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公开(公告)号：CN110660898A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910956453.4
申请日：2019-10-10
Applicant: 中国科学院电工研究所 , 国合通用测试评价认证股份公司
Abstract: 本发明提供了一种柔性热电薄膜的制备方法，属于功能性薄膜技术领域。本发明提供的制备方法包括如下步骤：(1)将硝酸铋、亚硒酸钠和乙二醇混合后，在保护气氛中进行还原反应，然后加入异丙醇进行沉淀反应，再依次经清洗和干燥，得到硒化铋粉体；所述硝酸铋和亚硒酸钠的摩尔比为2:3；(2)在保护气的气流中，将所述硒化铋粉体在300～350℃进行热处理，得到高纯硒化铋粉体；(3)将所述高纯硒化铋粉体、PVDF和溶剂混合后依次经铸膜和干燥，得到柔性热电薄膜。本发明采用化学溶液法和流延法结合即可得到柔性热电薄膜，该方法所需设备简单，制备条件温和，在常压即可完成，易于操控。
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公开(公告)号：CN109554674A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811453087.2
申请日：2018-11-28
Applicant: 中国科学院电工研究所 , 国合通用测试评价认证股份公司
Abstract: 一种具有异质结构的碲化铋热电薄膜的制备方法，采用磁控溅射法制备碲化铋热电薄膜。首先安装碲化铋(Bi2Te3)合金靶及碲(Te)单质靶，然后把清洗过的氧化镁(MgO)单晶固定在基片台上；调整碲化铋合金靶与氧化镁单晶衬底之间的距离为120mm～140mm，调整碲单质靶与氧化镁单晶衬底之间的距离为110mm～150mm，抽真空至4×10-4Pa～6×10-4Pa；再对氧化镁(MgO)基片加热至320℃～400℃，通入氩气(Ar)，在工作气压为1Pa～3Pa的条件下分别打开直流电源和射频电源，设置直流电源功率为20W～25W，射频电源功率为25W～40W，然后通过共溅射开始镀膜；最后对溅射的薄膜在350℃～450℃下退火处理，形成具有异质结构的碲化铋热电薄膜。
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公开(公告)号：CN110660898B
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN201910956453.4
申请日：2019-10-10
Applicant: 中国科学院电工研究所 , 国合通用测试评价认证股份公司
IPC: H10N10/01 , H10N10/852 , H10N10/10
Abstract: 本发明提供了一种柔性热电薄膜的制备方法，属于功能性薄膜技术领域。本发明提供的制备方法包括如下步骤：(1)将硝酸铋、亚硒酸钠和乙二醇混合后，在保护气氛中进行还原反应，然后加入异丙醇进行沉淀反应，再依次经清洗和干燥，得到硒化铋粉体；所述硝酸铋和亚硒酸钠的摩尔比为2:3；(2)在保护气的气流中，将所述硒化铋粉体在300～350℃进行热处理，得到高纯硒化铋粉体；(3)将所述高纯硒化铋粉体、PVDF和溶剂混合后依次经铸膜和干燥，得到柔性热电薄膜。本发明采用化学溶液法和流延法结合即可得到柔性热电薄膜，该方法所需设备简单，制备条件温和，在常压即可完成，易于操控。
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公开(公告)号：CN115064336B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202210844007.6
申请日：2022-07-18
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01F6/06 , H01F6/04 , H01F41/04 , H01F41/061
Abstract: 本发明公开了一种无接头高温超导磁体，涉及高温超导磁体制备领域，该无接头高温超导磁体包括：磁体骨架和至少一组超导线圈组；超导线圈组包括第一双饼线圈和第二双饼线圈；两个双饼线圈侧位放置；超导线圈组采用无接头绕制法绕制而成；无接头绕制法为：将目标带材的中部上分离带材、中部下分离带材均相切放置一个圆环骨架，将目标带材的左侧端部从中间孔隙穿过并回到原来的位置，使中部上分离带材缠绕在对应相切的圆环骨架上形成第一双饼线圈，使中部下分离带材缠绕在对应相切的另一个圆环骨架上形成第二双饼线圈，工作时，向第一双饼线圈和第二双饼线圈中的每个线圈以并联的方式通入励磁电流。本发明避免了超导磁体接头，能实现稳态运行。
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公开(公告)号：CN118919211A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411333169.9
申请日：2024-09-24
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明公开一种高温超导磁体装置及其装配方法，涉及高温超导磁体制备技术领域，包括：中心骨架、高温超导双饼线圈、夹持定位件以及电极，中心骨架的两端对称设置有夹持定位件，中心骨架对应两端夹持定位件之间套设有高温超导双饼线圈，夹持定位件包括第一夹板以及第二夹板，第一夹板与第二夹板可拆卸连接，第一夹板上设置有第一凹槽，第二夹板上设置有第二凹槽，第一凹槽与第二凹槽拼合形成夹持孔；当设置有多个高温超导双饼线圈且存在安装公差时，可通过拆卸再安装第一夹板与第二夹板，实现夹持定位件位置的调节，进而调节中心骨架两侧夹持定位件之间的间距，实现对安装公差的补偿，提高对高温超导双饼线圈的保护效果，适用范围广。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114220650B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202111563000.9
申请日：2021-12-20
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01F41/04 , H01F41/076 , H01F41/12 , H01F6/06
Abstract: 本发明提供了一种第二代高温超导带材闭合线圈及其制备方法，属于超导材料技术领域。本发明将绝缘材料包裹的第二代高温超导带材绕制成线圈后，裸露出待连接接头的超导层，通过熔融扩散焊接的方式把两端带材连接在一起，熔融扩散焊接过程中，超导层失去超导性；本发明在含氧气氛下，对具有焊接接头的线圈进行热处理，在热处理的过程中，超导层进行充氧，提高超导层成分的含氧量，恢复其超导电性，从而实现线圈两端第二代高温超导带材超导态的连接。本发明对所述初步闭合线圈的焊接接头处进行覆铜处理，能够提高接头的机械强度，将覆铜处理后的线圈浸渍环氧树脂，能够提高线圈整体的机械强度和稳定性能。
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公开(公告)号：CN117769343A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311807290.6
申请日：2023-12-26
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H10N10/01 , H10N10/852 , H10N10/17 , B41M5/00
Abstract: 本发明提供了一种可编辑成分的梯度结构热电膜材料及其制备方法、一种面内热电器件，属于热电材料技术领域。本发明先制备多组成分不同的Bi2Te3基材料浆料，再在同一平面内对多组浆料依次进行喷墨打印，经热固化和退火后得到可编辑成分的梯度结构热电膜材料。本发明提供的制备方法可灵活改变膜材料梯度结构，有效调控每种Bi2Te3基材料的宽度和厚度；具有梯度结构的热电膜材料可充分利用不同成分材料的性能，使热电膜材料在较宽温度范围内具有高热电性能；并且材料制备过程简单高效，喷墨打印机针头具有高分辨率，可实现微米级宽度打印，灵活调控材料梯度结构。基于本发明具有梯度结构热电膜材料制备的热电器件具有高输出性能。
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公开(公告)号：CN117758223A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311806924.6
申请日：2023-12-26
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: C23C14/35 , H10N10/853 , C23C14/20 , C23C14/58 , C22C12/00
Abstract: 本发明提供了一种N型Mg3Sb2基热电薄膜的制备方法，属于热电材料技术领域。本发明将P型Mg3Sb2基热电薄膜与金属镁共同置于密闭环境中进行高温处理，所述金属镁蒸发出来的Mg元素进入P型Mg3Sb2基热电薄膜，将P型Mg3Sb2基热电薄膜转化为N型Mg3Sb2基热电薄膜；所述高温处理的温度为400～550℃，保温时间为5～30min。采用本发明的方法可以得到N型Mg3Sb2基热电薄膜，且方法简单，操作方便，为热电领域制备N型Mg3Sb2基热电薄膜提供了新思路。
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公开(公告)号：CN117440744A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311317050.8
申请日：2023-10-12
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H10N10/01 , H10N10/852 , H10N10/853 , C23C14/35 , C23C14/20 , C23C14/34
Abstract: 本发明提供了一种Sb7Te/Te掺杂Bi0.5Sb1.5Te3热电薄膜及其制备方法，涉及热电薄膜技术领域。本发明采用射频溅射在聚酰亚胺衬底上实现了Sb7Te/Te掺杂Bi0.5Sb1.5Te3热电薄膜的制备，本发明调整磁控溅射过程的衬底温度和溅射功率，制得薄膜有很高的结晶性且有效掺杂第二相(指Te与Sb7Te)，界面散射效应明显，电导率有大幅提高，制备出了热电性能优异的碲化铋基薄膜。本发明以柔性聚酰亚胺为衬底，制备的Sb7Te/Te掺杂Bi0.5Sb1.5Te3热电薄膜具有良好的柔性，可以更好的应用于可穿戴器件。
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公开(公告)号：CN114360894B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202210037037.6
申请日：2022-01-13
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明涉及一种闭环超导磁体的绕制方法及闭环超导磁体。所述方法包括：将主带盘中的超导带材缠绕在过渡带盘上；将过渡带盘上的超导带材缠绕在第1个双饼线圈骨架的一侧形成第1个双饼线圈中的第1个单饼；将主带盘上的超导带缠绕在第n个双饼线圈骨架的另一侧形成第n个双饼线圈中的第2个单饼；将第n个双饼线圈中的第2个单饼上的超导带材缠绕在第n+1个双饼线圈骨架的一侧形成第n+1个双饼线圈中的第1个单饼，至此完成第n个双饼线圈的绕制；将最后一个双饼线圈的超导带材抽头的端部与第一个双饼线圈的超导带材抽头的端部连接形成闭环超导磁体。本发明可以解决超导接头制备困难，机械性能差的缺点。
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