公开(公告)号：CN102867736B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201210352567.6

申请日：2003-05-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高山彻 ,  后藤裕吾 ,  丸山纯矢 ,  大野由美子

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76251 ,  H01L21/2007 ,  H01L2221/68368 ,  Y10T428/14

Abstract: 本发明的名称为转移叠层的方法以及制造半导体器件的方法，其目的是提供一种在短时间内将待要剥离的物体转移到转移部件上而不对叠层中待要剥离的物体造成损伤的方法。而且，本发明的另一目的是提供一种制造半导体器件的方法，其中，制造在衬底上的半导体元件被转移到转移部件，典型地说是塑料衬底上。此方法的特征在于包括：在衬底上形成剥离层和待要剥离的物体；通过双面胶带键合待要剥离的物体和支座；用物理方法从剥离层剥离待要剥离的物体，然后将待要剥离的物体键合到转移部件上；以及从待要剥离的物体剥离支座和双面胶带。

公开(公告)号：CN103258839B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201310079220.3

申请日：2002-11-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高山彻 ,  丸山纯矢 ,  后藤裕吾 ,  桑原秀明 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/52 ,  B60R11/02

CPC classification number: H01L27/1266 ,  B60R1/00 ,  B60R11/0229 ,  B60R11/04 ,  B60R2011/004 ,  B60R2300/202 ,  B60R2300/802 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76251 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/3244 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2227/323 ,  H01L2227/326

Abstract: 提供了一种半导体器件和一种半导体器件的制造方法，其中将被剥离的层与具有一弯曲表面的基底相连接，特别提供一种具有一弯曲表面的显示器，更具体的说，提供一种与具有弯曲表面的基底相连接的包括一发光元件的发光器件。一个将被剥离的层转移到薄膜上，该将被剥离的层包含一发光元件，该发光元件通过使用为金属层或氮化物层的第一材料层和为一氧化层的第二材料层的叠层结构设置在衬底上，然后弯曲该薄膜和将被剥离的层，以此形成一种具有一弯曲表面的显示器。

公开(公告)号：CN1945856B

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN200610159801.8

申请日：2002-10-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 丸山纯矢 ,  高山彻 ,  后藤裕吾

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/00 ,  H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  H01L21/00 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L21/76275 ,  H01L21/308 ,  H01L21/76251 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/32 ,  H01L29/78603 ,  H01L51/0024 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明提供一种总体上既轻且薄并且具有柔性(可弯曲)的半导体器件，它具有半导体元件(薄膜晶体管、薄膜二极管、硅PIN结的光电转换元件或硅电阻元件)，以及制造所述半导体器件的方法。在本发明中，并非在塑料膜上形成元件。相反，诸如衬底的平板被用作模板，利用作为第二粘合构件(16)的凝结剂(一般为粘合剂)填充衬底(第三衬底(17))和包括元件的层(剥离层(13))之间的间隙，并且在粘合剂凝结后剥去用作模板的衬底，从而单独用凝结的粘合剂(第二粘合构件(16))固定包括元件的层(剥离层(13))。以这种方式，本发明使膜变薄并且重量减轻。

公开(公告)号：CN102290422A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201110266551.9

申请日：2003-12-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  高山彻 ,  丸山纯矢 ,  后藤裕吾 ,  大野由美子

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/1218 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/324 ,  H01L21/425 ,  H01L21/707 ,  H01L21/823487 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/156 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/78603 ,  H01L33/005 ,  H01L33/0054 ,  H01L51/003 ,  H01L51/56 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2227/326 ,  H01L2933/0016

Abstract: 本发明提供显示装置及其制造方法、剥离方法及发光装置的制造方法。本发明提供一种简化剥离工序、而且对于大型基板均匀进行剥离、转印的方法。本发明的特征在于：同时进行剥离工序中的第1粘接剂的剥离和第2粘接剂的硬化，简化制造工序。另外，本发明的特征在于：深入研究将至半导体元件的电极形成后的被剥离层转印到规定基板上的时刻。本发明的特征在于：特别地，在大型基板上已形成多个半导体元件的状态下进行剥离时，利用压力差，吸附基板，进行剥离。

公开(公告)号：CN101189625B

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN200680019382.6

申请日：2006-05-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 青木智幸 ,  后藤裕吾

IPC: G06K19/077 ,  B41F15/44 ,  B41M1/12 ,  G06K19/07 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822 ,  H01L23/52 ,  H01L27/04 ,  H01L27/12 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H01Q7/00 ,  H01Q23/00

CPC classification number: G06K19/07749 ,  H01L23/49855 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/5328 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/13 ,  H01L2924/0002 ,  H01Q1/38 ,  H01Q7/00 ,  H01Q9/27 ,  H01Q23/00 ,  H05K3/1216 ,  H01L2924/00

Abstract: 在基板上形成具有晶体管的元件组，且通过从第一开口部分挤出包括导电颗粒的浆状物在所述元件组上形成作为伪图案的导电膜，且在此之后通过从第二开口部分挤出包括导电颗粒的浆状物继续形成与所述晶体管电连接的作为天线的导电膜。因此，包括：在基板上提供的具有晶体管的元件组；在所述元件组上提供的并与所述晶体管电连接的用作天线的第一导电膜；与所述第一导电膜相邻提供且不与晶体管相连的作为伪图案的第二导电膜。

公开(公告)号：CN101452962A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200810183805.9

申请日：2008-12-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  后藤裕吾 ,  村川努

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L27/1218

Abstract: 本发明的目的在于提供在施加诸如弯曲等的外力而产生应力的情况下也降低晶体管等的损伤的半导体装置。本发明的半导体装置包括：设置在具有挠性的衬底上的第一岛状加强膜；在第一岛状加强膜上具有沟道形成区域和杂质区域的半导体膜；在沟道形成区域的上方隔着栅极绝缘膜而设置的第一导电膜；以覆盖第一导电膜及栅极绝缘膜的方式设置的第二岛状加强膜。

公开(公告)号：CN100489569C

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200480032138.4

申请日：2004-10-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山下晃央 ,  福本由美子 ,  后藤裕吾

IPC: G02B5/20 ,  B32B37/00 ,  G02B5/30 ,  G02F1/1335

CPC classification number: G02F1/133516 ,  B32B37/12 ,  B32B37/24 ,  B32B38/10 ,  B32B2037/243 ,  B32B2457/202 ,  B32B2551/00 ,  G02B5/201 ,  G02B5/223

Abstract: 为了提供了一种制作形成在塑料基板上的光学膜的方法。提供一种制作光学膜的方法，包括以下步骤：将分离层和滤光器层叠在第一基板上，使滤光器与第一基板分离，将滤光器附着到第二基板上。由于根据本发明制作的光学膜具有柔性，因此可以将它设置在具有弯曲表面的部分或显示器件上。另外，光学膜不在高温下处理，因此可以形成具有高成品率和高可靠性的光学膜。而且，可以形成具有极好的抗冲击特性的光学膜。

公开(公告)号：CN100392797C

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN03147669.4

申请日：2003-07-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高山彻 ,  丸山纯矢 ,  后藤裕吾 ,  大野由美子 ,  鹤目卓也 ,  桑原秀明

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/76251 ,  H01L27/1214

Abstract: 提供了一种不损伤待要剥离的层的剥离方法，且此方法不仅能够剥离面积小的待要剥离的层，而且能够以高的成品率剥离面积大的整个待要剥离的层。而且，提供了一种通过将待要剥离的层粘合到各种基底材料而降低了重量的半导体器件及其制造方法。确切地说，提供了一种通过将典型为TFT的各种元件粘合到柔性膜而降低了重量的半导体器件及其制造方法。金属层或氮化物层被提供在衬底上；氧化物层被提供成与金属层或氮化物层相接触；然后形成基底绝缘膜和含有氢的待要剥离的层；并在410℃或更高的温度下执行热处理，以便扩散氢。结果，能够用物理方法在氧化物层中或在其界面处获得完全的剥离。

公开(公告)号：CN1945856A

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200610159801.8

申请日：2002-10-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 丸山纯矢 ,  高山彻 ,  后藤裕吾

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/00 ,  H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  H01L21/00 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L21/76275 ,  H01L21/308 ,  H01L21/76251 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/32 ,  H01L29/78603 ,  H01L51/0024 ,  H01L51/56

Abstract: 提供一种总体上既轻且薄并且具有柔性(可弯曲)的半导体器件，它具有半导体元件(薄膜晶体管、薄膜二极管、硅PIN结的光电转换元件或硅电阻元件)，以及制造所述半导体器件的方法。在本发明中，并非在塑料膜上形成元件。相反，诸如衬底的平板被用作模板，利用作为第二粘合构件(16)的凝结剂(一般为粘合剂)填充衬底(第三衬底(17))和包括元件的层(剥离层(13))之间的间隙，并且在粘合剂凝结后剥去用作模板的衬底，从而单独用凝结的粘合剂(第二粘合构件(16))固定包括元件的层(剥离层(13))。以这种方式，本发明使膜变薄并且重量减轻。

公开(公告)号：CN1739129A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN200380108666.9

申请日：2003-12-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  高山彻 ,  丸山纯矢 ,  后藤裕吾 ,  大野由美子

IPC: G09F9/30 ,  H05B33/14 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明提供一种简化剥离工序、而且对于大型基板均匀进行剥离、转印的方法。本发明的特征在于：同时进行剥离工序中的第1粘接剂的剥离和第2粘接剂的硬化，简化制造工序。另外，本发明的特征在于：深入研究将至半导体元件的电极形成后的被剥离层转印到规定基板上的时刻。本发明的特征在于：特别地，在大型基板上已形成多个半导体元件的状态下进行剥离时，利用压力差，吸附基板，进行剥离。