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公开(公告)号：CN104143544B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410232738.0
申请日：2014-05-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
Inventor： 李宝霞
IPC: H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，公开了一种晶圆硅通孔结构，所述晶圆硅通孔结构包括：通孔、正面钝化层、通孔钝化层、背面钝化层以及通孔钝化层外围的空腔；所述通孔开设在所述晶圆的硅衬底上；所述通孔内侧壁上设置通孔钝化层；所述正面钝化层与所述背面钝化层设置在所述硅衬底正面和背面；所述正面钝化层以及所述背面钝化层分别与所述通孔钝化层衔接；所述硅衬底内，所述通孔钝化层外围设置空腔。本发明通过在晶圆硅衬底上的通孔外设置空腔，降低由于通孔金属与硅材料热膨胀系数差异大造成的热应力效应；同时大大削弱通孔周围的电场密度，从而降低通孔的高频损耗。
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公开(公告)号：CN102856304A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201110175505.8
申请日：2011-06-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2924/15311 , H01L2924/1533 , H01L2924/15331
Abstract: 公开了一种半导体芯片封装结构，包括至少一个芯片封装基板和/或至少一个插入板；所述芯片封装基板上设有电磁带隙；所述插入板设有电磁带隙。本发明提供的一种半导体芯片封装结构，可以实现封装中在覆盖低频频带的超宽频带范围内的芯片电源噪声隔离屏蔽，同时兼顾超宽频带范围内的对芯片电源噪声产生的抑制。
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公开(公告)号：CN102856303A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201110174980.3
申请日：2011-06-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/64 , H01L23/00 , H01L23/485
Abstract: 公开了一种半导体芯片，包括：一半导体衬底以及若干穿透半导体衬底的导电硅通孔；所述半导体衬底上设有平板电容结构。本发明通过提高芯片上电源分配网络超宽带退耦能力，在超宽频带范围增强半导体芯片抑制电源噪声的产生和互扰，以及抵御外来电源噪声干扰的能力，从而提高半导体芯片性能。
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公开(公告)号：CN102478686A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201010561638.4
申请日：2010-11-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Inventor： 李宝霞
IPC: G02B6/34
Abstract: 本发明公开了光栅耦合器及其与光纤的耦合结构和封装结构，其中，光栅耦合器包括SOI衬底的硅衬底层(1)、光波导结构、光耦合光栅(5)，所述光波导结构是由下至上的SOI衬底的二氧化硅中间层(2)、SOI衬底的硅顶层(3)和上包层(4)构成，所述SOI衬底的硅顶层(3)上设有光耦合光栅(5)，所述SOI衬底的硅衬底层(1)上刻蚀有刻蚀孔(6)。本发明还公开了光栅耦合器与光纤的耦合结构及光栅耦合器与光纤的耦合的封装结构。通过本发明能实现光耦合光栅和光纤的无源自对准和定位。
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公开(公告)号：CN102276167A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110106709.6
申请日：2011-04-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种把金属材料插入玻璃以制造玻璃转接板的方法，以及实施该方法的装置。所述方法加热玻璃板的某一微区以使其软化，同时把金属材料插入到该软化的微区中一定深度，由此实现一种无需打孔而直接实现金属填充玻璃基板的方法。本发明的方法工艺简单，能有效解决玻璃转接板制备中打孔困难，填孔工艺复杂等问题，大大降低了工艺成本。通过该方法制作的玻璃转接板可用于微电子封装、MEMS器件封装，生物和医疗等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101382622A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200710121368.3
申请日：2007-09-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及光通信技术中光电器件阵列的光耦合封装技术领域，公开了一种光电器件阵列与光纤阵列的无源耦合方法，包括：对基片一面进行深刻蚀形成穿透整个基片的微通孔阵列；将光电器件阵列倒扣安装在基片另一面，且光电器件阵列中的每个管芯的有源区与微通孔阵列中对应的每个微通孔中心轴线垂直对准；将光纤阵列插入微通孔阵列并固定。本发明同时公开了一种制备光纤阵列的装置及方法。本发明提供的无源耦合方法具有定位精确、耦合效率高、实现工艺简单的特点。
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公开(公告)号：CN104143544A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201410232738.0
申请日：2014-05-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
Inventor： 李宝霞
IPC: H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，公开了一种晶圆硅通孔结构，所述晶圆硅通孔结构包括：通孔、正面钝化层、通孔钝化层、背面钝化层以及通孔钝化层外围的空腔；所述通孔开设在所述晶圆的硅衬底上；所述通孔内侧壁上设置通孔钝化层；所述正面钝化层与所述背面钝化层设置在所述硅衬底正面和背面；所述正面钝化层以及所述背面钝化层分别与所述通孔钝化层衔接；所述硅衬底内，所述通孔钝化层外围设置空腔。本发明通过在晶圆硅衬底上的通孔外设置空腔，降低由于通孔金属与硅材料热膨胀系数差异大造成的热应力效应；同时大大削弱通孔周围的电场密度，从而降低通孔的高频损耗。
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公开(公告)号：CN101814531A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200910077360.0
申请日：2009-02-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/92 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种利用半导体PN结结电容构成的电容器及其制作方法。该电容器以一块半导体作为基材，其电容是半导体PN结的结电容，具体包括：在一块高掺杂低阻的P型或N型半导体基材上采用扩散法或离子注入法在特定区域内形成的PN结；在形成PN结的半导体的N型区域和P型区域上采用热蒸发法、电子束蒸发法或溅射法制作的一金属膜层；在该金属膜层上采用电镀方法或丝网印刷方法制作的电极凸点；根据实际需要，引出电极可以在半导体基材的两面，或者只在刻蚀区面。本发明制作的电容器，具有结构简单，电容密度大，寄生参数小，制作工艺过程简单等优点，该电容还具有对静电和电涌的防护功能，可广泛用于高频高速高功率电子系统中。
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公开(公告)号：CN101382622B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200710121368.3
申请日：2007-09-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及光通信技术中光电器件阵列的光耦合封装技术领域，公开了一种光电器件阵列与光纤阵列的无源耦合方法，包括：对基片一面进行深刻蚀形成穿透整个基片的微通孔阵列；将光电器件阵列倒扣安装在基片另一面，且光电器件阵列中的每个管芯的有源区与微通孔阵列中对应的每个微通孔中心轴线垂直对准；将光纤阵列插入微通孔阵列并固定。本发明同时公开了一种制备光纤阵列的装置及方法。本发明提供的无源耦合方法具有定位精确、耦合效率高、实现工艺简单的特点。
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公开(公告)号：CN101382623A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200710121503.4
申请日：2007-09-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G02B6/42
Abstract: 本发明涉及光纤通信技术领域，公开了一种带光纤定位槽的斜面接收光电探测器的制作方法，在斜面接收光电探测器SVPD的制作过程中增加光纤定位槽腐蚀工艺，在SVPD的相对一侧朝向SVPD有源区的方向上腐蚀半导体衬底形成用于容纳对准光纤的光纤定位槽，将光纤定位槽与SVPD集成为一体，位于光纤定位槽的光纤的中心精确对准SVPD的有源区中心。本发明同时公开了一种带光纤定位槽的斜面接收光电探测器阵列的制作方法。利用本发明，使光纤和SVPD的对准精度在微米量级，克服了定位精度的漂移问题，提高了定位精度的可靠性，并降低了光纤对准定位的难度，降低了光纤对准定位的成本。
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