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公开(公告)号：CN100485886C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200410058033.8
申请日：2004-08-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/3205 , B32B15/01
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别是一种适用于AlGaN/GaN HEMT器件的新型欧姆接触Al/Ti/Al/Ti/Pt/Au的欧姆接触系统。新型结构的欧姆接触Al/Ti/Al/Ti/Pt/Au，欧姆接触系统在680℃-760℃的合金温度范围内，20-60S的合金时间范围获得理想的一致的欧姆接触。合金温度、合金时间有较大的的选择范围，降低了工艺难度，提高了工艺的重复性。获得到比较理想的合金形貌，降低了器件研制对设备的要求。这些技术方面的优势是现有其它欧姆接触技术所不具备的。
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公开(公告)号：CN101459080A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200710179353.2
申请日：2007-12-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种制作GaN基场效应晶体管的方法，包括：对GaN基材料层进行表面处理，淀积二氧化硅保护层；光刻形成光刻对准标记，干法刻蚀二氧化硅保护层，蒸发标记金属；光刻形成源漏图形，干法刻蚀二氧化硅保护层，蒸发源漏金属；高温退火合金；光刻形成屏蔽有源区图形，离子注入形成有源区隔离；湿法腐蚀二氧化硅保护层；在GaN基材料表面淀积氮化硅，对场效应管进行钝化；电子束直写或光学光刻制作栅线条，干法刻蚀氮化硅和顶层的GaN基材料层形成栅槽结构，蒸发栅金属，金属布线。本发明避免了GaN基材料表面裸露在空气中，防止了GaN基材料表面在制作工艺过程中被污染，抑制了AlGaN/GaN HEMTs的电流崩塌效应。
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公开(公告)号：CN100394560C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200410058037.6
申请日：2004-08-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/3205 , B32B15/01
Abstract: 本发明涉及AlGaN/GaN HEMT器件的欧姆接触技术领域，特别是一种适用于AlGaN/GaN HEMT器件的新型欧姆接触Al/Ti/Al/Ti/Au的合金系统。欧姆接触金属蒸发时采用五层结构的AlTiAlTiAu结构。与AlGaN接触的金属第一金属层为Al，然后顺次为次为Al/Ti/Al/Ti/Au。合金温度的范围为660℃-760℃，合金时间在20-60S的范围内。该技术的合金温度、合金时间有较大的选择范围，降低了工艺难度，扩大了工艺宽容度，提高了工艺的重复性。获得比较理想的合金形貌。
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公开(公告)号：CN101414562A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200710175969.2
申请日：2007-10-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/335
Abstract: 本发明涉及宽禁带半导体材料器件制作技术领域，公开了一种提高氮化镓基场效应晶体管性能的方法，该方法包括：在制作氮化镓基场效应晶体管的过程中，在对氮化镓基场效应晶体管进行钝化之前，采用混合预处理溶液对器件表面进行表面预处理，然后在进行表面预处理后的器件表面淀积氮化硅和富氧氮化硅复合介质层，对氮化镓基场效应晶体管进行钝化。利用本发明，解决了AlGaN表面长期存在的表面原始氧化层，消除了表面氧化层诱生的AlGaN表面态，并解决了AlGaN和氮化硅界面存在的表面态和表面原始氧化层诱生的电流崩塌效应以及常规钝化引起的栅反向漏电大幅度增加的问题，提高了GaN基HEMT的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN101383268A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200710121502.X
申请日：2007-09-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/335 , H01L21/28
Abstract: 本发明涉及宽禁带半导体材料器件制作技术领域，公开了一种电子束对准标记的制作方法，包括：A.对衬底材料进行光刻，同时形成电子束对准标记和源漏极图形，并蒸发源漏极金属；B.对衬底材料进行光刻，在电子束对准标记周围形成方形标记区域；C.对衬底材料进行表面刻蚀；D.腐蚀电子束对准标记处的掩膜金属，形成电子束对准标记。本发明同时公开了一种利用电子束对准标记制作有效栅线条的方法。利用本发明，有效避免了高温退火中容易发生形貌变化的金属对准标记，利用衬底材料的高度差作为对准标记；同时解决了多步光刻形成电子束标记图形和源漏图形引入的机械误差和人为误差，避免了电子束光刻过程中出现的对准偏差。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101149563A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200610127868.3
申请日：2006-09-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G03F7/20 , G03F9/00 , H01L21/00 , H01L21/027 , H01L21/768 , H01L21/28 , H01J37/304
Abstract: 本发明公开了一种电子束对准标记的制作方法，采用Ti/Pt金属结构作为对准标记的金属结构，对衬底材料采用光刻方法进行光刻，在衬底材料最顶层的铝镓氮外延层形成电子束对准标记。本发明同时公开了一种利用电子束对准标记制作有效栅线条方法，A.对衬底材料采用光刻方法进行光刻，形成电子束对准标记，并蒸发标记金属Ti/Pt；B.对衬底材料采用光刻方法进行光刻，形成源漏图形，并蒸发源漏金属；C.退火合金，形成良好的欧姆接触；D.有源区离子注入隔离；E.电子束光刻，完成栅线条曝光；F.蒸发栅金属，形成有效栅线条。利用本发明，有效解决了高温退火后对准标记金属形貌发生变化而导致电子束曝光机无法准确辨认对准标记的问题。
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公开(公告)号：CN100367475C
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200410058034.2
申请日：2004-08-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/3205 , B32B15/01
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别是一种适用于AlGaN/GaN HEMT器件Al/Ti/Al/Pt/Au新型欧姆接触合金系统。提出一种新型结构的欧姆接触Al/Ti/Al/Pt/Au。该合金欧姆接触系统在660—760度范围内，合金时间在20—60秒范围内获得理想的一致的欧姆接触。并得到比较理想的合金形貌，该发明的合金温度、合金时间有较大的选择范围，降低了工艺难度，扩大了工艺宽容度，提高了工艺的重复性。这些优势是现有其它欧姆接触技术所不具备的。
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公开(公告)号：CN100357495C
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200410039695.0
申请日：2004-03-16
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 一种电镀起镀层的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：a)在半导体衬底上制作第一层钛金属，该第一层钛金属的厚度为300；b)在第一层钛金属上制作一层金属金，该金属金的厚度为500-1500；c)在金属金上制作第二层钛金属，该第二层钛金属的厚度为200，完成起镀层的制作。
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公开(公告)号：CN1870224A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200510071093.8
申请日：2005-05-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明一种适用于高速砷化镓基器件欧姆接触的金属合金系统，在重掺杂铟镓砷半导体层上与金属形成良好欧姆接触的新型六层金属结构镍/锗/金/锗/镍/金，在较低的温度360－380度和较短的时间50－80秒内，于氮气气氛下合金得到低的欧姆接触电阻，可达1.87E－07Ω.cm2，合金后图形表面形貌光滑平整、图形边缘整齐并且与工艺的兼容性好。本发明具有成效明显，工艺简单易行，经济适用和可靠性强的优点，容易在微波、毫米波化合物半导体器件制作中采用和推广。
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公开(公告)号：CN1734731A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200410058036.1
申请日：2004-08-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/3205 , B32B15/01
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别是一种适用于AlGaN/GaN HEMT器件的欧姆接触Ti/Al/Ti/Pt/Au的合金系统。新型结构的欧姆接触Ti/Al/Ti/Pt/Au，具有很大的工艺宽容度，可以在较低780℃的情况，获得满意的欧姆接触特性，并得到理想的合金形貌，降低了器件研制的难度。这一技术对于掺杂和非掺杂样品同样适用。
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