公开(公告)号：CN103265465B

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201310201236.7

申请日：2013-05-27

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 宋梁成 ,  杨春晖 ,  张晓磊

IPC: C07C381/02 ,  C08L21/00 ,  C08K5/41

Abstract: 一种耦合结晶回收废液中二水合六亚甲基-1，6-二硫代硫酸二钠盐的方法，它涉及一种回收废液中二水合六亚甲基-1，6-二硫代硫酸二钠盐的方法。本发明是要解决现有方法制备二水合六亚甲基-1，6-二硫代硫酸二钠盐反应完成并分离后，废液中仍含有有效成分二水合六亚甲基-1，6-二硫代硫酸二钠盐的问题。方法一：一、制备固体残渣；二、溶析结晶；即得。方法二：减压浓缩废液，然后逐渐加入预热后的乙醇，维持体系回流，进行溶析结晶，结晶母液进行冷却结晶，结晶后对晶浆进行过滤、干燥，即得。方法三：一、制备固体残渣；二、制备结晶母液；三、溶析结晶；即得。本发明可用于回收废液中二水合六亚甲基-1，6-二硫代硫酸二钠盐。

公开(公告)号：CN102437505B

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201110381859.8

申请日：2011-11-25

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 杨春晖 ,  雷作涛 ,  孙亮 ,  徐超 ,  朱崇强

IPC: H01S3/108

Abstract: 磷化锗锌光参量振荡元件的制作方法，它涉及光参量振荡元件的制作方法。本发明是要解决现有的晶体对于3～5μm中红外波段激光输出功率低的问题。方法：测定晶体的晶面、晶向，然后按抽运波矢与晶体光轴的夹角θ及ψ角将晶体切割成晶体坯料，然后粗抛、精抛，再用真空镀膜法在通光面上先镀连接层，再以ZnSe、ZnS、ZnTe、LaF3、YF3或HfF4为膜层材料，镀在1.9μm～2.2μm波长内的反射率R＜1％，在3.5μm～4.8μm波长内的反射率R＜0.3％的增透膜，得到磷化锗锌光参量振荡元件。该元件的损伤阈值大于2.0J/cm2，实现功率十瓦以上的3～5μm中红外激光输出，用于中、远红外激光器中。

公开(公告)号：CN102146587A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN201110066137.3

申请日：2011-03-18

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 徐超 ,  许磊 ,  冷雪松 ,  代丽 ,  杨春晖 ,  徐玉恒

IPC: C30B29/30 ,  C30B15/00

Abstract: 锆铁铜铌酸锂晶体及其制备方法，涉及掺杂的铌酸锂晶体及其制备方法。本发明解决了现有的Cu、Fe双掺铌酸锂晶体的响应时间长的技术问题。本发明的锆铁铜铌酸锂晶体由Nb2O5、Li2CO3、ZrO2、Fe2O3和CuO制成；方法：将Fe2O3、CuO、ZrO2、Nb2O5和Li2CO3混合后，煅烧得到多晶，然后将多晶在单晶生长炉内采用提拉法经引晶、缩颈、放肩、收肩及等径生长，拉脱后退火生成晶体，然后经极化得到锆铁铜铌酸锂晶体。本发明的锆铁铜铌酸锂晶体的写入时间为5s～35s，固定衍射效率在5.9％～38％。可用于全息存储领域。

公开(公告)号：CN101671355A

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200910073021.5

申请日：2009-09-30

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 杨春晖 ,  张磊 ,  李季 ,  杨恺 ,  胡成发 ,  葛士彬

IPC: C07F7/18 ,  B01J27/128 ,  B01J23/72

Abstract: 一种采用多级流化床合成三烷氧基硅烷的方法，它涉及一种三烷氧基硅烷的合成方法。本发明解决了现有三烷氧基硅烷的合成工艺中催化剂难以回收、反应效率低、产物不易分离，硅粉与铜系催化剂接触不良、硅铜触体生产率低、反应活性低，及催化剂遇水易失效、产物遇水易水解的问题。本发明的三烷氧基硅烷的合成方法是：一、制备含有不同氯化亚铜质量百分比的硅铜触体；二、将步骤一得到的硅铜触体分级装料至多层流化床反应器中；三、向多级流化床反应器中通入经正硅酸乙酯干燥后的醇气体反应合成得到三烷氧基硅烷。本发明的采用多级流化床合成三烷氧基硅烷的方法三烷氧基硅烷选择性达到95％，反应转化率为95％。

公开(公告)号：CN101092427A

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200710072568.4

申请日：2007-07-25

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张磊 ,  杨春晖

IPC: C07F7/18

Abstract: 一种在水相中制备双－[γ－(三乙氧基硅)丙基]－四硫化物的方法，它涉及一种化合物的制备方法。本发明解决了传统制备双－[γ－(三乙氧基硅)丙基]－四硫化物的方法存在原料价格昂贵且不易储存、生产成本高、容易造成产物水解失效、对操作要求严格、工艺条件不易控制的问题。本发明方法的步骤如下：一、配制缓冲剂；二、合成含多硫化物的无机溶液相；三、合成双－[γ－(三乙氧基硅)丙基]－四硫化物；四、分离、干燥、纯化双－[γ－(三乙氧基硅)丙基]－四硫化物。本发明方法具有原料易贮存、生产成本低、操作简单、工艺条件易控的优点。本发明方法制得产品的纯度高(98％以上)和保存时间长。

公开(公告)号：CN1935649A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200610010599.2

申请日：2006-09-25

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 杨春晖 ,  杨玉林 ,  王晓东 ,  林娟 ,  余勇

IPC: C01B33/029 ,  C30B29/06

Abstract: 采用无氯烷氧基硅烷制备多晶硅的方法，它涉及多晶硅的制备方法。它解决了现有制备多晶硅中是采用高压、高温，需使用价格昂贵的设备以及高稳定性的高合金钢，耗能高，硅烷法为粒状多晶硅表面大、易污染，而且工艺过程中采用了氯化物，对人的危害及设备腐蚀严重的问题。方法为：1.采用工业硅和乙醇为原料通过相互作用来制取三乙氧基硅烷；2.采用吸附或蒸馏提纯法分离三乙氧基硅烷；3.将分离出来的三乙氧基硅烷在常压和60～110℃条件下催化歧化，制取甲硅烷；4.采用吸收或吸附法进行甲硅烷提纯；5.将提纯的甲硅烷在硅芯板底经通过热解后进入反应器制备出多晶硅。本发明制备多晶硅的过程中不采用氯元素，生态性好、能耗低，产品的质量好。

公开(公告)号：CN1664175A

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：CN200410044154.7

申请日：2004-12-22

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 杨春晖 ,  许艳波 ,  王佳 ,  朱崇强

IPC: C30B11/00 ,  C30B11/14 ,  C30B29/40

Abstract: 晶体的可视小角度倾斜区熔生长装置及其生长方法，涉及一种晶体材料的生长装置及其生长方法。现有的生长装置及生长方法存在着结晶体成分沿生长方向不一致的弊端。本发明的生长装置在第二层石英管1－2内第一加热线圈4－1的外部设有第二加热线圈4－2，所述第三层石英管1－3同时与传动装置5连接。本发明的生长方法为，第一加热线圈4－1加热后构成基础温区，第二加热线圈4－2加热后构成高温区，原料与籽晶的接触处处于高温区至熔化后，传动装置5带动石英管及其内部的加热线圈向生长船内的“原料”一端移动，原料依次通过高温区熔化后定向凝固，得到晶体。用本发明装置及方法生长的晶体可以定向生长且晶体组成沿长生方向均匀一致，利于推广应用。

公开(公告)号：CN120073452A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202510202132.0

申请日：2025-02-24

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 雷作涛 ,  孔祥然 ,  冷宏伟 ,  刘涛 ,  朱崇强 ,  杨春晖

IPC: H01S3/00 ,  G02F1/35 ,  G02F1/355 ,  G02F1/39 ,  B28D5/00 ,  C11D7/04 ,  C11D7/60

Abstract: 一种PIT‑OPO中远红外激光变频器件的制备方法，它涉及中远红外激光变频器件的制备方法，它是要解决目前中远红外激光输出缺乏合适频率转换器件的技术问题。本方法：将PIT晶体按方位角为30°、相位匹配角为36°～62°切割成长方体，或者按方位角为0°、相位匹配角为45°～90°切割成长方体，再抛光、清洗、烘干，得到中远红外激光变频器件。用调Q或锁模～2.9μm Er激光器、增益开关或锁模～2.5μm Cr激光器、调Q～2.1μm Ho或～1.9μmTm激光器为入射光源照射该晶体器件，输出覆盖3～5μm或8～14μm的中远红外激光，吸收系数低于0.1cm‑1，可用于中远红外固体激光器中。

公开(公告)号：CN119833602A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202411959690.3

申请日：2024-12-30

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 东立伟 ,  王家钧 ,  刘欣雨 ,  尚云飞 ,  郝树伟 ,  杨春晖

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/58 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M4/62 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/42

Abstract: 一种基于染料敏化的光辅助锂离子电池正极浆料及其制备方法，它涉及锂离子电池正极浆料及其制法。它是要解决现有的光可充电锂离子电池的尺寸大、结构复杂、成本高的技术问题。本发明的正极浆料是在以磷酸铁锂、富镍层状氧化物Li[Ni0.8Co0.1Mn0.1]O2、钴酸锂或锰酸锂为活性物质的正极浆料中添加N719染料、N3染料、黑染料或氧钛酞菁染料。制法：将炭黑加入到染料溶液中，再加入活性物质与聚偏二氟乙烯，搅拌均匀，得到正极浆料；以此浆料制备的正极在光照后容量从135.87mAh g‑1提至144.77mAh g‑1～155.27mAh g‑1，增加了6.55％～14.72％。可用于锂离子电池领域。

公开(公告)号：CN119725757A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411901167.5

申请日：2024-12-23

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 解晶莹 ,  东立伟 ,  牛敏 ,  杨春晖 ,  梁家岩

IPC: H01M10/0569 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0525 ,  H01M4/133 ,  H01M4/134 ,  H01M4/04

Abstract: 一种可实现石墨负极内部嵌锂和表面镀锂的电解液，它涉及电池电解液。它是要解决现有的电解液中的固液界面和电解液体相中离子传输慢，导致快速充电时或长期循环导致的析锂及石墨负极快充时容量骤减的技术问题。本发明的电解液是按锂盐的浓度为0.6～1.0mol/L将锂盐溶解于溶剂中得到的；其中溶剂是按弱溶剂化共溶剂、碳酸乙烯酯与碳酸二乙酯混合而成；所述的弱溶剂化共溶剂是由丙酸甲酯、丙酸乙酯与乙酸乙酯混合而成。本发明的电解液的锂离子迁移数为0.28，比商业电解液中锂离子迁移数高42.8％。在25℃时的离子电导率为17.74mS cm‑1，比商业电解液的离子电导率高18％。可用于电池领域。