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公开(公告)号：CN102487104B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201010574100.7
申请日：2010-12-06
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种硅基光电异质集成中的多量子阱混杂能带方法。该方法采用P离子注入诱导实现多量子阱能带混杂，包括以下过程：在进行III-V族外延时增加一层扩散缓冲层；生长一层氧化硅并进行标准光刻，刻蚀出注入窗口；进行P离子注入工艺；进行第一次快速退火后处理工艺，使注入区产生带隙波长的蓝移；利用标准光刻工艺，刻蚀掉部分区域的扩散缓冲层；进行第二次快速退火后处理工艺，使保留扩散缓冲层在原来的基础上再次产生带隙波长的蓝移，在具有相同量子阱结构的III-V族外延片上形成了具有三种不同带隙波长的区域。本发明为基于硅基异质光电集成技术的芯片内光互连系统中不同III-V族有源器件集成提供了材料基础。
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公开(公告)号：CN102117820A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200910312831.1
申请日：2009-12-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种硅基光电异质集成方法及硅基光电异质集成芯片，属于光电异质集成技术领域。所述方法包括：在硅晶片上设置硅基无源光子器件作为光信息传输通道；在III-V族晶片中设置CMOS微电子集成电路；在III-V族晶片上通过一次外延实现有源光子器件和CMOS微电子集成电路的有源区多层量子阱结构；采用整片的晶片键合工艺在硅晶片上键合III-V族晶片；在III-V族晶片中设置光耦合器。本发明在同一III-V族材料层中实现了微电子电路和有源光子器件的集成，为硅基光电异质集成芯片的研制和应用提供了可行性；本发明可广泛应用于研制下一代高密度、大容量、多功能的单片集成光电芯片。
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公开(公告)号：CN100394560C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200410058037.6
申请日：2004-08-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/3205 , B32B15/01
Abstract: 本发明涉及AlGaN/GaN HEMT器件的欧姆接触技术领域，特别是一种适用于AlGaN/GaN HEMT器件的新型欧姆接触Al/Ti/Al/Ti/Au的合金系统。欧姆接触金属蒸发时采用五层结构的AlTiAlTiAu结构。与AlGaN接触的金属第一金属层为Al，然后顺次为次为Al/Ti/Al/Ti/Au。合金温度的范围为660℃-760℃，合金时间在20-60S的范围内。该技术的合金温度、合金时间有较大的选择范围，降低了工艺难度，扩大了工艺宽容度，提高了工艺的重复性。获得比较理想的合金形貌。
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公开(公告)号：CN101533128B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200810239885.5
申请日：2008-12-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G02B6/26
Abstract: 本发明涉及光集成芯片的耦合封装技术领域的一种硅纳米光波导与光纤的耦合封装方法。为了实现硅纳米光波导与光纤的高效光耦合与简便封装，本发明提供一种硅纳米光波导与光纤的耦合封装方法，利用倒锥型模斑转换器实现硅纳米光波导中的小尺寸模斑向光纤的大尺寸模斑转换，并利用V型光纤定位槽的自对准特性实现硅纳米光波导与光纤的对准耦合和简便封装。本发明中倒锥形模斑转换器高效、宽带光耦合特性和光模场尺寸转换能力与SOI衬底特性、V型光纤定位槽相结合，实现波导与光纤的精确中心对准和高效光耦合，且光纤的固定封装工艺简便，非常适用于实际生产应用。
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公开(公告)号：CN100481346C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200410058035.7
申请日：2004-08-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/3205 , B32B15/01
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别是一种适用于AlGaN/GaN HEMT器件的新型欧姆接触Al/Ti/Al/Ni/Au的合金系统。新型结构的欧姆接触Al/Ti/Al/Ni/Au，具有很大的工艺宽容度，可以在较低680℃-760℃的情况，获得满意的欧姆接触特性。该技术的合金温度、合金时间有很大的选择范围，降低了工艺难度，扩大了工艺宽容度，提高了工艺的重复性。获得比较理想的合金形貌。这些优势是现有其它欧姆接触技术所不具备的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100428591C
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200610003069.5
申请日：2006-02-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01S5/026 , H01S5/022 , H01S5/024 , H01S5/00 , H01L25/00 , H01L23/00 , H01L21/50 , G02B6/00 , H04B10/02
Abstract: 本发明主要涉及光纤通信领域，特别是一种高速率半导体光发射组件的封装结构及方法。结构包括；带有射频连接头的蝶形管壳、半导体致冷器、KOVAR金属热沉、介质热沉基片、光发射器件、热敏电阻、背光检测探测器、用互连金丝连接直流接线电极和管壳引脚，用金丝或金带连接介质热沉基片和介质基片上的共面波导传输线，以及光学耦合组件。方法包括：直流端口在管壳外部采用等间距排列的BTF标准封装形式；高频端口采用射频连接头；光学组件部分采用的是分离式调整；还具有热敏电阻和背光探测器便于监视半导体激光器的工作状态；带有半导体致冷器，用于对光发射芯片的工作温度进行控制。
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公开(公告)号：CN101017956A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200610003069.5
申请日：2006-02-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01S5/026 , H01S5/022 , H01S5/024 , H01S5/00 , H01L25/00 , H01L23/00 , H01L21/50 , G02B6/00 , H04B10/02
Abstract: 本发明主要涉及光纤通信领域，特别是一种高速率半导体光发射组件的封装结构及方法。结构包括；带有射频连接头的蝶形管壳、半导体致冷器、KOVAR金属热沉、介质热沉基片、光发射器件、热敏电阻、背光检测探测器、用互连金丝连接直流接线电极和管壳引脚，用金丝或金带连接介质热沉基片和介质基片上的共面波导传输线，以及光学耦合组件。方法包括：直流端口在管壳外部采用等间距排列的BTF标准封装形式；高频端口采用射频连接头；光学组件部分采用的是分离式调整；还具有热敏电阻和背光探测器便于监视半导体激光器的工作状态；带有半导体致冷器，用于对光发射芯片的工作温度进行控制。
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公开(公告)号：CN1787171A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200410009984.6
申请日：2004-12-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，是关于一种应用于半导体无源元件制作工艺中改善金属－介质－金属(MIM)电容质量的方法。该方法，包括如下步骤：步骤1：在基板上，光刻形成电容下极板图形；步骤2：依次蒸发钛/金/钛形成电容下极板；步骤3：淀积介质层；步骤4：制作空气桥；步骤5：光刻上极板图形，采用电镀方法形成上极板。本发明的工艺方法简单，成本低，重复性很好，得到的电容器件的特性较之传统工艺有很大提高。
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公开(公告)号：CN1734732A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200410058037.6
申请日：2004-08-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/3205 , B32B15/01
Abstract: 本发明涉及AlGaN/GaN HEMT器件的欧姆接触技术领域，特别是一种适用于AlGaN/GaN HEMT器件的新型欧姆接触Al/Ti/Al/Ti/Au的合金系统。欧姆接触金属蒸发时采用五层结构的AlTiAlTiAu结构。与AlGaN接触的金属第一金属层为Al，然后顺次为次为Al/Ti/Al/Ti/Au。合金温度的范围为660℃－760℃，合金时间在20－60S的范围内。该技术的合金温度、合金时间有较大的选择范围，降低了工艺难度，扩大了工艺宽容度，提高了工艺的重复性。获得比较理想的合金形貌。
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公开(公告)号：CN1734730A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200410058035.7
申请日：2004-08-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/3205 , B32B15/01
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别是一种适用于AlGaN/GaN HEMT器件的新型欧姆接触Al/Ti/Al/Ni/Au的合金系统。新型结构的欧姆接触Al/Ti/Al/Ni/Au，具有很大的工艺宽容度，可以在较低680℃－760℃的情况，获得满意的欧姆接触特性。该技术的合金温度、合金时间有很大的选择范围，降低了工艺难度，扩大了工艺宽容度，提高了工艺的重复性。获得比较理想的合金形貌。这些优势是现有其它欧姆接触技术所不具备的。
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