005-02-17

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健 ,  井上聪

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/8239 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L27/11502 ,  G11C11/22 ,  G11C11/223 ,  H01L21/84 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/12 ,  H01L29/516 ,  H01L29/78391

Abstract: 本发明提供一种存储单元，其特征在于将半导体衬底自身的导电率变化作为不同的数据而使用。

公开(公告)号：CN1551258A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410007843.0

申请日：2004-03-04

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健 ,  名取荣治

IPC: H01G4/12 ,  C04B35/622 ,  H01L21/31 ,  H01L21/82 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L21/02356 ,  C04B35/491 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/768 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55

Abstract: 一种陶瓷膜的制造方法，包括在加压到2个大气压或2个大气压以上的状态下，对含有复合氧化物的原材料体进行热处理使结晶化的工序，作为构成元素，复合氧化物含有Pb或Bi，原材料体由溶胶凝胶原料及MOD原料的混合物构成，该溶胶凝胶原料及MOD原料的混合物，相对于上述复合氧化物的化学计算法的组成，至多5％过剩含有复合氧化物的构成元素中的至少Pb或Bi。

公开(公告)号：CN1538523A

公开(公告)日：2004-10-20

申请号：CN200410031478.7

申请日：2004-03-29

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健 ,  宫泽弘 ,  滨田泰彰 ,  名取荣治

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/31 ,  H01L41/08

CPC classification number: H01L21/02197 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1254 ,  C23C30/00 ,  C30B5/00 ,  C30B29/30 ,  C30B29/32 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/318

Abstract: 本发明的强电介体薄膜，通过在强电介体钙钛矿材料的A位置离子中至少含有1％以上的4配位Si4+或Ge4+的强电介体Pb(Zr，Ti)O3的B位置上，包含合计为5摩尔％以上、40摩尔％以下的Nb、V、W中的至少一种元素，从而可以显著提高其可靠性。

公开(公告)号：CN1519941A

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN200310124653.2

申请日：2003-12-26

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健 ,  滨田泰彰 ,  名取荣治

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/31 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8239 ,  H01L41/08

CPC classification number: H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/31691

Abstract: 一种强电介质薄膜，其特征在于，在薄膜面内，对于电场外加方向，180°区域和90°区域按同一角度旋转，由高取向多晶体构成，所述高取向多晶体的特征在于，在同一电场中反转。

公开(公告)号：CN102044628A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN201010517412.4

申请日：2009-04-01

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 滨田泰彰 ,  木岛健

IPC: H01L41/18 ,  H01L41/08 ,  B41J2/045

CPC classification number: H01L41/18 ,  B41J2/045 ,  B41J2/14233 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1645 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/318

Abstract: 本发明提供一种特性良好的非铅系压电材料。尤其是能够提高以Bi(Fe、Mn)O3及Ba(Zr、Ti)O3为基础的压电材料的特性。本发明的压电元件的特征在于，具有：第一电极(6)、配置于所述第一电极上的压电体膜(9)、配置于所述压电体膜上的第二电极(11)，其中，构成所述压电体膜的压电材料为由Bi(Fe、Mn)O3和Ba(Zr、Ti)O3的混合晶构成的压电材料，并由组成式(1-x)Bi(Fe1-yMny)O3-xBa(ZruTi1-u)O3表示，且0＜x＜0.40、0.01＜y＜0.1及0≤u＜0.16。根据这样的构成，能够维持Bi(Fe1-yMny)O3的自发极化量及高居里温度，通过Ba(ZruTi1-u)O3能够实现压电特性的提高。

公开(公告)号：CN101714579A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200910211976.2

申请日：2007-05-30

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健

IPC: H01L29/92 ,  H01L21/02 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L28/65 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/56

Abstract: 本发明提供一种可靠性良好的铁电体电容器及其制造方法。铁电体电容器(100)包括：基板(20)；形成于所述基板(20)的上方的第一电极(22)；形成于所述第一电极(22)的上方的、由用Pb(Zr，Ti)O3表示的复合氧化物构成的第一铁电体层(24)；形成于所述第一铁电体层(24)的上方的、由用Pb(Zr，Ti)1-XNbXO3表示的复合氧化物构成的第二铁电体层(26)；以及形成于所述第二铁电体层(26)上方的第二电极(30)。

公开(公告)号：CN100570770C

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN02802326.9

申请日：2002-06-13

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 名取荣治 ,  木岛健 ,  古山晃一 ,  田崎雄三

IPC: H01G4/10 ,  H01G4/12 ,  C30B1/06 ,  C01B13/14 ,  C01G1/00 ,  H01B17/60 ,  H01B19/00 ,  H01L27/10 ,  B32B18/00 ,  B32B9/00

CPC classification number: C04B35/457 ,  C04B35/01 ,  C04B35/16 ,  C04B35/42 ,  C04B35/4521 ,  C04B35/465 ,  C04B35/472 ,  C04B35/475 ,  C04B35/491 ,  C04B35/493 ,  C04B35/495 ,  C04B35/497 ,  C04B35/624 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/62645 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3445 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/08 ,  C23C16/40 ,  C23C16/409 ,  C23C18/1208 ,  C23C18/1225 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/318

Abstract: 一种陶瓷膜的制造方法，包括以下步骤：通过使含有第一原料液和第二原料液的原料液结晶，形成一陶瓷膜。该第一原料液与第二原料液的种类不同，前者用于产生铁电体而后者用于产生ABO类的氧化物，前者所含的溶剂的极性与后者所含的溶剂的极性不同，第一原料液和第二原料液发生相分离而形成膜，从而在陶瓷膜的平面方向断续地形成由第一原料液形成的第一晶体，并且形成由第二原料液形成的第二晶体，这样介于第一晶体之间。

公开(公告)号：CN100524649C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200610168229.1

申请日：2006-12-26

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/02 ,  C23C8/10

CPC classification number: C23C8/02 ,  C23C18/02 ,  H01L28/40

Abstract: 本发明提供了一种可低温成膜的陶瓷膜制造方法以及陶瓷膜制造装置。本发明涉及的陶瓷膜制造方法包括：在基体的上方形成材料层的步骤；将含有水蒸气及氧气的气体导入氧化气体制造部(30)的步骤；以及将氧化气体制造部(30)内的上述气体加热并提供到氧化炉(20)内、使材料层氧化的步骤。

公开(公告)号：CN101425460A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200810172708.X

申请日：2006-12-26

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/02 ,  C23C8/10 ,  C04B35/622

CPC classification number: C23C8/02 ,  C23C18/02 ,  H01L28/40

Abstract: 本发明提供了一种可低温成膜的陶瓷膜制造方法以及陶瓷膜制造装置。本发明涉及的陶瓷膜制造方法包括：在基体的上方形成材料层的步骤；将含有水蒸气及氧气的气体导入氧化气体制造部(30)的步骤；以及将氧化气体制造部(30)内的上述气体加热并提供到氧化炉(20)内、使材料层氧化的步骤。

公开(公告)号：CN100456493C

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200510067657.0

申请日：2005-04-25

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健 ,  滨田泰彰

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L21/28291 ,  H01L21/28167 ,  H01L29/495 ,  H01L29/516 ,  H01L29/78391

Abstract: 本发明提供一种具有强电介质层的MFS型场效应晶体管及其制造方法，其中，MFS型场效应晶体管(100)包括：半导体层(10)；形成于半导体层(10)上的PZT系强电介质层(15)；形成于PZT系强电介质层(15)上的栅极(16)；形成于半导体层(10)上、且构成源极或者漏极的杂质层(14)。而且，PZT系强电介质层(15)，将Ti成分中的2.5摩尔%以上40摩尔%以下置换为Nb。由此，本发明很难引基于漏电流或者去极而引起保持损失。