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公开(公告)号：CN113871212B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202111200907.9
申请日：2021-11-29
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有核壳结构的二氧化锰/碳膜复合材料，通过静电纺丝制备聚丙烯腈膜，通过高温碳化制备聚丙烯腈碳膜，在高锰酸钾溶液中淬火处理获得快速生长的MnO2纳米片，得到核壳结构；所述壳核结构由碳纤维为核，MnO2纳米片阵列为壳。其制备方法包括以下步骤：1）聚丙烯腈膜的制备；2）聚丙烯腈碳膜的制备；3）高钾含量水钠锰矿/碳膜复合材料的制备。作为超级电容器电极材料的应用，在0–1.3 V范围内充放电，在电流密度为4 mA cm–2时，比容量达到了700‑800 mF cm–2。本发明使用KMnO4作为前驱体溶液，通过淬火处理，不仅可以原位捕获KMnO4溶液中的钾离子，省去钾离子的预嵌入过程，大幅提高材料的比电容；有利于工业大规模生产制备，实现柔性器件的开发。
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公开(公告)号：CN107221732B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN201710505085.2
申请日：2017-06-28
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01P1/17
Abstract: 本发明公开了一种基于黑磷的超宽带极化可重构圆极化器，由在同一水平面内周期性排列的M×N个单元结构组成，所述的单元结构包括依次堆叠的保护层、黑磷层、中间介质层、全反射面层；所述的黑磷层由n层黑磷片层组成，黑磷片层与片层之间由隔离介质层隔开，所述的保护层用于防止黑磷与空气或水接触，起到保护作用。该极化器开启了基于黑磷的圆极化器的设计，黑磷超材料的各向异性，使得线‑圆极化转换成为可能；而黑磷的面内各向异性也可能对线‑圆极化转换产生影响；同时，黑磷的单层原子的厚度有利于实现圆极化器的小型化。
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公开(公告)号：CN111323391A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN202010255624.3
申请日：2020-04-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/41
Abstract: 本发明公开了一种基于二维简单超材料结构的微纳折射率传感器，通过所述基于二维简单超材料结构的维纳折射率传感器是由周期性结构单元构成；所述周期性单元结构由一维介质光栅阵列叠放在SiO2-Al2O3薄膜层上所构成。利用结构产生的导模共振和腔模，对周围的介质环境十分敏感的特性，可以将结构表面临近物质的折射率的微小变化转换成可测量的透射峰的位移，设计实现高灵敏度的微纳尺度折射率传感测量，该传感器具有优越的折射率灵敏度(410.2nm/RIU)和超高的品质因子(4769.8)，也可用于亚波长范围内的气体密度的检测。该传感器既能明显降低半峰全宽，提高传感器的灵敏度，又能有效防止结构的腐蚀及氧化，延长产品的使用寿命。
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公开(公告)号：CN110459876A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910807838.4
申请日：2019-08-29
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于二维简单超材料结构的超宽带吸波体，解决的是吸收效率低、结构复杂、工作带宽窄的技术问题，通过采用所述基于二维简单超材料结构的超宽带吸波体包括重叠设置的上层结构与下层结构，上层结构叠放在下层结构上；所述上层结构为周期设置的工作在亚波长范围内的金属-电介质-金属光栅结构；所述下层结构是多层金属-电介质对所构成，所述金属为铬，所述电介质为SiO2，下层结构的底层为厚度可阻绝电磁波透射的金属层的技术方案，较好的解决了该问题，可用于热辐射计和太阳能吸收系统中。
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公开(公告)号：CN107359420A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710578549.2
申请日：2017-07-17
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种结构简单，能够实现小型化，双频段，高增益以及右旋圆极化，增加天线的带宽和提高增益的小型化高增益双频段圆极化天线，该小型化高增益双频段圆极化天线包括绝缘介质基板、辐射体以及U型金属背腔；所述辐射体上设置有由辐射体中心向四条边延伸，且沿以辐射体的中心为圆心的圆圆周均匀分布的第一T形槽孔、第二T形槽孔、第三T形槽孔和第四T形槽孔；所述辐射体的对角线上设置有第一矩形槽孔以及第二矩形槽孔，所述第一矩形槽孔内设置有第一T形辐射体，所述第二矩形槽孔内设置有第二T形辐射体。采用该小型化高增益双频段圆极化天线能满足军用通信手机天线的要求，方便放置于通信手机天线顶部，实现掀盖。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106877003A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710174740.0
申请日：2017-03-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q15/24
CPC classification number: H01Q15/244
Abstract: 本发明公开了一种反射型超宽带太赫兹极化可重构圆极化器，由在同一水平面内周期性排列的M×N个单元结构组成；所述的单元结构包括依次堆放的金属地板层、中间介质层和双开口谐振方环结构层；所述的金属双开口谐振方环结构层是由两个成中心对称的L形金属条组成各向异性的双开口方环结构。该极化器具有很强的实用性，能在太赫兹波段超宽带范围内高效地将线极化波转换为圆极化波，而且结构简单，易于加工、在宽入射角范围内仍具有良好的线‑圆极化转换性能、具有极化可重构的特点。此外，通过调整结构参数，该极化器还能用于其它频段，在天线设计、隐身技术等方面具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN105958189A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610377083.5
申请日：2016-05-31
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种小型化宽带天线，包括辐射体、绝缘介质基板和金属背腔；金属背腔为1个下底面和2个左右相对的侧壁所构成的U形腔；绝缘介质基板覆盖在金属背腔的上顶面开口处；辐射体呈平面状印制于绝缘介质基板的上表面；辐射体由2个扇形单元和2条微带线组成；2个扇形单元的顶点形成辐射体的馈电点；2个扇形单元对称分布在绝缘介质基板的左右两侧，2个扇形单元的馈电点相对，并隔开一定距离；每条微带线均为弯曲状延伸的线形；微带线的两端分别接在2个扇形单元的同侧底端点上；2条微带线对称分布在绝缘介质基板的前后两侧。本发明能够减小天线的尺寸，满足系统对目标的探测要求。
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公开(公告)号：CN104092013B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201410345067.9
申请日：2014-07-18
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于石墨烯的频率可重构天线，包括天线本体，所述天线本体包括馈电端口、上部的石墨烯层、中部的非导电介质层和下部的导电介质层；其中非导电介质层与石墨烯层的相交面形成上界面，非导电介质层与导电介质层的相交面形成下界面。馈电端口设置在石墨烯层的一端，且上下界面之间的垂直距离从馈电端口的正下方处向另一侧渐变；或馈电端口设置在石墨烯的中间，上下界面之间的垂直距离从中间的馈电端口的正下方处，向两侧对称渐变。本发明可通过调节外加偏置电压来连续调控天线工作频率，克服了以往频率可重构天线对频率的调控上不能连续调谐的缺点。
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公开(公告)号：CN105161832A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510492257.8
申请日：2015-08-12
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q1/38
Abstract: 本发明公开一种基于石墨烯覆层的可重构天线，包括天线本体，该天线本体包括接地板和直立于接地板上的单极子；所述天线本体还进一步包括一上下贯通、并呈中空柱状的电介质套筒，电介质套筒位于接地板的上方且置于单极子的外围；电介质套筒的内外侧表面中的一侧表面涂覆有石墨烯覆层，另一侧表面涂覆有硅覆层；上述石墨烯覆层和硅覆层各与外置偏置电压的一端相连，且与外置偏置电压的正极相连的石墨烯覆层或硅覆层与接地板之间存在一定的间隙。通过将石墨烯覆层和硅覆层分隔成多块，并控制其外置偏置电压，使得天线具有宽频带、频率可重构和/或辐射方向图可重构的特点。
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公开(公告)号：CN105161398A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510394642.9
申请日：2015-07-07
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02052
Abstract: 本发明公开了一种GaAs(111)晶圆的清洗方法。该方法为：将GaAs(111)衬底用有机溶剂处理以除去表面油污及有机物；然后置于双氧水中浸泡，取出，去离子水清洗后再置于盐酸中浸泡，取出，去离子水清洗；所得GaAs(111)衬底重复双氧水浸泡—去离子水清洗—盐酸浸泡—去离子水清洗步骤至少1次。本发明先用双氧水牺牲氧化GaAs(111)表面，得到规整的自然氧化层；再用盐酸腐蚀，由于GaAs表面的自然氧化层是规整的，因而可以有效去除表面质量不好的GaAs缺陷，使GaAs表面氧化物数量和粗糙度都大幅下降。采用该清洗方法配合硫化铵溶液钝化，可长时间的阻挡空气中氧气对洁净GaAs(111)表面的氧化。
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