一种含有L12有序相的Ni基多层膜的制备方法

    公开(公告)号:CN110983255B

    公开(公告)日:2021-09-21

    申请号:CN201911317464.4

    申请日:2019-12-19

    Abstract: 本发明公开了一种含有L12有序相的Ni基多层膜的制备方法,包括以下步骤:步骤(1):选择厚度为0.5 mm且表面附有500 nm的SiO2的单晶硅片作为基底,清洗、吹干后,准备镀膜。步骤(2):采用直流磁控溅射法,在基体上施加‑60~‑100 V的偏压,预溅射20~30 min,清洗基片。本发明提供的一种含有L12有序相的Ni基多层膜的制备方法,解决了Ni基金属薄膜在600℃温度下或经该温度退火处理后强度不足的问题,本发明操作简单,条件易于控制,重复性好,可用于实际应用,也为研究其他金属多层膜高温力学性能的改善提供了指导作用。

    一种超轻量化C/C-SiC空间反射镜及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN112415644B

    公开(公告)日:2021-06-08

    申请号:CN202011329563.7

    申请日:2020-11-24

    Abstract: 本发明公开了一种超轻量化C/C‑SiC空间反射镜,包括C/C复合材料、包埋于C/C复合材料表面的SiC梯度过渡层,以及设置在SiC梯度过渡层表面的石墨烯‑SiCNWs多维杂化增强CVD‑SiC涂层。本发明还公开了一种超轻量化C/C‑SiC空间反射镜的制备方法的应用。本发明在超轻C/C复合材料表面制备PC‑SiC过渡涂层,降低由于镜面CVD‑SiC涂层与C/C基体热膨胀失配产生的热应力,还通过一步CVD法在包埋SiC涂层表面生长石墨烯缠绕SiC纳米线增强体,即改善了SiCNWs与CVD‑SiC基体之间的界面结合,又借助了石墨烯优异的力学性能提高了单一SiCNWs增强CVD‑SiC光学涂层的效果。

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