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公开(公告)号：CN110166019B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN201910211047.5
申请日：2019-03-20
Applicant: 中国科学院电工研究所 , 河南科之诚第三代半导体碳基芯片有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于金刚石材料基体的声表面波器件。包括金刚石材料基体、图形化压电材料以及电极；所述金刚石材料基体用于声表面波的传输；所述图形化压电材料设置在所述金刚石材料基体上，所述图形化压电材料用于微波‑声波之间的转换；所述图形化压电材料的厚度为谐振体声波波长的1/2；所述电极设置在所述图形化压电材料上，所述电极用于微波的输入输出；相邻所述电极的极性相反。本发明利用金刚石材料为器件的主要声传播介质，进而实现非常低的器件损耗。
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公开(公告)号：CN110166019A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910211047.5
申请日：2019-03-20
Applicant: 中国科学院电工研究所 , 郑州科之诚机床工具有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于金刚石材料基体的声表面波器件。包括金刚石材料基体、图形化压电材料以及电极；所述金刚石材料基体用于声表面波的传输；所述图形化压电材料设置在所述金刚石材料基体上，所述图形化压电材料用于微波-声波之间的转换；所述图形化压电材料的厚度为谐振体声波波长的1/2；所述电极设置在所述图形化压电材料上，所述电极用于微波的输入输出；相邻所述电极的极性相反。本发明利用金刚石材料为器件的主要声传播介质，进而实现非常低的器件损耗。
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公开(公告)号：CN109560439A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811340868.0
申请日：2018-11-12
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明属于超导电工技术领域，具体涉及一种高温超导带接头的制备方法。本发明将超导带材的待焊接区域的铜保护层用硝酸银溶液刻蚀至2-5μm，刻蚀后的区域涂抹焊料并进行焊接，这种方法可以去除铜层表面的氧化层、降低接头处超导层之间的电流路径和增加铜层表面粗糙度，在一定程度上缩短了接头处两个超导层之间的电流路径从而降低接头电阻率，降低了接头相对原始带材在结构上的不对称性，增加了层间的连接强度。使接头同时具备非常好的机械性能和电学性能，本发明制备方法简单，利于规模化应用。
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公开(公告)号：CN109554674A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811453087.2
申请日：2018-11-28
Applicant: 中国科学院电工研究所 , 国合通用测试评价认证股份公司
Abstract: 一种具有异质结构的碲化铋热电薄膜的制备方法，采用磁控溅射法制备碲化铋热电薄膜。首先安装碲化铋(Bi2Te3)合金靶及碲(Te)单质靶，然后把清洗过的氧化镁(MgO)单晶固定在基片台上；调整碲化铋合金靶与氧化镁单晶衬底之间的距离为120mm～140mm，调整碲单质靶与氧化镁单晶衬底之间的距离为110mm～150mm，抽真空至4×10-4Pa～6×10-4Pa；再对氧化镁(MgO)基片加热至320℃～400℃，通入氩气(Ar)，在工作气压为1Pa～3Pa的条件下分别打开直流电源和射频电源，设置直流电源功率为20W～25W，射频电源功率为25W～40W，然后通过共溅射开始镀膜；最后对溅射的薄膜在350℃～450℃下退火处理，形成具有异质结构的碲化铋热电薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109412548B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN201811516164.4
申请日：2018-12-12
Applicant: 中国科学院电工研究所 , 河南科之诚第三代半导体碳基芯片有限公司
Abstract: 本发明公开了一种新型声表面波或横波激励体声波微波器件芯片结构，该芯片结构包括：声表面波或横波激励体声波微波器件芯片电路和芯片基体，芯片基体上设置有第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽内填充有第一压电材料，第一压电材料上设置有第一电极，第一电极的一端和第一压电材料相连，另一端和芯片电路的信号输入端相连；第二凹槽内填充有第二压电材料，第二压电材料上设置有第二电极，第二电极的一端和第二压电材料相连，另一端和芯片电路的信号输出端相连。本发明提供的一种新型声表面波或横波激励体声波微波器件芯片结构，降低了器件的传输损耗及微波插入损耗，提高了器件的频率及品质因数等性能。
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公开(公告)号：CN109412548A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811516164.4
申请日：2018-12-12
Applicant: 中国科学院电工研究所 , 郑州科之诚机床工具有限公司
Abstract: 本发明公开了一种新型声表面波或横波激励体声波微波器件芯片结构，该芯片结构包括：声表面波或横波激励体声波微波器件芯片电路和芯片基体，芯片基体上设置有第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽内填充有第一压电材料，第一压电材料上设置有第一电极，第一电极的一端和第一压电材料相连，另一端和芯片电路的信号输入端相连；第二凹槽内填充有第二压电材料，第二压电材料上设置有第二电极，第二电极的一端和第二压电材料相连，另一端和芯片电路的信号输出端相连。本发明提供的一种新型声表面波或横波激励体声波微波器件芯片结构，降低了器件的传输损耗及微波插入损耗，提高了器件的频率及品质因数等性能。
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公开(公告)号：CN107871936A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710904335.X
申请日：2017-09-29
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 一种第二代高温超导带材接头的制备方法。首先去除第二代高温超导带材的银稳定层，然后采用钇钡铜氧的前驱液涂覆在去除银后的第二代高温超导带材上，两根超导带材的超导层对压后放入管式炉中进行低温热处理，形成无定型的前驱膜并排出有害的残余物质。然后在800～900℃、湿润的氩气和氧气氛围下进行高温热处理，最后进行吸氧处理，制备出具有完全呈超导态的第二代高温超导带材接头。
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公开(公告)号：CN209562521U
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201920352622.9
申请日：2019-03-20
Applicant: 中国科学院电工研究所 , 郑州科之诚机床工具有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种基于金刚石材料基体的声表面波器件。包括金刚石材料基体、图形化压电材料以及电极；所述金刚石材料基体用于声表面波的传输；所述图形化压电材料设置在所述金刚石材料基体上，所述图形化压电材料用于微波-声波之间的转换；所述图形化压电材料的厚度为谐振体声波波长的1/2；所述电极设置在所述图形化压电材料上，所述电极用于微波的输入输出；相邻所述电极的极性相反。本实用新型利用金刚石材料为器件的主要声传播介质，进而实现非常低的器件损耗。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209017001U
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201822082080.6
申请日：2018-12-12
Applicant: 中国科学院电工研究所 , 郑州科之诚机床工具有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种新型声表面波或横波激励体声波微波器件芯片结构，该芯片结构包括：声表面波或横波激励体声波微波器件芯片电路和芯片基体，芯片基体上设置有第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽内填充有第一压电材料，第一压电材料上设置有第一电极，第一电极的一端和第一压电材料相连，另一端和芯片电路的信号输入端相连；第二凹槽内填充有第二压电材料，第二压电材料上设置有第二电极，第二电极的一端和第二压电材料相连，另一端和芯片电路的信号输出端相连。本实用新型提供的一种新型声表面波或横波激励体声波微波器件芯片结构，降低了器件的传输损耗及微波插入损耗，提高了器件的频率及品质因数等性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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