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公开(公告)号：CN118795609A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202411009669.7
申请日：2024-07-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开一种端面耦合器及其设计方法，设计光传输技术领域，用于提高第一光纤与波导层之间的端面耦合效率。所述端面耦合器包括：半导体衬底和波导层。波导层位于半导体衬底的表面上。波导层包括输入耦合波导、模式转换波导和输出波导。输入耦合波导的输入端用于与第一光纤连接。模式转换波导的输入端和输入耦合波导的输出端连接、模式转换波导的输出端和输出波导的输入端连接。其中，第一光纤用于传输复合光，复合光包括至少两个不同波段的光信号，复合光中每两个不同波段的光信号的波长之间的差值大于等于20nm。输入耦合波导包括平行且间隔设置的至少两个子输入波导，每个子输入波导的输入波长相同。
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公开(公告)号：CN112269276B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202011272415.6
申请日：2020-11-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明公开了一种光器件，涉及光器件技术领域，用于在加热电极加热过程中，使光波导均匀受热，从而提高光器件的工作性能。该光器件包括：基底和热场调节部。基底具有光波导、以及位于光波导上方的加热电极。加热电极具有镂空区域。热场调节部位于光波导和加热电极之间。热场调节部用于在加热电极加热过程中，调节加热电极所产生的热场的传导范围，以使光波导均匀受热。
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公开(公告)号：CN112462452A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011165681.9
申请日：2020-10-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种制作光子晶体的方法及光子晶体，该制作光子晶体的方法包括以下步骤：提供绝缘体上硅(SOI)衬底；在所述绝缘体上硅(SOI)衬底上沉积硬掩膜层；在所述硬掩膜层上形成凹槽；采用原子层沉积(ALD)工艺在所述凹槽内形成侧墙；在所述绝缘体上硅(SOI)衬底上形成孔洞结构。采用原子层沉积侧墙工艺，减小孔洞尺寸，实现超出光刻机能力范围的光子晶体结构。
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公开(公告)号：CN112285828A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011062486.3
申请日：2020-09-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种端面耦合器及其封装方法、应用。一种端面耦合器的封装方法，包括：在SOI片上形成端面耦合器；在端面耦合器设有沟槽开口的表面等离子体增强化学气相沉积氧化硅；进行后续封装工序。本发明利用PECVD的低台阶覆盖率特点对端面耦合器的沟槽开口封口，解决了后续封装材料填充堵塞沟槽导致器件失效的问题。
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公开(公告)号：CN112327412B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202011167356.6
申请日：2020-10-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种双层硅基光子器件的制作方法及双层硅基光子器件，该双层硅基光子器件的制作方法包括以下步骤：提供第一层波导结构绝缘体上硅(SOI)衬底；在所述绝缘体上硅(SOI)衬底上形成第一层波导结构；采用介质材料回填第一层；在非第一层波导结构的所述介质材料区域形成凹槽；采用各向同性腐蚀工艺腐蚀所述凹槽，以在所述凹槽上形成斜面；沉积第二层波导材料，所述第二层波导材料在所述凹槽处与所述第一层波导结构耦合。采用各向同性腐蚀方法将层间介质形成斜坡，使第二层波导材料与第一层波导结构在同一层次实现耦合，增加耦合效率，降低层间串扰。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112462468B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202011165698.4
申请日：2020-10-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种利用图形反转制作光子晶体的方法及光子晶体，该光子晶体的制备方法包括以下步骤：提供绝缘体上硅(SOI)衬底；在所述绝缘体上硅(SOI)衬底上至少沉积一层硬掩膜层；刻蚀所述硬掩膜层，以形成第一图形；氧化所述第一图形，以减小所述第一图形的线宽；沉积介质材料，以在所述第一图形的间隙形成第二图形；刻蚀去除所述硬掩膜层；以所述第二图形为光刻掩膜刻蚀所述绝缘体上硅(SOI)衬底。采用图形反转牺牲氧化方法，减小孔洞尺寸，实现超出光刻机能力范围的光子晶体结构。
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公开(公告)号：CN112327412A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011167356.6
申请日：2020-10-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种双层硅基光子器件的制作方法及双层硅基光子器件，该双层硅基光子器件的制作方法包括以下步骤：提供第一层波导结构绝缘体上硅(SOI)衬底；在所述绝缘体上硅(SOI)衬底上形成第一层波导结构；采用介质材料回填第一层；在非第一层波导结构的所述介质材料区域形成凹槽；采用各向同性腐蚀工艺腐蚀所述凹槽，以在所述凹槽上形成斜面；沉积第二层波导材料，所述第二层波导材料在所述凹槽处与所述第一层波导结构耦合。采用各向同性腐蚀方法将层间介质形成斜坡，使第二层波导材料与第一层波导结构在同一层次实现耦合，增加耦合效率，降低层间串扰。
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公开(公告)号：CN116794767A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310076642.9
申请日：2023-01-16
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请提供一种层间耦合结构及其制备方法，该结构包括：位于衬底上的第一波导；第一介质层覆盖第一波导；位于第一介质层远离衬底一侧的第一层氮化硅结构；第二介质层覆盖第一层氮化硅结构；位于第二介质层远离衬底一侧的第二层氮化硅结构；第一波导、第一层氮化硅结构和第二层氮化硅结构任意两者之间在衬底上的正投影具有重合区域；第二层氮化硅结构靠近第一波导的一端具有斜面结构。利用第一层氮化硅结构来提高层间耦合结构中膜层的质量，降低波导损耗，但第一层氮化硅结构的厚度不宜过厚，否则会产生裂纹，从而影响器件的整体性能，故在第一层氮化硅结构上形成第二层氮化硅结构以从整体上保证层间耦合结构中膜层厚度，减少损耗，提高器件性能。
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公开(公告)号：CN112462470B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202011167383.3
申请日：2020-10-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种利用侧墙转移制作硅基光子器件的方法及硅基光子器件，该方法包括以下步骤：提供绝缘体上硅衬底；在所述绝缘体上硅衬底上至少沉积一层刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层上形成凹槽；沉积第一侧墙材料，以在所述凹槽两侧形成第一侧墙；去除所述第一侧墙两侧的刻蚀停止层；沉积第二侧墙材料，以在所述第一侧墙两侧形成第二侧墙；刻蚀去除所述第一侧墙；以第二侧墙为光刻掩膜刻蚀所述绝缘体上硅衬底。该方法采用多次侧墙转移方法形成陡直度好的光栅结构，并可远超过光刻机线宽精度。
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公开(公告)号：CN112198588A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202011065987.7
申请日：2020-09-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种硅波导及其制备方法。一种硅波导的制备方法，包括：在半导体基底上形成矩形硅波导；通入氢气气流，对所述矩形硅波导进行退火处理，使表面光滑，退火温度为975℃～1025℃。本发明方法利用高温退火工艺将矩形光波导修正为表面光滑的弧形波导，降低了粗糙度，从而降低波导传输损耗。
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