-
公开(公告)号：CN110660898A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910956453.4
申请日：2019-10-10
Applicant: 中国科学院电工研究所 , 国合通用测试评价认证股份公司
Abstract: 本发明提供了一种柔性热电薄膜的制备方法，属于功能性薄膜技术领域。本发明提供的制备方法包括如下步骤：(1)将硝酸铋、亚硒酸钠和乙二醇混合后，在保护气氛中进行还原反应，然后加入异丙醇进行沉淀反应，再依次经清洗和干燥，得到硒化铋粉体；所述硝酸铋和亚硒酸钠的摩尔比为2:3；(2)在保护气的气流中，将所述硒化铋粉体在300～350℃进行热处理，得到高纯硒化铋粉体；(3)将所述高纯硒化铋粉体、PVDF和溶剂混合后依次经铸膜和干燥，得到柔性热电薄膜。本发明采用化学溶液法和流延法结合即可得到柔性热电薄膜，该方法所需设备简单，制备条件温和，在常压即可完成，易于操控。
-
公开(公告)号：CN109554674A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811453087.2
申请日：2018-11-28
Applicant: 中国科学院电工研究所 , 国合通用测试评价认证股份公司
Abstract: 一种具有异质结构的碲化铋热电薄膜的制备方法，采用磁控溅射法制备碲化铋热电薄膜。首先安装碲化铋(Bi2Te3)合金靶及碲(Te)单质靶，然后把清洗过的氧化镁(MgO)单晶固定在基片台上；调整碲化铋合金靶与氧化镁单晶衬底之间的距离为120mm～140mm，调整碲单质靶与氧化镁单晶衬底之间的距离为110mm～150mm，抽真空至4×10-4Pa～6×10-4Pa；再对氧化镁(MgO)基片加热至320℃～400℃，通入氩气(Ar)，在工作气压为1Pa～3Pa的条件下分别打开直流电源和射频电源，设置直流电源功率为20W～25W，射频电源功率为25W～40W，然后通过共溅射开始镀膜；最后对溅射的薄膜在350℃～450℃下退火处理，形成具有异质结构的碲化铋热电薄膜。
-
公开(公告)号：CN110660898B
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN201910956453.4
申请日：2019-10-10
Applicant: 中国科学院电工研究所 , 国合通用测试评价认证股份公司
IPC: H10N10/01 , H10N10/852 , H10N10/10
Abstract: 本发明提供了一种柔性热电薄膜的制备方法，属于功能性薄膜技术领域。本发明提供的制备方法包括如下步骤：(1)将硝酸铋、亚硒酸钠和乙二醇混合后，在保护气氛中进行还原反应，然后加入异丙醇进行沉淀反应，再依次经清洗和干燥，得到硒化铋粉体；所述硝酸铋和亚硒酸钠的摩尔比为2:3；(2)在保护气的气流中，将所述硒化铋粉体在300～350℃进行热处理，得到高纯硒化铋粉体；(3)将所述高纯硒化铋粉体、PVDF和溶剂混合后依次经铸膜和干燥，得到柔性热电薄膜。本发明采用化学溶液法和流延法结合即可得到柔性热电薄膜，该方法所需设备简单，制备条件温和，在常压即可完成，易于操控。
-
公开(公告)号：CN111106453B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201911250570.5
申请日：2019-12-09
Applicant: 东部超导科技(苏州)有限公司 , 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明涉及一种第二代高温超导带材的连接方法及超导线，连接方法包括以下步骤：去除保护层：去除第二代高温超导带材的待连接区域的部分区域银层，使剩余银层和裸露出的超导层间隔分布；银层扩散焊：将至少两根经过去除保护层步骤处理的第二代高温超导带材的待连接区域两两搭接形成搭接区域，使彼此的剩余银层重合接触，然后夹住搭接区域，对银层进行扩散焊；超导层熔融扩散焊；以及超导电性恢复。本发明所述方法可以不破坏超导层结构，同时又能提供氧扩散通道，制备的超导接头在液氮温区具备超导特性的同时还具有较高的机械强度，同时剩余银层也可通过电流，使得超导接头还具有一定的失超保护能力。
-
公开(公告)号：CN111349902A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN202010371633.9
申请日：2020-05-06
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明提供了一种化学组成为Mg3.2Bi1.5Sb0.5的热电薄膜及其制备方法，属于热电材料技术领域。本发明通过真空磁控溅射的方式制备热电薄膜，所得热电薄膜具有二维空间结构，热导率低；同时薄膜结构能够形成量子禁闭效应，从而提高材料的功率因子。本发明使用c轴取向的LaAlO3单晶作为真空磁控溅射的基底，其与Mg3.2Bi1.5Sb0.5有非常高的晶格匹配度，能够诱导热电薄膜沿c轴方向择优生长，最终所得热电薄膜载流子迁移率大大增加，其热电性能也大幅增加。本发明通过先球磨、再热压的方式制备Mg3.2Bi1.5Sb0.5合金靶，所得合金靶在磁控溅射过程中不易开裂，沉积的薄膜成分非常均匀。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111270214A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010223363.7
申请日：2020-03-26
Applicant: 郑州科之诚机床工具有限公司 , 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明提供了一种磁控溅射制备C轴择优取向氮化铝多晶薄膜的方法和氮化铝多晶薄膜，涉及薄膜材料制备技术领域。本发明将半导体材料基片与高纯溅射铝靶相对垂直放置，可大幅提高溅射铝原子团到达基片后平行基片表面迁移运动的能量，有利于氮化铝薄膜C轴择优取向生长，提高薄膜的压电响应及机电耦合系数；本发明在半导体材料基片附近设置热丝，热丝产生的高温辐射对氮化铝薄膜进行快速热处理，能够提高薄膜的结晶程度。因此，本发明提供的方法能够实现较低温度下利用磁控溅射技术生长C轴择优取向氮化铝薄膜，得到的氮化铝薄膜结晶度高，具有较高的压电响应系数及机电耦合系数，能够作为芯片材料在声表面波器件或体声波器件中应用。
-
公开(公告)号：CN116716587A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310671899.9
申请日：2023-06-08
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: C23C14/35 , H10N10/01 , H10N10/853 , C23C14/06
Abstract: 本发明提供了一种Te掺杂Mg3Sb2热电薄膜及其制备方法，涉及热电薄膜制备技术领域。所述Te掺杂Mg3Sb2热电薄膜的制备方法包括以下步骤：利用射频磁控溅射，将TexMg3Sb2(0.14≤x≤0.17)合金靶溅射到柔性聚酰亚胺衬底表面，得到Te掺杂Mg3Sb2热电薄膜；所述溅射过程中衬底的温度为500～700℃，所述溅射的功率为70～90W。本发明采用射频溅射在聚酰亚胺衬底上实现了Te掺杂的Mg3Sb2热电薄膜的制备，本发明调整磁控溅射过程的衬底温度和溅射功率，制得薄膜有很高的结晶性，界面散射效应明显，电导率有大幅提高，制备出了热电性能优异的Te0.1Mg3Sb2薄膜。
-
公开(公告)号：CN115386835A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210959754.4
申请日：2022-08-11
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明提供了一种柔性锑化镁薄膜及其制备方法和应用、柔性热电器件的制备方法，涉及热电功能薄膜技术领域。本发明提供的柔性锑化镁薄膜的制备方法，包括以下步骤：以Mg3Sb2合金靶作为磁控溅射靶，在柔性衬底表面进行磁控溅射，得到柔性锑化镁薄膜。本发明采用磁控溅射法在柔性衬底上实现了柔性锑化镁薄膜的制备，使得柔性锑化镁薄膜的界面散射效应和量子尺寸效应得到更好的发挥，从而获得较高的功率因子，制备的柔性锑化镁薄膜的性能大幅提高。
-
公开(公告)号：CN113593767A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202010365158.4
申请日：2020-04-30
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明提供了一种第二代高温超导线的连接方法及一种连接超导线，属于超导电工技术领域。本发明通过高温热处理连接第二代高温超导线的银层，以此完整地将超导层从缓冲层上剥离。剥离后裸露的超导层一面可用于超导层的直接连接形成超导接头，而与其另一面相连的银层即可作为快速的氧扩散通道。其次，对于剥离后获得的超导线连接体，可利用金属基带、缓冲层或较厚的银带为银层和超导层提供支撑或隔离，保证了接头的机械性能。最后，对于采用银带剥离超导层可使得制备的接头表面为银，氧可直接透过银层表面进入超导层，极大地缩短接头的氧化退火时间，提高超导接头的制备效率。
-
公开(公告)号：CN113130134A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110381404.X
申请日：2021-04-09
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01B13/00
Abstract: 本发明提供了一种动态沉积第二代高温超导带材的装置和方法，涉及镀膜工艺装备技术领域。本发明提供的装置包括动态卷绕系统和真空热处理炉；所述动态卷绕系统包括放卷装置、缠绕骨架和前驱液槽；所述放卷装置和缠绕骨架均连接有伺服电机；所述真空热处理炉包括真空炉腔和转动装置；所述真空炉腔的外壁设置有控温热电偶、进气口、抽气口、冷却水进口和冷却水出口，所述真空炉腔的内壁设置有加热线圈；所述转动装置的中心轴贯穿真空炉腔的中心。利用本发明提供的装置动态沉积第二代高温超导带材，通过化学溶液法连续浸涂和高温热处理能够制备出百米级的第二代高温超导带材，且得到的第二代高温超导带材表面平整、致密，电学性能良好。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
31
records
(took 0.037 seconds)
