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公开(公告)号：CN107546302B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201710720209.9
申请日：2017-08-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种LED外延结构及其制作方法，所述LED外延结构制作方法包括：提供图形化衬底，图形化衬底包括平面区域和相对于平面区域凸起的凸起结构；在图形化衬底的平面区域外延形成缓冲层，缓冲层与凸起结构之间具有间隙。仅在图形化衬底的平面区域制作缓冲层，而图形化衬底的凸起结构上不设置缓冲层，从而避免图形化衬底的凸起结构上的缓冲层作为后续LED外延材料的成核中心，只保留沿一个方向生长的组分，避免了其他方向生长的成分，从而避免了后续晶核联接及二维生长时，引入高的应力，使得LED外延结构的晶体质量明显提升，避免了不同晶面晶核联接时产生的应力，进而解决了外延材料因应力增加导致的翘曲异常的问题。
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公开(公告)号：CN109037410A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810913923.4
申请日：2018-08-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一发光二极管的半导体芯片及其电流扩展层和制造方法，其中所述半导体芯片包括一衬底、一N型氮化镓层、一电流扩展层、一量子阱层、一P型氮化镓层、一N型电极和一P型电极，所述N型氮化镓层层叠于所述衬底，所述电流扩展层层叠于所述N型氮化镓层，其中所述电流扩展层包括相互层叠的至少一N‑GaN层和至少一U‑GaN层，所述量子阱层层叠于所述电流扩展层，所述P型氮化镓层层叠于所述量子阱层，所述N型电极被电连接于所述电流扩展层，所述P型电极被电连接于所述P型氮化镓层。所述电流扩展层能够削弱所述半导体芯片的纵向电流扩展能力和提高横向电流扩展能力，这样，有利于电流的均匀分布，从而提高所述半导体芯片的发光效率。
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公开(公告)号：CN104319330B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410551820.X
申请日：2014-10-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有高质量InGaN/GaN有源层的LED外延结构生长方法，其中，InxGa1-xN/GaN有源层的生长步骤：在主载气为H2的氛围下，通入Ga源和NH3生长8-15nm的GaN垒层；切换主载气为N2，通入Ga源、In源和NH3，生长2-5nm的InxGa1-xN阱层；关闭Ga源和In源，保持NH3正常通入，停顿InxGa1-xN生长；打开Ga源，生长1-5nm的GaN保护层；切换主载气为H2，通入Ga源和NH3生长8-15nm的GaN垒层；重复二至五的生长步骤1至20个周期。本发明可以获得高质量InGaN/GaN有源层，提高LED发光效率。
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公开(公告)号：CN104393136B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201410599879.6
申请日：2014-10-31
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种提高发光效率的GaN基LED外延片制备方法，包括以下步骤：在衬底上依次生长缓冲层、非故意掺杂层、第一N型掺杂层、第二N型掺杂层、InGaN/GaN多量子阱有源层、电子阻挡层、P型掺杂层及接触层；生长完第一N型掺杂层之后，关闭有机源，减小或者停止NH3通入反应室，在H2或者N2氛围下停顿生长10-200s，获得表面粗糙的第一N型掺杂层。本发明可以同时提高LED内量子效率与外量子效率，且制备方法简单，制备成本较低。
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公开(公告)号：CN208938996U
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201821518538.1
申请日：2018-09-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一发光二极管的半导体芯片及其量子阱层，其中所述半导体芯片包括一衬底和依次层叠于所述衬底的一N型氮化镓层、一量子阱层和一P型氮化镓层以及被电连接于所述N型氮化镓层的一N型电极和被电连接于所述P型氮化镓层的一P型电极，其中其中所述量子阱层包括依次层叠的至少一量子垒和至少一量子阱，所述量子垒和所述量子阱的生长压力不同，通过这样的方式，能够改善所述量子阱和所述量子垒的阱垒界面的晶体质量，以提高所述发光二极管的光效。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN204011467U
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201420021293.7
申请日：2014-01-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开近红外发光二极管，在GaAs或AlGaAs衬底的顶部自下而上依次形成顶部第一型电流扩展层、顶部第一型限制层、顶部有源层、顶部第二型限制层及顶部第二型电流扩展层；在衬底的底部自下而上依次形成第一型隧穿结、第二型隧穿结、底部第二型电流扩展层、底部第二型限制层、底部有源层、底部第一型限制层及底部第一型电流扩展层；所述第二型隧穿结采用多层膜的外延结构，第二型隧穿结的掺杂源为Mg，且掺杂浓度为2.0×1019以上。本实用新型使得近红外发光二极管的发光功率得到较大的提升，且其制造工艺较为简单。
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公开(公告)号：CN204167348U
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201420601588.1
申请日：2014-10-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开一种具有高质量InGaN/GaN有源层的LED外延结构，在衬底上依次生长缓冲层、非故意掺杂层、N型掺杂层、应力平衡层、InxGa1-xN/GaN有源层、空穴注入层、电子阻挡层及P型掺杂层；InxGa1-xN/GaN有源层由多组InxGa1-xN量子阱层及GaN量子垒层构成，其中0.1
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公开(公告)号：CN214254446U
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202120361318.8
申请日：2021-02-07
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种半导体外延结构及LED芯片，通过至少在一势垒层靠近所述第一型半导体层的一侧表面依次设有降温层和深阱层，至少在一势垒层靠近所述第二型半导体层的一侧表面依次设有浅阱层和升温层；其中，所述降温层、升温层用于所述势垒层与势阱层之间的生长温度过渡；所述深阱层、浅阱层用于对所述势垒层的电子限制。通过生长温度的控制，可有效释放势垒层与势阱层之间的应力；同时，在势阱层前后两端进一步形成阱类结构，有利于加强对势垒层的电子限制，从而提高其内量子效率。
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公开(公告)号：CN208938995U
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201820900114.5
申请日：2018-06-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一发光二极管的芯片及其量子阱结构，其中所述发光二极管的芯片包括依次层叠的一衬底、一氮化镓缓冲层、一N型氮化镓层、一量子阱结构、一P型电子阻拦层以及一P型氮化镓层，其中所述量子阱结构包括至少两量子阱层，每个所述量子阱层依次层叠地形成于所述N型氮化镓层，其中至少一个所述量子阱层形成复合阱，通过这样的方式，所述量子阱结构在提供更为密集和均匀的发光量子点的同时增加电子空穴波函数的交迭程度，从而提高所述发光二极管的发光效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN213752740U
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202120003691.6
申请日：2021-01-04
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种半导体外延结构、LED芯片，包括在所述衬底表面依次堆叠N型半导体层、消闸层、有源层、P型半导体层，通过外延结构设计，释放多余的电子，有效提高电子浓度，增加电子隧穿几率，提高晶体质量的同时降低LED的工作电压，提高LED的抗静电能力。
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