公开(公告)号：CN1935649A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200610010599.2

申请日：2006-09-25

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 杨春晖 ,  杨玉林 ,  王晓东 ,  林娟 ,  余勇

IPC: C01B33/029 ,  C30B29/06

Abstract: 采用无氯烷氧基硅烷制备多晶硅的方法，它涉及多晶硅的制备方法。它解决了现有制备多晶硅中是采用高压、高温，需使用价格昂贵的设备以及高稳定性的高合金钢，耗能高，硅烷法为粒状多晶硅表面大、易污染，而且工艺过程中采用了氯化物，对人的危害及设备腐蚀严重的问题。方法为：1.采用工业硅和乙醇为原料通过相互作用来制取三乙氧基硅烷；2.采用吸附或蒸馏提纯法分离三乙氧基硅烷；3.将分离出来的三乙氧基硅烷在常压和60～110℃条件下催化歧化，制取甲硅烷；4.采用吸收或吸附法进行甲硅烷提纯；5.将提纯的甲硅烷在硅芯板底经通过热解后进入反应器制备出多晶硅。本发明制备多晶硅的过程中不采用氯元素，生态性好、能耗低，产品的质量好。

公开(公告)号：CN113394566B

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202110591414.6

申请日：2021-05-28

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 孟繁义 ,  余勇 ,  曲成刚

IPC: H01Q15/00

Abstract: 本发明公开一种基于近场汇聚功能的全金属超材料透镜及其移相量设计方法。所述全金属超材料透镜由多个阵列单元组成，具有不同移相量的阵列单元按照预先设计好的移相量分布规律在XOY平面上进行排列；每个单元包括四层金属层1与三层空气层2，所述四层金属层1与三层空气层2间隔排列组成，所述金属层1包括方形螺旋缝隙，所述每个单元的金属层1为一个方形螺旋缝隙旋转0度、90度、180度及270度，得到中心旋转对称结构。用以解决全金属超材料透镜耐高温和机械稳定性的问题。

公开(公告)号：CN113394566A

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN202110591414.6

申请日：2021-05-28

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 孟繁义 ,  余勇 ,  曲成刚

IPC: H01Q15/00

Abstract: 本发明公开一种基于近场汇聚功能的全金属超材料透镜及其移相量设计方法。所述全金属超材料透镜由多个阵列单元组成，具有不同移相量的阵列单元按照预先设计好的移相量分布规律在XOY平面上进行排列；每个单元包括四层金属层1与三层空气层2，所述四层金属层1与三层空气层2间隔排列组成，所述金属层1包括方形螺旋缝隙，所述每个单元的金属层1为一个方形螺旋缝隙旋转0度、90度、180度及270度，得到中心旋转对称结构。用以解决全金属超材料透镜耐高温和机械稳定性的问题。