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公开(公告)号：CN111524653B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202010365211.0
申请日：2020-04-30
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明提供了一种第二代高温超导带材的连接方法及超导线，涉及超导电工领域。本发明的连接方法可以不破坏金属基带，同时又能提供氧扩散通道；最终得到的接头在液氮温区具备超导特性。具体的，本发明通过在超导层刻蚀出条纹状微槽提供大范围的氧扩散通道，缩短超导电性恢复时间；经过超导层熔融扩散可以使搭接的两个超导层界面的部分区域熔融并相互扩散紧密连接为一体，实现超导层之间的连接，使接头具备超导特性，形成超导接头。
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公开(公告)号：CN113594348A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202010367418.1
申请日：2020-04-30
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明提供了一种复合超导线及其制备方法与连接方法、一种连接超导线，属于超导电工技术领域。本发明通过高温热处理连接第二代高温超导线的银层，以此完整地将超导层从缓冲层上剥离。剥离后的超导线可再次镀银和重复剥离，从而制备多超导层的复合超导线。与超导层相邻的银层可作为快速的氧扩散通道，保证了复合超导线及其接头后期的超导性能恢复。进一步地，利用金属基带、缓冲层或较厚的银带为银层和超导层提供支撑或隔离，保证了复合超导线及其接头的机械性能。本发明的制备方法使复合超导线具有多层超导层，且具有较高的工程电流密度Je、成本低廉。同时，可以改善连接后的超导层的性能恢复，极大地提高超导接头的临界电流与制备效率。
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公开(公告)号：CN113121234A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110381401.6
申请日：2021-04-09
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: C04B35/547 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/645 , C04B41/87 , H01L35/18 , H01L35/34
Abstract: 本发明提供了一种具有高温稳定性的Mg3Sb2基热电材料及其制备方法，涉及热电材料技术领域。本发明提供的Mg3Sb2基热电材料包括Mg3～3.2Sb1.5Bi0.5‑xTex热电块体材料和沉积在所述Mg3～3.2Sb1.5Bi0.5‑xTex热电块体材料表面的氮化硼涂层；0＜x≤0.06。本发明在Mg3Sb2基热电材料中引入氮化硼涂层，Mg3Sb2基热电材料在氮化硼涂层的保护下热电性能在高温下非常稳定，可以有效抑制高温下的Mg损失，大大提高Mg3Sb2基热电材料的工作温度，并因此保证了其在高温下热电转换效率。本发明提供的Mg3Sb2基热电材料即使在500℃高温下热电性能也非常稳定。
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公开(公告)号：CN111106453A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201911250570.5
申请日：2019-12-09
Applicant: 东部超导科技(苏州)有限公司 , 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明涉及一种第二代高温超导带材的连接方法及超导线，连接方法包括以下步骤：去除保护层：去除第二代高温超导带材的待连接区域的部分区域银层，使剩余银层和裸露出的超导层间隔分布；银层扩散焊：将至少两根经过去除保护层步骤处理的第二代高温超导带材的待连接区域两两搭接形成搭接区域，使彼此的剩余银层重合接触，然后夹住搭接区域，对银层进行扩散焊；超导层熔融扩散焊；以及超导电性恢复。本发明所述方法可以不破坏超导层结构，同时又能提供氧扩散通道，制备的超导接头在液氮温区具备超导特性的同时还具有较高的机械强度，同时剩余银层也可通过电流，使得超导接头还具有一定的失超保护能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109560439A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811340868.0
申请日：2018-11-12
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明属于超导电工技术领域，具体涉及一种高温超导带接头的制备方法。本发明将超导带材的待焊接区域的铜保护层用硝酸银溶液刻蚀至2-5μm，刻蚀后的区域涂抹焊料并进行焊接，这种方法可以去除铜层表面的氧化层、降低接头处超导层之间的电流路径和增加铜层表面粗糙度，在一定程度上缩短了接头处两个超导层之间的电流路径从而降低接头电阻率，降低了接头相对原始带材在结构上的不对称性，增加了层间的连接强度。使接头同时具备非常好的机械性能和电学性能，本发明制备方法简单，利于规模化应用。
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公开(公告)号：CN109554674A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811453087.2
申请日：2018-11-28
Applicant: 中国科学院电工研究所 , 国合通用测试评价认证股份公司
Abstract: 一种具有异质结构的碲化铋热电薄膜的制备方法，采用磁控溅射法制备碲化铋热电薄膜。首先安装碲化铋(Bi2Te3)合金靶及碲(Te)单质靶，然后把清洗过的氧化镁(MgO)单晶固定在基片台上；调整碲化铋合金靶与氧化镁单晶衬底之间的距离为120mm～140mm，调整碲单质靶与氧化镁单晶衬底之间的距离为110mm～150mm，抽真空至4×10-4Pa～6×10-4Pa；再对氧化镁(MgO)基片加热至320℃～400℃，通入氩气(Ar)，在工作气压为1Pa～3Pa的条件下分别打开直流电源和射频电源，设置直流电源功率为20W～25W，射频电源功率为25W～40W，然后通过共溅射开始镀膜；最后对溅射的薄膜在350℃～450℃下退火处理，形成具有异质结构的碲化铋热电薄膜。
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公开(公告)号：CN106653993A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611006895.5
申请日：2016-11-10
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01L39/24
CPC classification number: H01L39/24
Abstract: 一种多层结构钇钡铜氧超导厚膜的制备方法。其制备步骤如下：首先配制钇钡铜氧(YBCO)前驱液，按照Y:Ba:Cu＝1:2:3的摩尔比将乙酸钇、三氟乙酸钡和乙酸铜溶解于去离子水和丙酸的混合溶液中，通过真空旋转蒸发仪将溶液减压提纯成为蓝色凝胶；接着加入甲醇，重复搅拌和减压提纯过程若干次，最后将蓝色凝胶溶解于适量甲醇配制成浓度为1.5‑2.0mol/L的YBCO前驱液；然后，配制钛酸钙前驱液，将四水合硝酸钙溶解于冰醋酸和2‑甲氧基乙醇的混合溶液中。按照Ti：Ca＝1:1的摩尔比将钛酸四丁酯添加到溶液中得到浓度为0.3‑0.9mol/L的CaTiO3(CTO)前驱液。最后，进行前驱液的涂覆和热处理，通过前驱液涂覆和热处理，将YBCO薄膜和CaTiO3薄膜交替沉积于单晶衬底上，制备出YBCO/CaTiO3多层结构的超导厚膜。
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公开(公告)号：CN209562521U
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201920352622.9
申请日：2019-03-20
Applicant: 中国科学院电工研究所 , 郑州科之诚机床工具有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种基于金刚石材料基体的声表面波器件。包括金刚石材料基体、图形化压电材料以及电极；所述金刚石材料基体用于声表面波的传输；所述图形化压电材料设置在所述金刚石材料基体上，所述图形化压电材料用于微波-声波之间的转换；所述图形化压电材料的厚度为谐振体声波波长的1/2；所述电极设置在所述图形化压电材料上，所述电极用于微波的输入输出；相邻所述电极的极性相反。本实用新型利用金刚石材料为器件的主要声传播介质，进而实现非常低的器件损耗。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209017001U
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201822082080.6
申请日：2018-12-12
Applicant: 中国科学院电工研究所 , 郑州科之诚机床工具有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种新型声表面波或横波激励体声波微波器件芯片结构，该芯片结构包括：声表面波或横波激励体声波微波器件芯片电路和芯片基体，芯片基体上设置有第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽内填充有第一压电材料，第一压电材料上设置有第一电极，第一电极的一端和第一压电材料相连，另一端和芯片电路的信号输入端相连；第二凹槽内填充有第二压电材料，第二压电材料上设置有第二电极，第二电极的一端和第二压电材料相连，另一端和芯片电路的信号输出端相连。本实用新型提供的一种新型声表面波或横波激励体声波微波器件芯片结构，降低了器件的传输损耗及微波插入损耗，提高了器件的频率及品质因数等性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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