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公开(公告)号：CN110660898A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910956453.4
申请日：2019-10-10
Applicant: 中国科学院电工研究所 , 国合通用测试评价认证股份公司
Abstract: 本发明提供了一种柔性热电薄膜的制备方法，属于功能性薄膜技术领域。本发明提供的制备方法包括如下步骤：(1)将硝酸铋、亚硒酸钠和乙二醇混合后，在保护气氛中进行还原反应，然后加入异丙醇进行沉淀反应，再依次经清洗和干燥，得到硒化铋粉体；所述硝酸铋和亚硒酸钠的摩尔比为2:3；(2)在保护气的气流中，将所述硒化铋粉体在300～350℃进行热处理，得到高纯硒化铋粉体；(3)将所述高纯硒化铋粉体、PVDF和溶剂混合后依次经铸膜和干燥，得到柔性热电薄膜。本发明采用化学溶液法和流延法结合即可得到柔性热电薄膜，该方法所需设备简单，制备条件温和，在常压即可完成，易于操控。
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公开(公告)号：CN109554674A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811453087.2
申请日：2018-11-28
Applicant: 中国科学院电工研究所 , 国合通用测试评价认证股份公司
Abstract: 一种具有异质结构的碲化铋热电薄膜的制备方法，采用磁控溅射法制备碲化铋热电薄膜。首先安装碲化铋(Bi2Te3)合金靶及碲(Te)单质靶，然后把清洗过的氧化镁(MgO)单晶固定在基片台上；调整碲化铋合金靶与氧化镁单晶衬底之间的距离为120mm～140mm，调整碲单质靶与氧化镁单晶衬底之间的距离为110mm～150mm，抽真空至4×10-4Pa～6×10-4Pa；再对氧化镁(MgO)基片加热至320℃～400℃，通入氩气(Ar)，在工作气压为1Pa～3Pa的条件下分别打开直流电源和射频电源，设置直流电源功率为20W～25W，射频电源功率为25W～40W，然后通过共溅射开始镀膜；最后对溅射的薄膜在350℃～450℃下退火处理，形成具有异质结构的碲化铋热电薄膜。
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公开(公告)号：CN110660898B
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN201910956453.4
申请日：2019-10-10
Applicant: 中国科学院电工研究所 , 国合通用测试评价认证股份公司
IPC: H10N10/01 , H10N10/852 , H10N10/10
Abstract: 本发明提供了一种柔性热电薄膜的制备方法，属于功能性薄膜技术领域。本发明提供的制备方法包括如下步骤：(1)将硝酸铋、亚硒酸钠和乙二醇混合后，在保护气氛中进行还原反应，然后加入异丙醇进行沉淀反应，再依次经清洗和干燥，得到硒化铋粉体；所述硝酸铋和亚硒酸钠的摩尔比为2:3；(2)在保护气的气流中，将所述硒化铋粉体在300～350℃进行热处理，得到高纯硒化铋粉体；(3)将所述高纯硒化铋粉体、PVDF和溶剂混合后依次经铸膜和干燥，得到柔性热电薄膜。本发明采用化学溶液法和流延法结合即可得到柔性热电薄膜，该方法所需设备简单，制备条件温和，在常压即可完成，易于操控。
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公开(公告)号：CN117769343A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311807290.6
申请日：2023-12-26
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H10N10/01 , H10N10/852 , H10N10/17 , B41M5/00
Abstract: 本发明提供了一种可编辑成分的梯度结构热电膜材料及其制备方法、一种面内热电器件，属于热电材料技术领域。本发明先制备多组成分不同的Bi2Te3基材料浆料，再在同一平面内对多组浆料依次进行喷墨打印，经热固化和退火后得到可编辑成分的梯度结构热电膜材料。本发明提供的制备方法可灵活改变膜材料梯度结构，有效调控每种Bi2Te3基材料的宽度和厚度；具有梯度结构的热电膜材料可充分利用不同成分材料的性能，使热电膜材料在较宽温度范围内具有高热电性能；并且材料制备过程简单高效，喷墨打印机针头具有高分辨率，可实现微米级宽度打印，灵活调控材料梯度结构。基于本发明具有梯度结构热电膜材料制备的热电器件具有高输出性能。
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公开(公告)号：CN117758223A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311806924.6
申请日：2023-12-26
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: C23C14/35 , H10N10/853 , C23C14/20 , C23C14/58 , C22C12/00
Abstract: 本发明提供了一种N型Mg3Sb2基热电薄膜的制备方法，属于热电材料技术领域。本发明将P型Mg3Sb2基热电薄膜与金属镁共同置于密闭环境中进行高温处理，所述金属镁蒸发出来的Mg元素进入P型Mg3Sb2基热电薄膜，将P型Mg3Sb2基热电薄膜转化为N型Mg3Sb2基热电薄膜；所述高温处理的温度为400～550℃，保温时间为5～30min。采用本发明的方法可以得到N型Mg3Sb2基热电薄膜，且方法简单，操作方便，为热电领域制备N型Mg3Sb2基热电薄膜提供了新思路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117440744A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311317050.8
申请日：2023-10-12
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H10N10/01 , H10N10/852 , H10N10/853 , C23C14/35 , C23C14/20 , C23C14/34
Abstract: 本发明提供了一种Sb7Te/Te掺杂Bi0.5Sb1.5Te3热电薄膜及其制备方法，涉及热电薄膜技术领域。本发明采用射频溅射在聚酰亚胺衬底上实现了Sb7Te/Te掺杂Bi0.5Sb1.5Te3热电薄膜的制备，本发明调整磁控溅射过程的衬底温度和溅射功率，制得薄膜有很高的结晶性且有效掺杂第二相(指Te与Sb7Te)，界面散射效应明显，电导率有大幅提高，制备出了热电性能优异的碲化铋基薄膜。本发明以柔性聚酰亚胺为衬底，制备的Sb7Te/Te掺杂Bi0.5Sb1.5Te3热电薄膜具有良好的柔性，可以更好的应用于可穿戴器件。
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公开(公告)号：CN116156989A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211207560.5
申请日：2022-09-30
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H10N10/852 , H10N10/17 , H10N10/01
Abstract: 本发明属于热电材料技术领域，具体涉及一种复合热电柔性膜及其制备方法和应用。本发明提供了一种复合热电柔性膜，包括柔性基底和负载于所述柔性基底表面的热电功能膜，所述热电功能膜包括碳纳米管膜和附着于所述碳纳米管膜中的Bi2Se3纳米片；所述碳纳米管膜为由碳纳米管自由分布形成的网络结构；所述柔性基底为多孔有机膜。本发明提供的复合热电柔性膜以Bi2Se3纳米片和碳纳米管复合，通过碳纳米管形成的薄膜显著提高了复合热电柔性膜的导电性，同时碳纳米管的网络结构能够有效抵消外力带来的应力、应变，增强了膜材料的可变形能力，有利于实现本发明提供的复合热电柔性膜在柔性电子领域中的应用。
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公开(公告)号：CN115747565A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211263840.8
申请日：2022-10-17
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明提供了一种Mg3Sb2基热电材料及其制备方法，属于热电材料技术领域。本发明通过在MgSbBiTe热电材料中共掺杂Co和Er元素，能够显著提高Mg3Sb2基热电材料的高温稳定性，这是由于阳离子元素Co和Er的加入，不仅可以保证材料的热电性能；还可以通过取代Mg元素，减少Mg元素含量，有效阻止高温Mg损失，且元素Co和Er的熔点显著高于Mg元素，它们的加入可以提高整个化合物的熔点，从而使得材料高温稳定性得以提高，所得Mg3Sb2基热电材料在673K下保持稳定。
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公开(公告)号：CN111106453B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201911250570.5
申请日：2019-12-09
Applicant: 东部超导科技(苏州)有限公司 , 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明涉及一种第二代高温超导带材的连接方法及超导线，连接方法包括以下步骤：去除保护层：去除第二代高温超导带材的待连接区域的部分区域银层，使剩余银层和裸露出的超导层间隔分布；银层扩散焊：将至少两根经过去除保护层步骤处理的第二代高温超导带材的待连接区域两两搭接形成搭接区域，使彼此的剩余银层重合接触，然后夹住搭接区域，对银层进行扩散焊；超导层熔融扩散焊；以及超导电性恢复。本发明所述方法可以不破坏超导层结构，同时又能提供氧扩散通道，制备的超导接头在液氮温区具备超导特性的同时还具有较高的机械强度，同时剩余银层也可通过电流，使得超导接头还具有一定的失超保护能力。
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公开(公告)号：CN111349902A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN202010371633.9
申请日：2020-05-06
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明提供了一种化学组成为Mg3.2Bi1.5Sb0.5的热电薄膜及其制备方法，属于热电材料技术领域。本发明通过真空磁控溅射的方式制备热电薄膜，所得热电薄膜具有二维空间结构，热导率低；同时薄膜结构能够形成量子禁闭效应，从而提高材料的功率因子。本发明使用c轴取向的LaAlO3单晶作为真空磁控溅射的基底，其与Mg3.2Bi1.5Sb0.5有非常高的晶格匹配度，能够诱导热电薄膜沿c轴方向择优生长，最终所得热电薄膜载流子迁移率大大增加，其热电性能也大幅增加。本发明通过先球磨、再热压的方式制备Mg3.2Bi1.5Sb0.5合金靶，所得合金靶在磁控溅射过程中不易开裂，沉积的薄膜成分非常均匀。
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