公开(公告)号：CN1655038B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200510008153.1

申请日：2000-04-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  高山彻 ,  浜谷敏次

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/133 ,  H01L29/786 ,  H01L21/00 ,  H05B33/00

CPC classification number: G02F1/13454 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78684

Abstract: 本发明主要提供可用于大尺寸屏幕的有源矩阵显示器件的栅电极和栅极布线，其中为了实现本目的，本发明的构成是一种半导体器件，在同一衬底上具有设置在显示区的象素TFT和围绕显示区设置的驱动电路TFT，其中象素TFT和驱动电路TFT的栅电极由第一导体层形成，栅电极通过连接器与第二导体层形成的栅极布线电接触，连接器设置在象素TFT和驱动电路TFT的沟道形成区之外。

公开(公告)号：CN101615593A

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200910161414.1

申请日：2003-12-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 丸山纯矢 ,  高山彻 ,  大野由美子 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  H01L31/18 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L27/1218 ,  H01L21/76251 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/78603 ,  H01L33/24 ,  H01L33/44 ,  H01L33/56 ,  H01L33/62 ,  H01L2221/68368

Abstract: 本申请为半导体器件及其制造方法、层离方法、以及转移方法。试验了一种用来在典型为柔性塑料膜的具有柔性的衬底上制作TFT元件的技术。当结构中用光阻挡层或反射层来防止对层离层的损伤时，难以制造透射型液晶显示器件或向下发光的发光器件。在金属膜形成在衬底上的状态下，用物理方法或机械方法分离了衬底与层离膜，且提供了包含包括金属的氧化物膜的层离层和形成在金属膜上的包含硅的膜。具体地说，制作了一种TFT，此TFT借助于在金属膜上形成包括金属的氧化物层；用热处理方法晶化氧化物层；以及在氧化物层中或在氧化物层的二个界面处进行分离而得到。

公开(公告)号：CN100568268C

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200310123568.4

申请日：2003-12-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  高山彻 ,  丸山纯矢 ,  后藤裕吾 ,  大野由美子 ,  秋叶麻衣

IPC: G06K19/077

CPC classification number: G06K19/07749 ,  G06K19/077 ,  G06K19/07703 ,  G06Q20/341 ,  G06Q20/40145 ,  G07F7/1008

Abstract: 本发明的目的是提供一种更高功能的智能卡，该智能卡可以防止更换脸部照片等伪造行为，从而可以确保该卡的安全，并且该卡可以显示脸部照片以外的图像。具有显示器件和薄膜集成电路的卡，该卡用薄膜集成电路来控制显示器件的驱动，用于显示器件以及薄膜集成电路的半导体元件由多晶半导体膜形成，所述薄膜集成电路和显示器件被树脂密封在所述卡的第一衬底和第二衬底之间，并且，第一和第二衬底是塑料衬底。

公开(公告)号：CN101562190A

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200910145438.8

申请日：2003-10-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  高山彻 ,  丸山纯矢 ,  福本由美子

IPC: H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  H01L23/14 ,  H01L29/786 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L23/12 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3281 ,  H01L29/78603 ,  H01L51/003 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/524 ,  H01L51/529 ,  H01L51/56 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2227/326 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是提供一种能够防止由于水份或氧气进入而导致损坏的半导体装置，例如具有形成于塑料基片上的有机发光装置的发光设备、采用塑料基片的液晶显示设备。根据本发明，在玻璃基片或石英基片上形成的装置(TFT、具有有机化合物的发光装置、液晶装置、存储装置、薄膜二极管、销连接硅光电转换器、硅电阻元件等)从基片上分离，并转移至具有高热导率的塑料基片上。

公开(公告)号：CN101499201A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200810176170.X

申请日：2003-12-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  高山彻 ,  丸山纯矢 ,  后藤裕吾 ,  大野由美子 ,  秋叶麻衣

IPC: G07G1/06 ,  G06K19/077 ,  G07F7/08

CPC classification number: G06K19/07749 ,  G06K19/077 ,  G06K19/07703 ,  G06Q20/341 ,  G06Q20/40145 ,  G07F7/1008

Abstract: 本发明的名称为卡以及利用该卡的记帐系统，目的是提供一种更高功能的智能卡，该智能卡可以防止更换脸部照片等伪造行为，从而可以确保该卡的安全，并且该卡可以显示脸部照片以外的图像。具有显示器件和薄膜集成电路的卡，该卡用薄膜集成电路来控制显示器件的驱动，用于显示器件以及薄膜集成电路的半导体元件由多晶半导体膜形成，所述薄膜集成电路和显示器件被树脂密封在所述卡的第一衬底和第二衬底之间，并且，第一和第二衬底是塑料衬底。

公开(公告)号：CN100511686C

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200380101620.4

申请日：2003-10-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  高山彻 ,  丸山纯矢 ,  福本由美子

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/30 ,  H01L21/46

CPC classification number: H01L23/12 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3281 ,  H01L29/78603 ,  H01L51/003 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/524 ,  H01L51/529 ,  H01L51/56 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2227/326 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是提供一种能够防止由于水份或氧气进入而导致损坏的半导体装置，例如具有形成于塑料基片上的有机发光装置的发光设备、采用塑料基片的液晶显示设备。根据本发明，在玻璃基片或石英基片上形成的装置(TFT、具有有机化合物的发光装置、液晶装置、存储装置、薄膜二极管、销连接硅光电转换器、硅电阻元件等)从基片上分离，并转移至具有高热导率的塑料基片上。

公开(公告)号：CN101246814A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200810009858.9

申请日：2002-08-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高山彻 ,  丸山纯矢 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/336 ,  H01L21/77 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/76251 ,  H01L27/1214

Abstract: 本发明的目的在于提供一种剥离方法，不会损伤剥离层，不仅能够剥离具有较小面积的剥离层，而且能够剥离掉具有较大面积的剥离层整个表面。此外本发明的目的在于通过将剥离层粘贴到多种基片上提供一种轻型半导体器件，及其制备方法。具体地，本发明的目的在于通过粘贴多种元件例如TFT到柔性膜提供一种轻型半导体器件及其制备方法。即使第一材料层形成在基片上，第二材料层与上述第一材料层相邻形成，进一步进行层叠膜形成，在500℃或更高的温度进行热处理或激光束照射处理，如果第一材料层在剥离之前具有拉伸应力，第二材料层具有压缩应力，通过物理方式，可以容易地在第二材料层的层内或界面中很好地分离层。

公开(公告)号：CN100397556C

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN02121628.2

申请日：2002-05-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高山彻 ,  秋元健吾

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20

Abstract: 就涉及用于在衬底上具有使用薄膜晶体管的集成电路的半导体器件的制造方法的技术来说，问题是提供形成具有畸变的非晶硅的条件。在使用溅射法对非晶硅膜的淀积过程中，给出了15-25kHz的频率和0.5-3kW的淀积功率的条件。这可以充足地在非晶硅膜中包含10×1020/cm3或更多的Ar，这样就使得形成具有畸变的非晶硅膜成为可能。

公开(公告)号：CN101174617A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200710186679.8

申请日：2003-12-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  高山彻 ,  丸山纯矢 ,  大野由美子 ,  田中幸一郎

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L21/02667 ,  C30B13/24 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02683 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68354 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/29198 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01084 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15183 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512

Abstract: 一种半导体装置，包括：内插板；设在所述内插板上的布线；包括在所述内插板之上的第一半导体器件、第一焊垫和第一焊锡球的第一芯片，所述第一半导体器件电连接到所述第一焊垫，而所述第一焊垫电连接到所述第一焊锡球；包括在所述第一芯片之上的第二半导体器件、第二焊垫和第二焊锡球的第二芯片，所述第二半导体器件电连接到所述第二焊垫，而所述第二焊垫电连接到所述第二焊锡球；以及设在所述内插板尾侧的终端；其中所述布线和所述第一芯片经由所述第一焊锡球电连接；其中所述第一芯片和所述第二芯片经由所述第二焊锡球电连接；以及其中所述终端电连接到所述第一半导体器件。

公开(公告)号：CN100380672C

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN02148147.4

申请日：2002-10-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  高山彻

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H05B33/00

CPC classification number: H01L51/5253 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H01L51/0034 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0058 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/006 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/5016 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/5088 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/5259 ,  H01L51/56 ,  H01L2227/323 ,  H01L2251/301 ,  H01L2251/303 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2251/558

Abstract: 一个目的是提高将TFT与有机发光元件组合构成的发光器件的可靠性。在与发光器件(1200)的结构元件相同的衬底(1203)上形成TFT(1201)和有机发光元件(1202)。在TFT(1201)的衬底(1203)侧上形成起阻挡层作用的第一绝缘薄膜(1205)，在相反的上层侧上形成作为保护薄膜的第二绝缘薄膜(1206)。此外，在有机发光元件(1202)的低层侧上形成起势垒层作用的第三绝缘薄膜(1207)。第三绝缘薄膜是由无机绝缘薄膜如氮化硅薄膜、氮氧化硅薄膜、氮化铝薄膜、氧化铝薄膜或者氮氧化铝薄膜形成的。用相似的无机绝缘薄膜在有机发光元件(1202)的上层侧上形成第四绝缘薄膜(1208)和隔离(1209)。