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公开(公告)号：CN1935649A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610010599.2
申请日：2006-09-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B33/029 , C30B29/06
Abstract: 采用无氯烷氧基硅烷制备多晶硅的方法，它涉及多晶硅的制备方法。它解决了现有制备多晶硅中是采用高压、高温，需使用价格昂贵的设备以及高稳定性的高合金钢，耗能高，硅烷法为粒状多晶硅表面大、易污染，而且工艺过程中采用了氯化物，对人的危害及设备腐蚀严重的问题。方法为：1.采用工业硅和乙醇为原料通过相互作用来制取三乙氧基硅烷；2.采用吸附或蒸馏提纯法分离三乙氧基硅烷；3.将分离出来的三乙氧基硅烷在常压和60～110℃条件下催化歧化，制取甲硅烷；4.采用吸收或吸附法进行甲硅烷提纯；5.将提纯的甲硅烷在硅芯板底经通过热解后进入反应器制备出多晶硅。本发明制备多晶硅的过程中不采用氯元素，生态性好、能耗低，产品的质量好。
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