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公开(公告)号：CN110660898A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910956453.4
申请日：2019-10-10
Applicant: 中国科学院电工研究所 , 国合通用测试评价认证股份公司
Abstract: 本发明提供了一种柔性热电薄膜的制备方法，属于功能性薄膜技术领域。本发明提供的制备方法包括如下步骤：(1)将硝酸铋、亚硒酸钠和乙二醇混合后，在保护气氛中进行还原反应，然后加入异丙醇进行沉淀反应，再依次经清洗和干燥，得到硒化铋粉体；所述硝酸铋和亚硒酸钠的摩尔比为2:3；(2)在保护气的气流中，将所述硒化铋粉体在300～350℃进行热处理，得到高纯硒化铋粉体；(3)将所述高纯硒化铋粉体、PVDF和溶剂混合后依次经铸膜和干燥，得到柔性热电薄膜。本发明采用化学溶液法和流延法结合即可得到柔性热电薄膜，该方法所需设备简单，制备条件温和，在常压即可完成，易于操控。
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公开(公告)号：CN109554674A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811453087.2
申请日：2018-11-28
Applicant: 中国科学院电工研究所 , 国合通用测试评价认证股份公司
Abstract: 一种具有异质结构的碲化铋热电薄膜的制备方法，采用磁控溅射法制备碲化铋热电薄膜。首先安装碲化铋(Bi2Te3)合金靶及碲(Te)单质靶，然后把清洗过的氧化镁(MgO)单晶固定在基片台上；调整碲化铋合金靶与氧化镁单晶衬底之间的距离为120mm～140mm，调整碲单质靶与氧化镁单晶衬底之间的距离为110mm～150mm，抽真空至4×10-4Pa～6×10-4Pa；再对氧化镁(MgO)基片加热至320℃～400℃，通入氩气(Ar)，在工作气压为1Pa～3Pa的条件下分别打开直流电源和射频电源，设置直流电源功率为20W～25W，射频电源功率为25W～40W，然后通过共溅射开始镀膜；最后对溅射的薄膜在350℃～450℃下退火处理，形成具有异质结构的碲化铋热电薄膜。
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公开(公告)号：CN110660898B
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN201910956453.4
申请日：2019-10-10
Applicant: 中国科学院电工研究所 , 国合通用测试评价认证股份公司
IPC: H10N10/01 , H10N10/852 , H10N10/10
Abstract: 本发明提供了一种柔性热电薄膜的制备方法，属于功能性薄膜技术领域。本发明提供的制备方法包括如下步骤：(1)将硝酸铋、亚硒酸钠和乙二醇混合后，在保护气氛中进行还原反应，然后加入异丙醇进行沉淀反应，再依次经清洗和干燥，得到硒化铋粉体；所述硝酸铋和亚硒酸钠的摩尔比为2:3；(2)在保护气的气流中，将所述硒化铋粉体在300～350℃进行热处理，得到高纯硒化铋粉体；(3)将所述高纯硒化铋粉体、PVDF和溶剂混合后依次经铸膜和干燥，得到柔性热电薄膜。本发明采用化学溶液法和流延法结合即可得到柔性热电薄膜，该方法所需设备简单，制备条件温和，在常压即可完成，易于操控。
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公开(公告)号：CN109412548B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN201811516164.4
申请日：2018-12-12
Applicant: 中国科学院电工研究所 , 河南科之诚第三代半导体碳基芯片有限公司
Abstract: 本发明公开了一种新型声表面波或横波激励体声波微波器件芯片结构，该芯片结构包括：声表面波或横波激励体声波微波器件芯片电路和芯片基体，芯片基体上设置有第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽内填充有第一压电材料，第一压电材料上设置有第一电极，第一电极的一端和第一压电材料相连，另一端和芯片电路的信号输入端相连；第二凹槽内填充有第二压电材料，第二压电材料上设置有第二电极，第二电极的一端和第二压电材料相连，另一端和芯片电路的信号输出端相连。本发明提供的一种新型声表面波或横波激励体声波微波器件芯片结构，降低了器件的传输损耗及微波插入损耗，提高了器件的频率及品质因数等性能。
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公开(公告)号：CN113594348B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202010367418.1
申请日：2020-04-30
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明提供了一种复合超导线及其制备方法与连接方法、一种连接超导线，属于超导电工技术领域。本发明通过高温热处理连接第二代高温超导线的银层，以此完整地将超导层从缓冲层上剥离。剥离后的超导线可再次镀银和重复剥离，从而制备多超导层的复合超导线。与超导层相邻的银层可作为快速的氧扩散通道，保证了复合超导线及其接头后期的超导性能恢复。进一步地，利用金属基带、缓冲层或较厚的银带为银层和超导层提供支撑或隔离，保证了复合超导线及其接头的机械性能。本发明的制备方法使复合超导线具有多层超导层，且具有较高的工程电流密度Je、成本低廉。同时，可以改善连接后的超导层的性能恢复，极大地提高超导接头的临界电流与制备效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118039287A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410256770.6
申请日：2024-03-07
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01F6/06
Abstract: 本发明公开了一种环形高温超导磁体，包括线圈组件和主体骨架，其中，线圈组件为一体式结构，线圈组件包括超导线圈和超导端点，将REBCO高温超导带材的中部沿长度方向的中线切割得到两分带材，REBCO高温超导带材的两端未被切割部分形成超导端点，两分带材与两超导端点形成闭环结构，主体骨架为环形并由无磁材质制成，超导线圈绕设于主体骨架上，且全部的超导线圈围成与主体骨架同轴的环状结构，以形成环形磁场。本发明的线圈组件由REBCO高温超导带材切割形成闭环结构并绕制而成，实现了第二代高温超导无接头，零电阻闭环运行，形成稳定的环形磁场，在达到相同目标磁场时，磁体体积更小更紧凑，提升了环形高温超导磁体的适应性。
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公开(公告)号：CN115692012A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211397348.X
申请日：2022-11-09
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明公开一种第二代高温超导带材闭合线圈的制备方法及闭合磁体，属于高温超导应用技术领域。制备方法包括：将超导带材绕制成超导线圈，并预留出其两端作为两个待连接接头；去除接头的保护层，使超导层裸露出来；在超导层上涂覆前驱液；以第一设定温度对超导线圈进行热处理，使涂覆的前驱液变为凝胶；在凝胶上制备出凹凸相间的沟道；将两个待连接接头通过沟道进行搭接，并以第二设定温度对超导线圈进行热处理，使凝胶变为四方相晶体；在氧气氛围下对超导线圈进行退火处理，使四方相晶体变为正交相晶体；将两个具有正交相晶体的待连接接头进行桥接，得到闭合线圈。基于本发明提供的制备方法得到的闭合磁体能够实现无衰减的闭环运行。
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公开(公告)号：CN114388259A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210037012.6
申请日：2022-01-13
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01F41/094 , H01F6/06
Abstract: 本发明涉及一种无接头多饼线圈绕线机。该绕线机包括第一绕线装置、第二绕线装置、张力传感器、控制器以及桌台架；所述第一绕线装置与所述第二绕线装置结构相同，且相对设置；所述张力传感器与所述控制器连接，并压在超导带材上；所述张力传感器用于测量超导带材的张力，并将所述张力发送至所述控制器；所述控制器、所述第一绕线装置以及第二绕线装置均设置在所述桌台架上；所述控制器用于在绕制过程中根据所述张力对所述第一绕线装置与所述第二绕线装置进行张力控制，并调节所述第一绕线装置与所述第二绕线装置绕线的相对位置。本发明能够实现无接头多饼线圈的绕制。
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公开(公告)号：CN111533551A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010384586.1
申请日：2020-05-08
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: C04B35/45 , C04B35/624 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B41/80 , C23C18/12
Abstract: 本发明提供了一种YBCO超导薄膜及其制备方法，属于第二代高温超导带材领域。本发明通过采用三氟乙酸盐-金属有机沉积法制备含有纳米钛酸钡的YBCO超导薄膜，本发明在含有三氟乙酸钇、三氟乙酸钡和三氟乙酸铜的前驱液中添加松油醇和乙酰丙酮钛，再经过低温热分解和高温烧结后，制备了含有纳米棒状钛酸钡的四方相YBCO膜，然后经过退火处理，再采用氢质子轰击，在YBCO超导薄膜前体内部产生非常均匀的纳米点，利用纳米棒状的钛酸钡与氢质子轰击产生的纳米点两种不同结构的纳米相的协同作用，提高了YBCO膜的临界电流密度。
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公开(公告)号：CN109412548A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811516164.4
申请日：2018-12-12
Applicant: 中国科学院电工研究所 , 郑州科之诚机床工具有限公司
Abstract: 本发明公开了一种新型声表面波或横波激励体声波微波器件芯片结构，该芯片结构包括：声表面波或横波激励体声波微波器件芯片电路和芯片基体，芯片基体上设置有第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽内填充有第一压电材料，第一压电材料上设置有第一电极，第一电极的一端和第一压电材料相连，另一端和芯片电路的信号输入端相连；第二凹槽内填充有第二压电材料，第二压电材料上设置有第二电极，第二电极的一端和第二压电材料相连，另一端和芯片电路的信号输出端相连。本发明提供的一种新型声表面波或横波激励体声波微波器件芯片结构，降低了器件的传输损耗及微波插入损耗，提高了器件的频率及品质因数等性能。
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