-
公开(公告)号：CN101930170A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN201010142457.8
申请日：2010-04-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F7/0751 , G03F7/0046 , G03F7/0048 , G03F7/0752 , G03F7/085 , G03F7/11 , H01L21/0271
Abstract: 本发明提供了用于蚀刻衬底的方法。该方法包括：在衬底上形成图样化感光层；对衬底施加蚀刻化学流体，其中，所述图样化感光层包括粘合增进剂和/或疏水添加剂；去除蚀刻化学流体；以及去除抗蚀剂图样。
-
公开(公告)号：CN101677064A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200910173527.3
申请日：2009-09-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 张庆裕
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/28123 , H01L21/0271 , H01L21/28079 , H01L21/28088 , H01L21/31111 , H01L21/31133 , H01L21/32132 , H01L21/32139 , H01L29/517
Abstract: 一种制造半导体装置的方法，包括形成一第一金属层于一基底上，形成一第二层于该第一金属层上，形成一牺牲层于该第二层上，形成一图案化光致抗蚀剂层于该牺牲层上。施以一第一蚀刻工艺于该基底，通过该图案化光致抗蚀剂层作为一掩模，以图案化该牺牲层，以形成一图案化的牺牲层。施以一第二氢氧化氨-过氧化氢-水混合(APM)溶液于该基底，以图案化该第二层，以形成一图案化的第二层。施以一第三溶液于该基底，以图案化该第一金属层，以及施以一第四湿蚀刻工艺以移除该图案化的牺牲层。本发明的蚀刻时间可变得较长而不会发生剥离的问题。图案化第三层的蚀刻持续时间可降低，并且可因此而消除光致抗蚀剂玻璃的问题。
-
公开(公告)号：CN101676801A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200910138199.3
申请日：2009-05-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/16 , H01L21/027 , H01L21/308
CPC classification number: H01L21/0273 , G03F7/0035 , G03F7/405 , H01L21/3086
Abstract: 一种光刻方法，包括：在基板上形成第一图案化阻剂层，上述第一图案化阻剂层包括至少一个开口；在上述第一图案化阻剂层及上述基板上形成一水溶性聚合物层，藉以在上述第一图案化阻剂层及上述水溶性聚合物层的界面发生反应；以及在上述基板上形成第二图案化阻剂层，其中上述第二图案化阻剂层的至少一部分设置于上述第一图案化阻剂层的至少一个开口内或邻接上述第一图案化阻剂层的至少一部分。然后使用上述第一图案化阻剂层与第二图案化阻剂层作为掩模，并蚀刻上述基板。本发明形成出具有整体强化的抗蚀刻性的阻剂图案，可用于形成次微米半导体装置所需的细粒度图形。使用这些材料导致图案化的阻剂层较不倾向于顶部损失、圆角、以及阻剂图案损伤。
-
公开(公告)号：CN101140420A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200710146930.8
申请日：2007-08-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 张庆裕
IPC: G03F7/075 , G03F7/004 , G03F7/00 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , G03F7/0047 , G03F7/0757 , G03F7/091 , G03F7/094
Abstract: 本发明是有关于一种用于微影图案化的光阻材料及集成电路图案的形成方法，该光阻材料，包括第一材料及分散于第一材料中的第二材料。第二材料能扩散至光阻材料的上表面，且第二材料的蚀刻速率是相异于第一材料的蚀刻速率。该集成电路图案的形成方法，至少包含：形成一下层于一基材上；形成一图案化光阻层于该下层上；利用该图案化光阻层而蚀刻该下层的该顶部；以及利用该顶部而蚀刻该下层的该主体部。
-
公开(公告)号：CN1963673A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200510115208.9
申请日：2005-11-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明是有关于一种浸润式微影曝光设备及方法，适用于在浸润式微影期间实质消除曝光液体中的微气泡。该设备包括光学系统，可透过光罩而将光投射至晶圆上。光学转移室邻近于上述的光学系统，以装载曝光液体。至少一百万赫级超音波板可动地接合在光学转移室，以在曝光液体中产生音波，并可以消除曝光液体中的微气泡。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1955848A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200610150030.6
申请日：2006-10-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供了一种浸润式光刻装置、光刻装置及其洁净方法，所述光刻装置包括：一成像镜片模块、一基板平台、以及一洁净模块。上述基板平台是位于成像镜片模块下方，以握持一基板，而上述洁净模块是用于洁净光刻装置之用，其中该洁净模块是择自超声波单元、洗涤器、流体喷嘴、静电洁净机及上述装置的组合所组成的族群。本发明所述的浸润式光刻装置、光刻装置及其洁净方法，减少了由污染造成的缺陷产生以及良率降低等不良情况。
-
公开(公告)号：CN1940722A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610152429.8
申请日：2006-09-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 张庆裕
IPC: G03F7/004 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: G02B1/111 , G03F7/091 , G03F7/11 , G03F7/2041 , Y10S430/111
Abstract: 本发明是有关一种涂布于光阻层上用于浸润式微影制程的涂布材料以及浸润式微影的方法。该涂布材料包含聚合物和酸，聚合物实质性不溶于浸润式流体，酸用以中和来自光阻层的碱性抑制剂(quencher)。一种浸润式微影的方法，包含：形成一光阻层在一基板上，该光阻层包含一碱性抑制剂；形成一涂布材料层在该光阻层上，其中该涂布材料层包含：一酸，以及一聚合物。本发明能有效的改善和避免水纹缺陷。
-
公开(公告)号：CN1932648A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200610099439.X
申请日：2006-07-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F7/70341
Abstract: 本发明是有关于一种浸润式(Immersion)微影系统与制程。此系统至少包括：具有前表面的成像透镜、位于成像透镜的前表面下方的基材平台、浸润液维持结构，此浸润液维持结构是设置来容纳第一流体，其中第一流体是至少部分地填充在前表面与基材平台上的基材间的空间中。此浸润液维持结构包括第一入口和第二入口其中的至少一者，其中第一入口是位于靠近成像透镜并连接至真空泵系统，第一入口可操作来提供第一流体至前表面与基材之间；第二入口是位于靠近成像透镜，并可操作来提供第二流体至基材上。
-
公开(公告)号：CN119581318A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411440018.3
申请日：2024-10-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , G03F7/004
Abstract: 提供一种形成半导体装置的方法和光阻剂组成分。此方法包括在基板上方形成光阻剂层。光阻剂层包括聚合物和光酸产生剂(PAG)。聚合物包括聚合物主链、化学性键合到聚合物主链的抗蚀刻促进基团、和化学性键合到抗蚀刻促进基团的酸不稳定基团(ALG)。此方法还包括将光阻剂层的一部分曝光于辐射以在曝光部分产生酸，烘烤光阻剂层，导致酸不稳定基团的裂解，以及移除光阻剂层的一部分以形成图案化的光阻剂层。
-
公开(公告)号：CN112327577B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202010771846.0
申请日：2020-08-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及底部抗反射涂料。一种根据本公开的方法包括：提供衬底；在衬底上方沉积底层；在底层上方沉积光致抗蚀剂层；根据图案将光致抗蚀剂层的一部分和底层的一部分曝光于辐射源；烘烤光致抗蚀剂层和底层；以及对光致抗蚀剂层的曝光部分进行显影以将图案转移到光致抗蚀剂层。该底层包括：聚合物主链；极性可切换基团；键合到聚合物主链的可交联基团；以及光酸产生剂。极性可切换基团包括：键合到聚合物主链第一端基、包括氟的第二端基、以及键合在第一端基和第二端基之间的酸不稳定基团。该曝光分解光酸产生剂以生成酸性部分，该酸性部分在烘烤期间将第二端基从聚合物主链分离。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
312
records
(took 0.04 seconds)
