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公开(公告)号：CN101984774B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN200980104006.0
申请日：2009-07-16
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/3202 , H01S2301/14
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其中，具有可在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴方向倾斜的支撑基体的半极性面上实现低阈值电流的激光谐振器。作为激光谐振器的第一及第二断裂面(27)、(29)与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有沿m-n面与半极性主面(17a)的交叉线方向延伸的激光波导。因此，可利用实现低阈值电流的能带跃迁的发光。在激光器结构体(13)中，第一面(13a)为第二面(13b)的相反侧的面。第一及第二断裂面(27)、(29)从第一面(13a)的边缘(13c)延伸至第二面(13b)的边缘(13d)。断裂面(27)、(29)不通过干蚀刻形成，与c面、m面或a面等现有的解理面不同。
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公开(公告)号：CN102696158A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201080060965.X
申请日：2010-11-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/3202 , B82Y20/00 , G01N21/62 , H01S5/0014 , H01S5/0202 , H01S5/1082 , H01S5/1085 , H01S5/20 , H01S5/2009 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴的方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有可实现低阈值电流的激光谐振器、并在用于该激光谐振器的元件端部具有可缩小芯片宽度的端部构造。激光器构造体(13)在一个切断面(27)上具有设于第1面(13a)的边缘(13c)的一部分的凹部(28、30)。凹部(28、30)各自包含残留在各个半导体元件上的刻划痕迹，这些半导体元件通过刻划槽所导引的切断而分离。凹部(28)具有位于第1面(13a)上的端部(28b)，而且凹部(30)具有位于第1面(13a)上的端部(30b)。第1凹部(28)的端部(28b)与激光条纹间的第1间隔(W1)，小于第2凹部(30)的端部(30b)与激光条纹间的第2间隔(W2)。
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公开(公告)号：CN102687293A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201080050469.6
申请日：2010-10-25
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 提供了与电极的接触电阻下降的化合物半导体器件。所述化合物半导体器件包含：包含六方晶系化合物半导体GaN且具有表面S1和S2的n衬底3；形成在所述n衬底3的所述表面S1上的n电极13；具有形成在所述n衬底3的所述表面S2上的n覆盖层5、有源层7、p覆盖层9和接触层11的层叠体；和形成在所述p覆盖层9上的p电极15。在所述n衬底3的所述表面S1上包含的N原子的数目大于在所述表面S1上包含的Ga原子的数目。在所述表面S1上形成的电极为n电极13。所述表面S1的氧浓度为5原子%以下。在所述接触层11的所述表面S3上包含的Ga原子的数目大于在所述表面S3上包含的N原子的数目。在所述表面S3上形成的电极为p电极15。所述表面S3的氧浓度为5原子%以下。
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公开(公告)号：CN102668282A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080059085.0
申请日：2010-11-12
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/1082 , H01S5/1085 , H01S5/16 , H01S5/3202 , H01S2301/14
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴的方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有表现出用于谐振镜的高质量且可实现低阈值电流的激光谐振器。成为激光谐振器的切断面(27、29)与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件11具有在m-n面与半极性面(17a)的交叉线方向延伸的激光波导路。因此，可利用能实现低阈值电流的能带跃迁的发光。切断面(27、29)自第1面(13a)的边缘(13c)延伸至第2面(13b)的边缘(13d)。切断面(27、29)通过在支撑基体背面具有刻划痕迹、以及来自外延面的挤压而形成。切断面(27、29)并非通过干式蚀刻而形成，与c面、m面或者a面等目前为止的解理面不同。
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公开(公告)号：CN102668279A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080058983.4
申请日：2010-11-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/3202 , H01S5/0014 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/1085 , H01S5/16 , H01S5/22 , H01S2301/14
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴的方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有可减少因返回光引起的干扰的激光谐振器。成为激光谐振器的第1及第2切断面(27、29)与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件(11)中，为了利用可实现低阈值电流的能带跃迁的发光，而具有在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸的激光波导路。第1及第2切断面(27、29)自第1面(13a)的边缘(13c)延伸至第2面(13b)的边缘(13d)。切断面(27、29)并非通过干式蚀刻形成，与c面、m面或者a面等目前为止的解理面不同。角度α与角度β不同，角度α与角度β的差为0.1度以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101981237A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN200980111737.8
申请日：2009-05-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/42 , C30B19/12 , H01L21/205 , H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0062 , C30B19/00 , C30B29/40 , H01L21/02395 , H01L21/02463 , H01L21/0251 , H01L21/02546 , H01L21/02628
Abstract: 本发明公开了AlxGa(1-x)As(0≤x≤1)衬底、红外LED用外延晶片、红外LED、制造AlxGa(1-x)As衬底的方法、制造红外LED用外延晶片的方法以及制造红外LED的方法，所述AlxGa(1-x)As衬底能保持高水平的透射性能，并能通过该衬底制造具有优异的光输出特性的半导体器件。具体地，本发明涉及具有AlxGa(1-x)As层(11)的AlxGa(1-x)As衬底(10a)，所述AlxGa(1-x)As层(11)具有主面11a和在所述主面(11a)相反侧的背面(11b)，并且本发明的AlxGa(1-x)As衬底(10a)的特征在于，在所述AlxGa(1-x)As层(11)中，所述背面(11b)中Al的组成比x大于在所述主面(11a)中Al的组成比x。另外，所述AlxGa(1-x)As衬底(10a)还包含与所述AlxGa(1-x)As层(11)的所述背面(11b)接触的GaAs衬底(13)。
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公开(公告)号：CN1624944B
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200410098298.0
申请日：2004-12-03
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/02 , H01L33/0075 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/58 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/01004 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12041 , H01L2924/19041 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 一种发光装置(30)，它具备电阻率0.5Ω·cm或其以下的氮化物半导体基板(1)、位于氮化物半导体基板的第1主表面侧的n型氮化物半导体层(3)、从氮化物半导体基板看位于比n型氮化物半导体层(3)更远的位置上的p型氮化物半导体层(5)和位于n型氮化物半导体层(3)以及p型氮化物半导体层(5)之间的发光层(4)；将氮化物半导体基板(1)以及p型氮化物半导体层(5)的任意一方安装在放出光的上侧，另外将另一方安装在下侧，位于该上侧的电极由1个构成。基板通过氧掺杂使之n型化，该氧浓度在氧原子1E17个/cm3～2E19个/cm3的范围内，基板的厚度为100μm～200μm。由此，能够得到可小型化，另外因结构简单而制造容易，可长期稳定地得到较大的发光效率的发光元件。
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公开(公告)号：CN100524853C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200510022816.5
申请日：2005-12-08
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00 , B60Q1/04 , F21S8/10 , F21W101/10 , F21Y101/02
CPC classification number: H01L33/32 , F21S41/143 , F21S41/155 , F21Y2115/10 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/14 , H01L2224/16245 , H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2924/00011 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 一种车辆的头灯装备有包含一个或多个发光器件(LED)的光源，以及基体部件(底座和后盖)，用以把光源紧固在车辆上。所述发光器件包括：GaN衬底1；在所述GaN衬底1的第一主表面一侧上的n-型AlxGa1-xN层3；位于比所述n-型AlxGa1-xN层3更远离GaN衬底1的p-型AlxGa1-xN层5；以及位于所述n-型AlxGa1-xN层3与p-型AlxGa1-xN层5之间的多量子阱4。在这种发光器件中，所述GaN衬底1的电阻率不大于0.5Ω·cm，朝下安装p-型AlxGa1-xN层5一侧，并从第二主表面1a放出光，所述第二主表面是一个与所述第一主表面相对的GaN衬底1的主表面。
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公开(公告)号：CN1168153C
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN00108556.5
申请日：2000-05-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/40 , H01L33/28 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 一种发光器件(1)包括LED芯片(3)。LED芯片(3)经In或In合金的导电层(9)安装到电极座上。导电层(9)与LED芯片(3)的n型ZnSe晶体基底(7)是欧姆型接触。
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公开(公告)号：CN1472827A
公开(公告)日：2004-02-04
申请号：CN03178443.7
申请日：2003-07-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 片山浩二
IPC: H01L33/00
Abstract: 在发光二极管光出射侧的P电极结构，所述发光二极管包括：(a)n型半导体衬底；(b)依序在所述衬底上形成的n型覆盖层、活性层、p型覆盖层和p型接触层；以及(c)在所述衬底背面上形成的n型电极。所述p电极结构包括：用以扩散电流的网形半透明薄膜金属电极，它形成在所述p型接触层上；以及用于引线连接的连接电极。所述金属电极还有：透射率至少为10％的覆盖部分和由多个窗口形成的开口部分，其开孔比率至少为20％。所述连接电极形成于所述p型接触层的周缘处，并且直接与所述网形半透明薄膜金属电极连接。这种结构增强从p侧出射的输出光的强度。
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