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公开(公告)号：CN213602620U
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202022198948.6
申请日：2020-09-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H03H9/24
Abstract: 本公开的各实施例涉及微机电系统谐振器设备和谐振器结构。微机电谐振器设备具有：主体，具有沿竖直轴彼此相对的第一表面和第二表面，并且由第一层和第二层制成，第二层被布置在第一层上；盖，具有沿竖直轴彼此相对的第一表面和相应第二表面，并通过键合元件被耦合到主体；以及由移动元件、压电材料区域和顶部电极形成的压电谐振器结构，移动元件由第一层的谐振器部分构成、相对于第二层中提供的内部腔以悬臂方式悬置并且相对于盖中提供的壳体腔在相对侧悬置；压电材料区域被布置在主体的第一表面上的移动元件上；并且顶部电极被布置在压电材料区域上，移动元件构成压电谐振器结构的底部电极。根据本公开，提供了改进的谐振器。
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公开(公告)号：CN211063784U
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：CN201922012732.3
申请日：2019-11-20
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 本公开涉及超声类型的MEMS声换能器和MEMS声换能器。一种超声MEMS声换能器形成在半导体材料的本体中，该本体具有彼此相对的第一表面和第二表面。第一腔在本体中延伸，并在底部界定敏感部分，该敏感部分在第一腔与本体的第一表面之间延伸。敏感部分容纳第二腔并形成膜，该膜在第二腔和本体的第一表面之间延伸。弹性支撑结构在敏感部分和本体之间延伸，并悬置在第一腔上方。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207457474U
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201720778011.1
申请日：2017-06-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: G01R33/0206 , G01R33/0286 , G01R33/038
Abstract: 本公开涉及一种具有改进配置的MEMS三轴磁传感器设备和电子装置。例如，一种MEMS三轴磁传感器设备(51)设置有感应结构(2)，该感应结构具有：衬底(6)；外部框架(4)，该外部框架内部地限定窗口(5)并且弹性地耦合至第一锚定件(7)，该第一锚定件借助于第一弹性元件(8)相对于该衬底固定；可移动结构(10)，该可移动结构被安排在悬置在该衬底上方的该窗口中、借助于第二弹性元件(12)弹性地耦合至该外部框架并且承载用于流过电流(I)的导电路径(P)；以及弹性安排(22，24)，该弹性安排操作性地耦合至该可移动结构。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN221100798U
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202322109237.0
申请日：2023-08-07
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01P15/125
Abstract: 本公开的实施例涉及微机电传感器设备。一种具有感测结构的微机电传感器设备，具有：衬底；惯性质量件，被悬置在衬底之上，并且通过弹性耦合元件被弹性耦合到转子锚固结构，以执行由于待感测量而引起的至少一次惯性移动；第一感测电极，被整体地耦合到惯性质量件，以能够由于惯性移动而移动；以及第二感测电极，相对于待感测量而被固定，面向第一感测电极并且电容耦合到第一感测电极以形成具有指示待感测量的值的感测电容。第二感测电极以悬置方式被布置在衬底之上；以及补偿结构，被配置为将第二感测电极相对于第一感测电极移动，并且在没有待感测量的情况下，改变第二感测电极和第一感测电极之间的面对距离，以便补偿感测结构的本体偏移。
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公开(公告)号：CN220766509U
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202321798138.1
申请日：2023-07-10
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及MEMS设备。MEMS设备包括：半导体主体，限定主腔，并且形成锚固结构；以及第一可变形结构，沿第一轴具有彼此相对的第一端和第二端，第一可变形结构经由第一端而被固定到锚固结构，以被悬置在主腔之上。第二端被配置为相对于锚固结构，沿第二轴振荡。第一可变形结构包括具有第一外表面和第二外表面的主体，以及在第一外表面之上延伸的压电结构。主体包括沿第二轴界定第一掩埋腔的底部部分和顶部部分，第一掩埋腔沿第二轴与压电结构对准，其中主体的顶部部分沿第二轴的最大厚度小于主体的底部部分沿第二轴的最小厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN218956620U
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202221901673.0
申请日：2022-07-21
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01P15/14
Abstract: 本公开的各实施例涉及闭环微电子机械加速度计和电子系统。闭环微电子机械加速度计包括：半导体衬底；半导体面外感测块，面外感测块具有面向支撑体的第一侧和与第一侧相对的第二侧，其中面外感测块被连接到支撑体以围绕非重心的支点轴线振荡，非重心的支点轴线平行于第一侧和第二侧并且垂直于面外感测轴线；以及反馈电极，反馈电极电容性地耦合到感测块并且被配置为将相反的静电力和围绕支点轴线的扭矩施加于感测块，其中反馈电极包括面向面外感测块的第一侧的第一组反馈电极和面向面外感测块的第二侧的第二组反馈电极。由此，提供了改进的闭环微电子机械加速度计。
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公开(公告)号：CN218181211U
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202221324536.5
申请日：2022-05-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的各实施例涉及MEMS致动器和装置。MEMS致动器包括质量块，质量块沿第一方向被悬置在衬底上方并且在限定垂直于第一方向的第二和第三方向的平面中延伸。被布置在衬底与质量块之间的弹性元件沿平行于第一方向的方向具有第一柔量，第一柔量小于沿平行于第二方向的方向的第二柔量。压电致动结构具有相对于衬底固定的部分和响应于致动电压而沿第一方向变形的部分。被耦合到压电致动结构的移动变换结构包括弹性移动转换结构，弹性移动转换结构被布置在压电致动结构与质量块之间。弹性移动转换结构在由第一和第二方向形成的平面中是柔性的，并且具有横向于第一和第二方向的第一轴线和第二惯性主轴线。保证了位移精度更高，使MEMS致动器的机械性能改进。
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公开(公告)号：CN215902133U
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202120480887.4
申请日：2021-03-05
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B06B1/06
Abstract: 本公开的实施例涉及压电式微机械超声换能器PMUT器件以及电子系统。一种压电式微机械超声换能器PMUT器件，其特征在于，包括：硅基底；膜元件，被配置为通过以共振频率关于平衡位置振荡来生成超声波和接收超声波；锚定部分，将膜元件固定到硅基底，以及压电元件，在膜元件上，压电元件被配置为：当电信号被施加至压电元件时，引起膜元件振荡，以及响应于膜元件的振荡生成电信号，其中，膜元件和锚定部分由单晶硅制成。利用本公开的实施例，在完成的PMUT器件中得到的膜元件的厚度非常精确，并且较少受到工艺失配的影响。
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公开(公告)号：CN214114911U
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202022190294.2
申请日：2020-09-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及按钮设备、输入设备以及电子装置。一种按钮设备包括MEMS传感器，MEMS传感器包括MEMS应变检测结构和可变形基板，可变形基板被配置为响应于外力而经历变形，MEMS应变检测结构包括：移动元件；第一锚固件和第二锚固件，第一锚固件和第二锚固件二者相对于可变形基板是刚性的，并且第一锚固件和第二锚固件二者被配置为响应于外力而在移动元件上位移以及生成变形力；以及定子元件，电容耦合到移动元件，移动元件的位移导致在移动元件与定子元件之间的电容变化，MEMS传感器被配置为基于电容变化来生成检测信号。利用本公开的实施例，提供了具有低功耗、完全耐水或其他液体、可以用于小尺寸的电子设备等有益效果的MEMS设备。
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公开(公告)号：CN206640794U
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201621446151.0
申请日：2016-12-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 一种MEMS声换能器，其设置有：半导体材料的衬底，具有背表面和相对于垂直方向相反的前表面；形成在衬底内的第一腔，其从背表面延伸到前表面；膜，其布置在上表面处，悬置在第一腔的上方并沿着其周界锚定到衬底；以及梳齿状电极布置，其包括耦接到膜的多个可移动电极以及耦接到衬底并面向相应的可移动电极以形成感测电容器的多个固定电极，其中作为入射声波压力波的结果的膜的变形引起感测电容器的电容变化。特别地，梳齿状电极布置相对于膜垂直地放置并且平行于膜延伸。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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