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公开(公告)号：CN109554674A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811453087.2
申请日：2018-11-28
Applicant: 中国科学院电工研究所 , 国合通用测试评价认证股份公司
Abstract: 一种具有异质结构的碲化铋热电薄膜的制备方法，采用磁控溅射法制备碲化铋热电薄膜。首先安装碲化铋(Bi2Te3)合金靶及碲(Te)单质靶，然后把清洗过的氧化镁(MgO)单晶固定在基片台上；调整碲化铋合金靶与氧化镁单晶衬底之间的距离为120mm～140mm，调整碲单质靶与氧化镁单晶衬底之间的距离为110mm～150mm，抽真空至4×10-4Pa～6×10-4Pa；再对氧化镁(MgO)基片加热至320℃～400℃，通入氩气(Ar)，在工作气压为1Pa～3Pa的条件下分别打开直流电源和射频电源，设置直流电源功率为20W～25W，射频电源功率为25W～40W，然后通过共溅射开始镀膜；最后对溅射的薄膜在350℃～450℃下退火处理，形成具有异质结构的碲化铋热电薄膜。
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公开(公告)号：CN106498354B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201610829115.0
申请日：2016-09-18
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 一种制备六角螺旋形貌碲化铋热电薄膜的方法，采用磁控溅射法制备碲化铋热电薄膜。首先清洗磁控溅射设备腔体，再安装碲化铋(Bi2Te3)合金靶以及碲(Te)单质靶，然后把清洗过的石英玻璃衬底固定在基底上；调整碲化铋合金靶与石英玻璃衬底之间的距离为100mm～120mm，调整碲单质靶与石英玻璃衬底之间的距离为130mm～140mm，抽真空至5×10‑4Pa～7.5×10‑4Pa；再对石英玻璃衬底加热至300℃～400℃，通入氩气(Ar)，在工作气压为0.3Pa～0.5Pa的条件分别打开直流源和射频源，设置直流源功率为18W，射频源功率为18W～20W，然后通过共溅射开始镀膜；最后将溅射的薄膜在250℃～350℃下退火处理，形成具有六角螺旋形貌的碲化铋热电薄膜。
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公开(公告)号：CN105386020A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510706281.7
申请日：2015-10-27
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: C23C20/08
Abstract: 一种钇钡铜氧高温超导带材的制备方法。首先把乙酸钡和钛酸四丁酯按照Ba：Ti＝1：1的摩尔比混合溶于乙二醇甲醚、冰醋酸和乙酰丙酮的混合溶液中，搅拌均匀后制成Ba和Ti两种金属离子总浓度为0.1-0.3mol/L的前驱液；然后将前驱液涂覆在NiW合金基带上；涂覆好的薄膜经历热处理获得具有双轴织构的钛酸钡(BaTiO3)薄膜；然后在BaTiO3缓冲层上采用化学溶液法制备YBa2Cu3O7-x(YBCO)超导层，制备出结构为NiW/BaTiO3/YBCO的高温超导带材。
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公开(公告)号：CN109560439A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811340868.0
申请日：2018-11-12
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明属于超导电工技术领域，具体涉及一种高温超导带接头的制备方法。本发明将超导带材的待焊接区域的铜保护层用硝酸银溶液刻蚀至2-5μm，刻蚀后的区域涂抹焊料并进行焊接，这种方法可以去除铜层表面的氧化层、降低接头处超导层之间的电流路径和增加铜层表面粗糙度，在一定程度上缩短了接头处两个超导层之间的电流路径从而降低接头电阻率，降低了接头相对原始带材在结构上的不对称性，增加了层间的连接强度。使接头同时具备非常好的机械性能和电学性能，本发明制备方法简单，利于规模化应用。
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公开(公告)号：CN106653993A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611006895.5
申请日：2016-11-10
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01L39/24
CPC classification number: H01L39/24
Abstract: 一种多层结构钇钡铜氧超导厚膜的制备方法。其制备步骤如下：首先配制钇钡铜氧(YBCO)前驱液，按照Y:Ba:Cu＝1:2:3的摩尔比将乙酸钇、三氟乙酸钡和乙酸铜溶解于去离子水和丙酸的混合溶液中，通过真空旋转蒸发仪将溶液减压提纯成为蓝色凝胶；接着加入甲醇，重复搅拌和减压提纯过程若干次，最后将蓝色凝胶溶解于适量甲醇配制成浓度为1.5‑2.0mol/L的YBCO前驱液；然后，配制钛酸钙前驱液，将四水合硝酸钙溶解于冰醋酸和2‑甲氧基乙醇的混合溶液中。按照Ti：Ca＝1:1的摩尔比将钛酸四丁酯添加到溶液中得到浓度为0.3‑0.9mol/L的CaTiO3(CTO)前驱液。最后，进行前驱液的涂覆和热处理，通过前驱液涂覆和热处理，将YBCO薄膜和CaTiO3薄膜交替沉积于单晶衬底上，制备出YBCO/CaTiO3多层结构的超导厚膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104446434A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410655333.8
申请日：2014-11-17
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: C04B35/45 , C04B35/622 , H01B12/00
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 一种制备钇钡铜氧高温超导膜的方法。首先按照Y：Ba：Cu＝1：2：3的摩尔比称取乙酸钇Y(CH3COO)3、乙酸钡Ba(CH3COO)2和乙酸铜Cu(CH3COO)2；把乙酸钇和乙酸铜混合溶于10-20mol℅丙酸的去离子水溶液中，搅拌均匀后真空蒸干溶剂得到凝胶1；把乙酸钡溶于三氟乙酸、丙酸和去离子水的混合溶液中，其中三氟乙酸与乙酸钡的摩尔比为1:3，搅拌均匀后真空蒸干溶剂得到凝胶2；凝胶1和凝胶2中混合后加入甲醇，搅拌均匀后加入氨水，调节溶液的pH为5-7；将溶液真空蒸干溶剂得到凝胶，加入甲醇和松油醇，制成Y、Ba和Cu三种金属离子总浓度为1.0-2.0mol/L的前驱液；然后将前驱液涂覆在基片上；涂覆好的薄膜先经300℃-500℃ 1小时的快速低温热处理过程；再经750℃-850℃高温热处理和450℃-550℃的退火过程，形成YBCO超导膜。
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公开(公告)号：CN109412548B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN201811516164.4
申请日：2018-12-12
Applicant: 中国科学院电工研究所 , 河南科之诚第三代半导体碳基芯片有限公司
Abstract: 本发明公开了一种新型声表面波或横波激励体声波微波器件芯片结构，该芯片结构包括：声表面波或横波激励体声波微波器件芯片电路和芯片基体，芯片基体上设置有第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽内填充有第一压电材料，第一压电材料上设置有第一电极，第一电极的一端和第一压电材料相连，另一端和芯片电路的信号输入端相连；第二凹槽内填充有第二压电材料，第二压电材料上设置有第二电极，第二电极的一端和第二压电材料相连，另一端和芯片电路的信号输出端相连。本发明提供的一种新型声表面波或横波激励体声波微波器件芯片结构，降低了器件的传输损耗及微波插入损耗，提高了器件的频率及品质因数等性能。
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公开(公告)号：CN109412548A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811516164.4
申请日：2018-12-12
Applicant: 中国科学院电工研究所 , 郑州科之诚机床工具有限公司
Abstract: 本发明公开了一种新型声表面波或横波激励体声波微波器件芯片结构，该芯片结构包括：声表面波或横波激励体声波微波器件芯片电路和芯片基体，芯片基体上设置有第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽内填充有第一压电材料，第一压电材料上设置有第一电极，第一电极的一端和第一压电材料相连，另一端和芯片电路的信号输入端相连；第二凹槽内填充有第二压电材料，第二压电材料上设置有第二电极，第二电极的一端和第二压电材料相连，另一端和芯片电路的信号输出端相连。本发明提供的一种新型声表面波或横波激励体声波微波器件芯片结构，降低了器件的传输损耗及微波插入损耗，提高了器件的频率及品质因数等性能。
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公开(公告)号：CN106399937B
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201610436198.7
申请日：2016-06-17
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 一种制备择优取向碲化铋热电薄膜的方法，采用磁控溅射法制备碲化铋热电薄膜。首先安装碲化铋(Bi2Te3)合金靶，然后把清洗过的氧化镁(MgO)单晶放在衬底上；调整靶基距至100mm～140mm，抽真空至5x10‑4Pa～7.5x10‑4Pa；再对氧化镁(MgO)基片加热至350℃～450℃，通入氩气(Ar)，在工作气压为0.3Pa～0.5Pa的条件下开始溅射镀膜；最后对溅射的薄膜在250℃～350℃的退火处理，形成择优取向碲化铋热电薄膜。
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公开(公告)号：CN105386020B
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201510706281.7
申请日：2015-10-27
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: C23C20/08
Abstract: 一种钇钡铜氧高温超导带材的制备方法。首先把乙酸钡和钛酸四丁酯按照Ba：Ti＝1：1的摩尔比混合溶于乙二醇甲醚、冰醋酸和乙酰丙酮的混合溶液中，搅拌均匀后制成Ba和Ti两种金属离子总浓度为0.1‑0.3mol/L的前驱液；然后将前驱液涂覆在NiW合金基带上；涂覆好的薄膜经历热处理获得具有双轴织构的钛酸钡(BaTiO3)薄膜；然后在BaTiO3缓冲层上采用化学溶液法制备YBa2Cu3O7‑x(YBCO)超导层，制备出结构为NiW/BaTiO3/YBCO的高温超导带材。
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