-
-
公开(公告)号：CN109164603A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201810858214.0
申请日：2018-07-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成光学领域，具体涉及一种基于转移打印在硅上低温集成石榴石薄膜的方法。本发明中，利用化学自组装法在SiO2/Si基底上六角密排PS小球，再用氧等离子体轰击PS小球使小球直径缩小，用脉冲激光沉积法在室温下将磁光石榴石薄膜沉积到氧等离子体轰击后的PS小球上，用甲苯清洗PS小球使PS小球及其上的石榴石薄膜脱落，使得在SiO2/Si基底上留下孔洞状的石榴石薄膜，最终使得刻蚀速率大大提高，且减弱了石榴石薄膜被HF腐蚀的程度。刻蚀完全后，用PDMS印章取下悬空的石榴石薄膜，再把石榴石薄膜印制到硅基底上，实现了石榴石薄膜在硅基底上的低温集成。
-
公开(公告)号：CN109100900A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810810074.X
申请日：2018-07-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/355
Abstract: 本发明属于半导体器件及非线性光学应用领域，特别涉及一种HfO2基铁电材料的使用方法。本发明将用于半导体存储行业的HfO2基铁电材料作为非线性光学材料应用于非线性光学元器件，利用铁电材料具有自发极化特性，并且自发极化可随外电场进行反转并在断电时仍可保持的先天非线性光学性能。还利用所设计的器件金属结构将电场局域在铁电HfO2层，从而得到更强的二次谐波激发，具有优异的CMOS兼容性和突出的可小型化能力，在更广的温度范围内具有更高的稳定性。可应用于电光开光、激光调频、传感检测等领域。对发展具有半导体兼容性且可小型化的光学元器件具有重要的意义。
-
公开(公告)号：CN107870456A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201711232362.3
申请日：2017-11-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/095
CPC classification number: G02F1/0955
Abstract: 本发明属于集成光学领域，具体涉及一种MZI型磁光隔离器。本发明通过两臂波导段的设计:(1)两臂波导采用弯曲折叠的多U型波导结构，有效减小器件长度；(2)通过在两臂波导光传播方向不同的波导段覆盖磁光层即非互易波导的设置，实现在单向磁场下工作。两波导臂非互易波导处于不对称的位置，光波分别从不同方向经过非互易波导，这样就可以在施加单向磁场的情况下工作。本发明最终通过设计器件结构，实现了单向磁化下的MZI光隔离器结构，简化了磁场施加方法，使器件容易制备和封装；通过对波导的弯曲折叠，减小了器件的长度。
-
公开(公告)号：CN106868458A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710019508.X
申请日：2017-01-10
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: C23C14/28 , C23C14/042 , C23C14/081 , C23C14/083 , C23C14/18 , C23C14/30 , G02B1/002
Abstract: 发明属于红外人工电磁超材料领域，更具体的，涉及一种宽带热调控红外吸波结构材料及其制备方法。本发明是利用相变材料氧化钒的可逆金属‑半导体相变特性和高介电常数特性，合理地设计结构参数，使得“三明治”结构的磁谐振吸收峰和介质层的驻波吸收峰交叠耦合在一起，从而在中远红外波段实现宽带可调吸收。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105714379A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201610107438.9
申请日：2016-02-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于磁性氧化物薄膜的生长技术领域，具体涉及一种硅上直接生长高掺杂钇铁石榴石薄膜的制备方法。本发明通过改变稀土掺杂钇铁石榴石薄膜生长过程中的激光能量密度1.8J/cm2至4.0J/cm2、薄膜沉积温度400℃至850℃以及薄膜沉积气压1mTorr至20mTorr。将在硅基底上生长钇铁石榴石薄膜中的稀土掺杂浓度由原来的33％提高到了50％，材料在光通信1550nm波长的法拉第旋光常数由2800度/厘米提升为6000度/厘米,极大的增强了材料的磁光性能。
-
公开(公告)号：CN104048045A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410230636.5
申请日：2014-05-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 超高压密封抗漏抗渗连接头，涉及机械技术，特别涉及连接件技术。本发明包括螺母段和螺母段两侧的外螺纹管，其特征在于，在外螺纹管的端面设置有凹槽，外螺纹管的孔口位于凹槽内，或者，凹槽环绕外螺纹管的孔口设置。本发明的有益效果是，较现有技术，在超高压环境下具有更好的密封性。由于本发明给弹性密封件留有一个最低压缩余量，能够有效的保护密封线圈，使其不被过分挤压变形，从而能够长久持续的保持密封状态。
-
公开(公告)号：CN118259487A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410369597.0
申请日：2024-03-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于光通讯、信号处理、微纳光学技术领域，具体为一种基于电热调制的连续可调光分束超表面器件，包括热源部分和相变材料超表面。热源部分产生的能量沿着相变材料超表面传递，在温度达到动态平衡后，相变材料超表面呈现不同位置的温度维持在一个恒定的水平且温度值具有差异性特点，在此基础上，将相变材料区域划分为多个子区域，以使相变材料超表面温度分布从临近加热器区域向远离加热区域逐渐降低，临近加热器区域温度分布较高发生相变，远离加热器的区域温度分布较低且仍处于未相变状态。通过调整施加在加热器上的外加电压大小，来影响超表面的温度场分布，从而改变整个超表面中相变材料处于相变与未相变的比例，实现多档可调谐功能。
-
公开(公告)号：CN118095389A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410214673.0
申请日：2024-02-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种可调谐多任务衍射神经网络实现方法及任务器件，涉及光学神经网络、微纳光学、图像识别应用技术领域，本发明的衍射神经网络由多层相位型衍射元件构成，传播过程中通过对输入图像进行多次波前重构实现光学图像识别；在该衍射神经网络得基础上，将相变材料超表面引入衍射计算过程，结合低比特量化算法优化衍射元件调制参数，得到多任务衍射神经网络衍射元件相位分布，再搜索与相位匹配的超表面单元结构，制备相变材料超表面器件；制作的多任务衍射神经网络器件包括基于相变材料的可调超表面、掩膜版和探测器，通过改变相变材料结晶状态实现多任务切换，硬件设备有限亦可实现多元化的计算需求，提高了衍射神经网络的灵活性且优势巨大。
-
公开(公告)号：CN116679362A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310470229.0
申请日：2023-04-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于光学技术领域，具体为一种相位补偿的大视场角超透镜及其设计方法，适用于焦平面阵列成像系统。本发明提供的超透镜针对焦平面阵列成像系统中特定的大角度锥形光场，采用相位补偿设计原理，通过引入一个凹型超透镜相位来补偿入射锥形光场的相位，从而将入射光场等效成平行光入射，再通过等效凸型超透镜将光场聚焦于焦平面阵列感光像元内；从而解决了微透镜对入射光收集角度小的问题，提升了焦平面阵列成像系统的探测效率，为现有微透镜阵列面临的视场角难题提供了有效解决办法。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
70
records
(took 0.022 seconds)
