-
公开(公告)号：CN104882369A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201410071399.2
申请日：2014-02-28
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/266
CPC classification number: H01L21/266 , H01L21/033 , H01L21/26506
Abstract: 本发明公开了碳化硅离子注入掺杂掩膜结构及其制备方法，一种掩膜结构是在碳化硅外延片表面形成第一阻挡层二氧化硅（SiO2），另外在非注入区的第一阻挡层上再形成第二阻挡层多晶硅（Poly-Si）。另一种掩膜结构是在碳化硅外延片表面形成第一阻挡层二氧化硅，另外在非注入区的第一阻挡层上再形成第二阻挡层多晶硅，在第二阻挡层上形成第三阻挡层二氧化硅。本发明掩膜结构及其制备方法能够解决离子注入SiC外延片后的箱型杂质浓度不均匀分布现象，同时能够减少高能离子注入SiC外延片带来的表面损伤。
-
公开(公告)号：CN104576762A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410822182.0
申请日：2014-12-25
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种肖特基势垒二极管及其制造方法，属于半导体技术领域，解决了现有的肖特基势垒二极管的开启电压较高的技术问题。该肖特基势垒二极管，包括：N型碳化硅衬底；位于所述N型碳化硅衬底上的低掺杂N型外延层；位于所述低掺杂N型外延层上的高掺杂N型外延层；位于所述低掺杂N型外延层和所述高掺杂N型外延层中的P型高掺杂区；位于所述高掺杂N型外延层上的肖特基接触电极；位于所述N型碳化硅衬底下方的欧姆接触电极。本发明提供的肖特基势垒二极管能够更好的应用于高频电路。
-
公开(公告)号：CN104319292A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410619758.3
申请日：2014-11-06
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/24 , H01L29/34 , H01L29/66477
Abstract: 本发明提供了一种新型碳化硅MOSFET及其制造方法，本发明中在碳化硅MOSFET器件在全部离子注入后，在P阱表面外延一层表面粗糙度较低的P－外延层，载流子输运在P－外延层反型沟道，由于P－外延层的粗糙度小于P阱表面的粗糙度，所以降低了反型层沟道中载流子碰撞或散射几率，提高碳化硅MOSFET器件反型沟道载流子迁移率，降低器件导通电阻。
-
公开(公告)号：CN104282766A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410620019.6
申请日：2014-11-06
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/22 , H01L21/265
CPC classification number: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/24 , H01L29/34 , H01L29/66477
Abstract: 本发明提供了一种新型碳化硅MOSFET及其制造方法，本发明中在碳化硅MOSFET器件在P阱离子注入后，在P阱表面外延一层表面粗糙度较低的P－外延层，载流子输运在P－外延层反型沟道，由于P－外延层的粗糙度小于P阱表面的粗糙度，所以降低了反型层沟道中载流子碰撞或散射几率，提高碳化硅MOSFET器件反型沟道载流子迁移率，降低器件导通电阻。
-
公开(公告)号：CN104282765A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410619955.5
申请日：2014-11-06
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种新型的碳化硅MOS器件及其制造方法，本发明在干法刻蚀后形成的粗糙度较大的栅槽内表面外延一层P－外延层，由于外延层之后的P－外延层的表面粗糙度较低，所以导电沟道中载流子碰撞或散射几率会降低，从而提高碳化硅MOS器件反型沟道载流子迁移率，达到降低器件导通电阻的目的。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103824879A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201410044426.7
申请日：2014-01-30
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种功率器件结终端结构与制造方法。所述功率器件结终端结构包括：场限环，其间隔设置于最外侧主结的外侧；电荷补偿区，其通过掺杂间隔形成于外延层，所述电荷补偿区贯穿所述最外侧主结的靠外侧的冶金结面和所述场限环的靠外侧的冶金结面，其中所述电荷补偿区的导电类型与所述场限环的导电类型相同。这种功率器件结终端结构耐压能力好、可靠性高。
-
公开(公告)号：CN103579016A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310537220.3
申请日：2013-11-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 一种大电流碳化硅SBD/JBS功率芯片结构及其制造方法，该结构包括好的元件和坏的元件，所述好的元件和坏的元件在铜盖和铜底之间采用压接式封装；所述铜盖与好的元件的金属接触层阳极之间通过第一钼片扣合，所述铜底与好的元件阴极之间通过第二钼片扣合完成以使所有好的元件处于并联连接状态。该制造方法用来制造上述功率芯片结构。本发明具有制造方便、无淀积绝缘层、可提高器件性能等优点。
-
公开(公告)号：CN103051159A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201310006151.3
申请日：2013-01-08
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/49113 , H01L2224/49175 , H01L2924/13055 , H03K17/0406 , H03K17/0412 , Y02B70/1483 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明实施例公开了一种电力电子装置及其混合功率模块，和该混合功率模块的形成方法。其中，所述混合功率模块包括：IGBT开关器件；阴极与所述IGBT开关器件的集电极相连，阳极与所述IGBT开关器件的发射极相连的碳化硅肖特基势垒二极管；与所述IGBT开关器件栅极相连的栅极偏置电路，所述栅极偏置电路包括：相互并联的第一电阻和第一二极管，以及与所述第一电阻和第一二极管的并联结构串联的第二电阻，以解决现有技术中碳化硅肖特基势垒二极管在反向恢复过程中存在的振荡现象，并消除IGBT开关器件的开通过程中存在的振荡现象，使得具有该混合功率模块的电力电子装置在工作时，存在显著的高频振荡现象的问题，使其正常工作。
-
公开(公告)号：CN101383268B
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200710121502.X
申请日：2007-09-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/335 , H01L21/28
Abstract: 本发明涉及宽禁带半导体材料器件制作技术领域，公开了一种电子束对准标记的制作方法，包括：A、对衬底材料进行光刻，同时形成电子束对准标记和源漏极图形，并蒸发源漏极金属；B、对衬底材料进行光刻，在电子束对准标记周围形成方形标记区域；C、对衬底材料进行表面刻蚀；D、腐蚀电子束对准标记处的掩膜金属，形成电子束对准标记。本发明同时公开了一种利用电子束对准标记制作有效栅线条的方法。利用本发明，有效避免了高温退火中容易发生形貌变化的金属对准标记，利用衬底材料的高度差作为对准标记；同时解决了多步光刻形成电子束标记图形和源漏图形引入的机械误差和人为误差，避免了电子束光刻过程中出现的对准偏差。
-
公开(公告)号：CN101459080B
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：CN200710179353.2
申请日：2007-12-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种制作GaN基场效应晶体管的方法，包括：对GaN基材料层进行表面处理，淀积二氧化硅保护层；光刻形成光刻对准标记，干法刻蚀二氧化硅保护层，蒸发标记金属；光刻形成源漏图形，干法刻蚀二氧化硅保护层，蒸发源漏金属；高温退火合金；光刻形成屏蔽有源区图形，离子注入形成有源区隔离；湿法腐蚀二氧化硅保护层；在GaN基材料表面淀积氮化硅，对场效应管进行钝化；电子束直写或光学光刻制作栅线条，干法刻蚀氮化硅和顶层的GaN基材料层形成栅槽结构，蒸发栅金属，金属布线。本发明避免了GaN基材料表面裸露在空气中，防止了GaN基材料表面在制作工艺过程中被污染，抑制了AlGaN/GaN HEMTs的电流崩塌效应。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
71
records
(took 0.049 seconds)
