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公开(公告)号：CN113659016B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202110797165.6
申请日：2021-07-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H10F77/30 , H10F30/227
Abstract: 本发明公开一种光电探测器，涉及光电子技术领域，以通过设置有布拉格谐振腔的狭缝波导部将光信号局域至石墨烯层内，并增强光信号与石墨烯层之间的相互作用，提高光电探测器在工作时的光电探测响应度。所述光电探测器包括：基底、光波导结构、石墨烯层、第一电极和第二电极。光波导结构形成在基底上。光波导结构包括设置有布拉格谐振腔的狭缝波导部。石墨烯层至少覆盖狭缝波导部。狭缝波导部用于将光信号局域至石墨烯层内。第一电极和第二电极形成在基底的上方。第一电极与光波导结构电连接，用于在外加电场的作用下导出第一类载流子。第二电极与石墨烯层电连接，用于在外加电场的作用下导出第二类载流子。第一类载流子和第二类载流子的电性相反。
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公开(公告)号：CN113658962B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202110936536.4
申请日：2021-08-16
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L27/144 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本申请公开了一种探测器及其制作方法以及装置，所述探测器包括：在第一方向上相对设置的第一探测器单元和第二探测器单元；所述第一探测器单元包括：在所述第一方向上延伸的第一柱状电极；包围所述第一柱状电极的第一介质区；包围所述第一介质区的第一多边形电极；所述第二探测器单元包括：在所述第一方向上延伸的第二柱状电极；包围所述第二柱状电极的第二介质区；包围所述第二介质区的第二多边形电极；所述第一柱状电极与所述第二柱状电极为同一柱体在所述第一方向上相对的两部分。应用本发明提供的技术方案，通过双面刻蚀工艺，贯穿整个硅体，可以减少死区的比例，并且该探测器在工作时，粒子可双面入射，探测效率高，反应灵敏。
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公开(公告)号：CN114899248B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202210224384.X
申请日：2022-03-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/115 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种中央电极贯穿的三维沟槽电极探测器及其制备方法，以解决存在探测死区以及金属反射导致电荷收集率低等技术问题。一种中央电极贯穿的三维沟槽电极探测器包括：衬底，以及设置在所述衬底中央的中央电极，设置在所述衬底外周的沟槽电极，所述沟槽电极呈环形；所述中央电极贯穿所述衬底。
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公开(公告)号：CN114784122B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202210225615.9
申请日：2022-03-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/115 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种双面漂浮环的三维沟槽电极探测器及其制备方法，以解决底部电场分布不均、存在探测死区、电极上下表面提前击穿等技术问题。一种双面漂浮环的三维沟槽电极探测器包括：衬底，以及设置在所述衬底中央的中央电极，设置在所述衬底外周的沟槽电极，所述沟槽电极呈环形；在所述衬底的上表面以及下表面上均设置有多重漂浮环，所述多重漂浮环位于所述中央电极和所述沟槽电极之间。
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公开(公告)号：CN117577655A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311519432.9
申请日：2023-11-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请属于三维探测器技术领域，具体涉及一种三维沟槽电极探测器阵列及其制备方法。本申请通过减小阵列的各探测单元在交界处的面积进而减小交界处的刻蚀深度，有效改善了三维沟槽电极探测器阵列底部非水平分布状态。有利于改善器件底部电场分布均匀性进而提高电学信号的收集。故本申请设计的探测器阵列在航空航天、深空探测、宇宙探索、重大物理实验、医学、X射线成像、军事工业等领域具备较好应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113659018B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202110937946.0
申请日：2021-08-16
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/105 , H01L27/144
Abstract: 本申请公开了一种探测器，包括：半导体基体、柱状电极和沟槽电极，其中，柱状电极阵列排布在半导体基体内，且与半导体基体的第一表面垂直；沟槽电极至少包括多个平行的第一沟槽电极，各第一沟槽电极和各排柱状电极在半导体基体内交替排布；柱状电极的掺杂类型和沟槽电极的掺杂类型相反。可见，在该探测器中，各排柱状电极和其相邻的第一沟槽电极，以及介于两者之间的半导体基体，形成类似PIN结的结构，从而在各排柱状电极和其相邻的第一沟槽电极之间加反向偏压后，使得各排柱状电极和其相邻的第一沟槽电极之间的电场分布更加均匀，减小半导体探测器中的死区比例，进而提高半导体探测器的信噪比和探测效率等性能。
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公开(公告)号：CN117107346A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202210535049.1
申请日：2022-05-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种不破坏组件结构的光伏组件短路返修设备，包括气体反应模块、晶体生长模块、氧气储气瓶以及发生器。气体反应模块通过第一加热装置对Ge和GeO2粉末加热在反应腔体中预先生成GeO气体，以气态形式通入晶体生长模块内。晶体生长模块通过第二加热装置加热生长腔体内的衬底，GeO在其中被O2/O3混合气体或O等离子体氧化，在被加热的衬底上外延沉积，生成r‑GeO2单晶。通过在气体反应模块的反应腔体中预先生成气态的GeO，将其导入晶体生长模块的生长腔体中，再被氧化生成r‑GeO2单晶。利用Ge和GeO2的归中反应，以及将前驱体粉末喷射进反应腔体的装置，可以大大增加反应速率，提升Ge的分子束流，故而可以极大的提升r‑GeO2单晶的生长速率。
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公开(公告)号：CN117075435A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202310897172.2
申请日：2023-07-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种工艺容差的确定方法及系统、电子设备和存储介质，涉及光学技术领域，用于提高工艺容差的确定精度和效率，利于实现对数量较多、且结构复杂的光学结构的优化。所述工艺容差的确定方法包括：根据光学结构对应的制造实物，确定实际结构轮廓。根据光学结构对应的设计结构参数，确定初始的设计结构轮廓。对初始的设计结构轮廓进行调整，以使调整后的设计结构轮廓与实际结构轮廓大致拟合，并获取结构调整参数。根据设计结构参数和结构调整参数，确定工艺容差。
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公开(公告)号：CN116794767A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310076642.9
申请日：2023-01-16
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请提供一种层间耦合结构及其制备方法，该结构包括：位于衬底上的第一波导；第一介质层覆盖第一波导；位于第一介质层远离衬底一侧的第一层氮化硅结构；第二介质层覆盖第一层氮化硅结构；位于第二介质层远离衬底一侧的第二层氮化硅结构；第一波导、第一层氮化硅结构和第二层氮化硅结构任意两者之间在衬底上的正投影具有重合区域；第二层氮化硅结构靠近第一波导的一端具有斜面结构。利用第一层氮化硅结构来提高层间耦合结构中膜层的质量，降低波导损耗，但第一层氮化硅结构的厚度不宜过厚，否则会产生裂纹，从而影响器件的整体性能，故在第一层氮化硅结构上形成第二层氮化硅结构以从整体上保证层间耦合结构中膜层厚度，减少损耗，提高器件性能。
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公开(公告)号：CN116504851A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310378551.0
申请日：2023-04-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/115 , H01L31/119 , H01L31/18 , H01L27/144
Abstract: 本申请属于辐射探测技术领域，具体涉及一种具备栅型结构电极的像素阵列探测器及其制备方法。该像素阵列探测器包含像素单元，且像素单元包含基体，该基体具备读取面与接收面，且读取面、接收面设于基体厚度方向的两端；在读取面、接收面中的至少一个形成有沟槽，沟槽内布置有阴极电极和/或阳极电极，其中，阴极电极位于读取面端，阳极电极位于接收面端；阴极电极和/或阳极电极为相互连接的栅部与支撑部形成的栅型结构。本申请设计的具备栅型结构的电极相较于现有技术的矩形或方形结构电极，电极面积有效减小，有利于降低像素阵列探测器的电容，并提高探测器的灵敏度。
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