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公开(公告)号：CN112458419B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202011338850.4
申请日：2020-11-25
Applicant: 南京工程学院
Abstract: 本发明公开了一种多元难熔金属元素共掺杂纳米NiAl基合金薄膜的制备方法，通过磁控溅射技术解决了NiAl基合金薄膜在高温下纳米晶热稳定性差、高温力学性能不足问题。本发明还公开了一种多元难熔金属元素共掺杂纳米NiAl基合金薄膜及其应用。本发明通过少量的多元难熔金属元素掺杂，经700℃高温退火后高温纳米硬度可达14.2GPa，平均晶粒尺寸可达26.3nm，满足兼顾良好的高温热稳定性与力学性能的纳米晶NiAl合金薄膜材料的应用需求，本发明为NiAl基薄膜在高温MEMS方面的应用奠定基础。
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公开(公告)号：CN112458419A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011338850.4
申请日：2020-11-25
Applicant: 南京工程学院
Abstract: 本发明公开了一种多元难熔金属元素共掺杂纳米NiAl基合金薄膜的制备方法，通过磁控溅射技术解决了NiAl基合金薄膜在高温下纳米晶热稳定性差、高温力学性能不足问题。本发明还公开了一种多元难熔金属元素共掺杂纳米NiAl基合金薄膜及其应用。本发明通过少量的多元难熔金属元素掺杂，经700℃高温退火后高温纳米硬度可达14.2GPa，平均晶粒尺寸可达26.3nm，满足兼顾良好的高温热稳定性与力学性能的纳米晶NiAl合金薄膜材料的应用需求，本发明为NiAl基薄膜在高温MEMS方面的应用奠定基础。
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公开(公告)号：CN110983255A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911317464.4
申请日：2019-12-19
Applicant: 南京工程学院
Abstract: 本发明公开了一种含有L12有序相的Ni基多层膜的制备方法，包括以下步骤：步骤（1）：选择厚度为0.5 mm且表面附有500 nm的SiO2的单晶硅片作为基底，清洗、吹干后，准备镀膜。步骤（2）：采用直流磁控溅射法，在基体上施加-60~-100 V的偏压，预溅射20~30 min，清洗基片。本发明提供的一种含有L12有序相的Ni基多层膜的制备方法，解决了Ni基金属薄膜在600℃温度下或经该温度退火处理后强度不足的问题，本发明操作简单，条件易于控制，重复性好，可用于实际应用，也为研究其他金属多层膜高温力学性能的改善提供了指导作用。
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公开(公告)号：CN110983255B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201911317464.4
申请日：2019-12-19
Applicant: 南京工程学院
Abstract: 本发明公开了一种含有L12有序相的Ni基多层膜的制备方法，包括以下步骤：步骤（1）：选择厚度为0.5 mm且表面附有500 nm的SiO2的单晶硅片作为基底，清洗、吹干后，准备镀膜。步骤（2）：采用直流磁控溅射法，在基体上施加‑60~‑100 V的偏压，预溅射20~30 min，清洗基片。本发明提供的一种含有L12有序相的Ni基多层膜的制备方法，解决了Ni基金属薄膜在600℃温度下或经该温度退火处理后强度不足的问题，本发明操作简单，条件易于控制，重复性好，可用于实际应用，也为研究其他金属多层膜高温力学性能的改善提供了指导作用。
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