一种具有大应变的磁性记忆合金及其制备方法

    公开(公告)号:CN109097610B

    公开(公告)日:2020-06-12

    申请号:CN201810860014.9

    申请日:2018-08-01

    Abstract: 本发明提供一种具有大应变的磁性记忆合金及其制备方法,属于形状记忆合金领域,该合金具有室温条件下外磁场控制产生较大磁致应变的能力,是一种可在室温条件下由外磁场变化驱动马氏体孪晶界迁移以及逆迁移产生可恢复应变的一种磁控形状记忆合金。该合金化学式为:CoxNiyAlzLaj;其中,21.6≤x≤27.9,32.1≤y≤36.7,38.2≤z≤54.6,0.7≤j≤6.7,x+y+z+j=100,x、y、z、j表示摩尔百分比含量。本发明磁性记忆合金与现有材料相比,在记忆合金的基体相中形成了超细的Al3La金属中间相,使合金具有较宽的磁致应变温度范围,较大的磁致应变量以及良好的力学性能,可在室温下使用的高精度驱动器和执行器等领域有重要应用。

    一种高各向异性的磁性记忆合金及其制备方法

    公开(公告)号:CN109055846B

    公开(公告)日:2020-06-12

    申请号:CN201810860173.9

    申请日:2018-08-01

    Abstract: 本发明提供一种高各向异性的磁性记忆合金及其制备方法,属于形状记忆合金领域,该合金具有优异的力学性能和较高的磁晶各向异性,是一种可在室温条件下由外磁场变化驱动马氏体孪晶界迁移以及逆迁移产生可恢复应变的一种高各向异性的磁性记忆合金。该合金化学式为:NixCoyAlzLuj;其中,38.6≤x≤39.7,28.5≤y≤31.6,27.4≤z≤34.2,0.5≤j≤7,x+y+z+j=100,x、y、z、j表示摩尔百分比含量。本发明磁性记忆合金与现有材料相比,在合金的第二相中存在微米级别的Lu2Ni17金属中间相,使合金具有优异的力学性能和较大的磁晶各向异性,可在室温下使用的高精度驱动器和执行器等领域有重要应用。

    一种高各向异性的磁性记忆合金及其制备方法

    公开(公告)号:CN109055846A

    公开(公告)日:2018-12-21

    申请号:CN201810860173.9

    申请日:2018-08-01

    Abstract: 本发明提供一种高各向异性的磁性记忆合金及其制备方法,属于形状记忆合金领域,该合金具有优异的力学性能和较高的磁晶各向异性,是一种可在室温条件下由外磁场变化驱动马氏体孪晶界迁移以及逆迁移产生可恢复应变的一种高各向异性的磁性记忆合金。该合金化学式为:NixCoyAlzLuj;其中,38.6≤x≤39.7,28.5≤y≤31.6,27.4≤z≤34.2,0.5≤j≤7,x+y+z+j=100,x、y、z、j表示摩尔百分比含量。本发明磁性记忆合金与现有材料相比,在合金的第二相中存在微米级别的Lu2Ni17金属中间相,使合金具有优异的力学性能和较大的磁晶各向异性,可在室温下使用的高精度驱动器和执行器等领域有重要应用。

    一种低启动临界应力稀土磁控形状记忆合金及其制备方法

    公开(公告)号:CN105803266A

    公开(公告)日:2016-07-27

    申请号:CN201610208083.2

    申请日:2016-04-05

    Abstract: 本发明提供一种低启动临界应力稀土磁控形状记忆合金及其制备方法,属于记忆合金材料领域,该材料具有室温条件下较弱外磁场控制产生变形的能力,是一种可在室温条件下由强度较小的外磁场变化驱动马氏体孪晶界迁移产生应变的一种新型稀土磁控形状记忆合金。该合金化学式为:CoxNiyAlzCej;其中,18≤x≤43,27≤y≤34,26≤z≤40,1≤j≤15,x+y+z+j=100,x、y、z、j表示摩尔百分比含量。本发明稀土磁性材料与现有材料相比,具有较低的马氏体孪晶迁移启动临界应力,较宽的磁致应变温度范围,较大的磁致应变量以及良好的力学性能,可在室温下使用的微位移器、震动和噪声控制、线性马达、微波器件、机器人等领域有重要应用。

    一种低疲劳的磁性记忆合金及其制备方法

    公开(公告)号:CN110819870A

    公开(公告)日:2020-02-21

    申请号:CN201810931828.7

    申请日:2018-08-10

    Abstract: 本发明提供一种低疲劳的磁性记忆合金及其制备方法,属于形状记忆合金领域,该合金相对于其他磁性形状记忆合金相比具有大磁致应变和长疲劳寿命这两方面的优点。该合金化学式为:NixAlyCozEuj;其中,34.8≤x≤38.9,27.4≤y≤32.5,30.8≤z≤35.6,0.5≤j≤1.0,x+y+z+j=100,x、y、z、j表示摩尔百分比含量。本发明一种低疲劳的磁性记忆合金与现有材料相比,在记忆合金的基体相中形成了共格超细弥散分布的Ni17Eu2金属间化合物,既强化了合金的磁致应变能力又提高了合金的疲劳寿命,使合金具有兼具大磁致应变和长疲劳寿命,大大的拓宽了该类合金的工业应用范围。

    一种具有高功能寿命的磁性记忆合金及其制备方法

    公开(公告)号:CN110819868A

    公开(公告)日:2020-02-21

    申请号:CN201810931826.8

    申请日:2018-08-10

    Abstract: 本发明提供一种具有高功能寿命的磁性记忆合金及其制备方法,属于形状记忆合金领域,该合金与其他磁性形状记忆合金相比具备优良力学性能的和高功能寿命这两方面的优点。该合金化学式为:CoxNiyAlzNdj;其中,31.9≤x≤39.8,30.1≤y≤34.6,29.2≤z≤35.7,0.8≤j≤1.5,x+y+z+j=100,x、y、z、j表示摩尔百分比含量。本发明磁性形状记忆合金与现有材料相比,在记忆合金的第二相周围形成了共格超细的Co7Nd2金属间化合物,在强化第二相力学性能同时大大的提高了其磁性能和抗功能疲劳性能,使合金兼具优良力学性能和高功能寿命,大大的拓宽了该类合金的工业应用范围。

    一种具有大应变的磁性记忆合金及其制备方法

    公开(公告)号:CN109097610A

    公开(公告)日:2018-12-28

    申请号:CN201810860014.9

    申请日:2018-08-01

    Abstract: 本发明提供一种具有大应变的磁性记忆合金及其制备方法,属于形状记忆合金领域,该合金具有室温条件下外磁场控制产生较大磁致应变的能力,是一种可在室温条件下由外磁场变化驱动马氏体孪晶界迁移以及逆迁移产生可恢复应变的一种磁控形状记忆合金。该合金化学式为:CoxNiyAlzLaj;其中,21.6≤x≤27.9,32.1≤y≤36.7,38.2≤z≤54.6,0.7≤j≤6.7,x+y+z+j=100,x、y、z、j表示摩尔百分比含量。本发明磁性记忆合金与现有材料相比,在记忆合金的基体相中形成了超细的Al3La金属中间相,使合金具有较宽的磁致应变温度范围,较大的磁致应变量以及良好的力学性能,可在室温下使用的高精度驱动器和执行器等领域有重要应用。

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