公开(公告)号：CN1372313A

公开(公告)日：2002-10-02

申请号：CN02105097.X

申请日：2002-02-21

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 青木秀充 ,  富盛浩昭 ,  冈田纪雄 ,  宇佐美达矢 ,  大音光市 ,  谷国敬理

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/02074 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76883

Abstract: 本发明的目的是提供一种半导体器件的制造方法,可以在控制其电阻增加的同时提高互连寿命,另外,可以提高制造稳定性;用包括氮元素的源气,通过对铜互连17的表面进行等离子处理,形成氮化铜层24,此后形成氮化硅膜18。在氮化铜膜24下,形成薄的硅化铜层25。

公开(公告)号：CN1204142A

公开(公告)日：1999-01-06

申请号：CN98102661.3

申请日：1998-06-26

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 宇佐美达矢 ,  青木秀充 ,  土屋泰章 ,  山崎进也

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/022 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02134 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3124 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813

Abstract: 在半导体基片上形成其介电常数低于氧化硅膜的第一绝缘膜。接着,在第一绝缘膜上形成的具有吸湿度且在氧气等离子体处理中变形并对暴露在剥脱溶液中的金属膜或第二绝缘膜相同或少于氧化硅膜中的吸湿度。然后,将金属膜或第二绝缘制作成规定图形。使用金属膜或第二绝缘膜作为掩膜在第一绝缘膜中形成一开口。