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公开(公告)号：CN118169908A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410353881.9
申请日：2024-03-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种电吸收调制器及其制备方法。该电吸收调制器包括第一脊波导、第二脊波导和楔形波导；其中，所述第一脊波导与所述第二脊波导为对接耦合；所述第一脊波导的平板区和脊区分别高于所述第二脊波导的平板区和脊区；所述楔形波导的底面与所述第一脊波导的脊区的端面对接，且所述楔形波导还位于所述第二脊波导的脊区上；所述第一脊波导为有源区波导，所述第二脊波导为硅波导。本发明提高了电吸收调制器的调制效率。
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公开(公告)号：CN111554759B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202010063210.0
申请日：2020-01-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/028 , H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种锗探测器及其制造方法，所述锗探测器的制造方法包括：在半导体衬底的上表面形成第一介质层；对所述第一介质层进行刻蚀，直至暴露出所述半导体衬底的部分上表面，以形成第一凹槽；在所述第一凹槽的底部生长第一探测层，所述第一探测层的材料为锗硅；在所述第一探测层的上表面生长第二探测层，所述第二探测层的材料为锗；在所述第二探测层的上表面生长第三探测层，所述第三探测层的材料为锗；对所述第三探测层进行表面平坦化处理，使所述第三探测层的上表面和所述第一介质层的上表面位于同一平面内。本发明提供的锗探测器及其制造方法，采用锗硅作为缓冲层，可以达到减小锗探测器暗电流的目的。
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公开(公告)号：CN112327412B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202011167356.6
申请日：2020-10-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种双层硅基光子器件的制作方法及双层硅基光子器件，该双层硅基光子器件的制作方法包括以下步骤：提供第一层波导结构绝缘体上硅(SOI)衬底；在所述绝缘体上硅(SOI)衬底上形成第一层波导结构；采用介质材料回填第一层；在非第一层波导结构的所述介质材料区域形成凹槽；采用各向同性腐蚀工艺腐蚀所述凹槽，以在所述凹槽上形成斜面；沉积第二层波导材料，所述第二层波导材料在所述凹槽处与所述第一层波导结构耦合。采用各向同性腐蚀方法将层间介质形成斜坡，使第二层波导材料与第一层波导结构在同一层次实现耦合，增加耦合效率，降低层间串扰。
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公开(公告)号：CN112964668B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202110138043.6
申请日：2021-02-01
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本公开提供一种基于谐振器的物质浓度检测装置及方法，其中装置包括：偏振分束单元、光束谐振单元、置物单元和测量单元，光束谐振单元包括第一谐振器和第二谐振器；偏振分束单元用于将输入光束分成第一偏振光束和第二偏振光束；第一谐振器用于将接收到的第一偏振光束中的第一波长光束，耦合至第一谐振器中；第二谐振器用于将接收到的第二偏振光束中的第二波长光束，耦合至第二谐振器中；置物单元用于放置待测物；测量单元用于确定第一谐振器对应的第一漂移参数和第二谐振器对应的第二漂移参数；根据第一漂移参数和第二漂移参数确定待测物浓度，本公开通过两种模式的谐振器实现了光信号的大范围和高灵敏度测量，提高了物质浓度检测的准确性。
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公开(公告)号：CN112462468B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202011165698.4
申请日：2020-10-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种利用图形反转制作光子晶体的方法及光子晶体，该光子晶体的制备方法包括以下步骤：提供绝缘体上硅(SOI)衬底；在所述绝缘体上硅(SOI)衬底上至少沉积一层硬掩膜层；刻蚀所述硬掩膜层，以形成第一图形；氧化所述第一图形，以减小所述第一图形的线宽；沉积介质材料，以在所述第一图形的间隙形成第二图形；刻蚀去除所述硬掩膜层；以所述第二图形为光刻掩膜刻蚀所述绝缘体上硅(SOI)衬底。采用图形反转牺牲氧化方法，减小孔洞尺寸，实现超出光刻机能力范围的光子晶体结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113380905B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110502234.6
申请日：2021-05-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L31/18 , H01L27/146
Abstract: 本发明公开一种硅基光探测器以及制备方法、电子设备，涉及硅基器件技术领域，用于提供一种结构简单、光响应度和量子效率较高的硅基光探测器。包括：具有脊型顶层硅的SOI基底；其中，脊型顶层硅包括基部以及形成在所述基部上的脊部；形成在脊部中的N型掺杂区，以及至少形成在基部中的P型掺杂区；其中，N型掺杂区包括N型重掺杂区以及形成在N型重掺杂区两侧的N阱，P型掺杂区包括P阱以及形成在P阱两侧的P型重掺杂区，且N型重掺杂区域与P阱之间形成有超浅结；形成在P型重掺杂区上的阳极，以及形成在N型重掺杂区上的阴极。
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公开(公告)号：CN114488394A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210089673.3
申请日：2022-01-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开一种氮化硅光栅耦合器及其制备方法、光器件，涉及光器件技术领域，用于提供一种采用低压化学气相淀积法与等离子体增强化学气相沉积相结合的方式有效提升光纤与光芯片的耦合效率的技术方案。氮化硅光栅耦合器包括：衬底；形成在衬底上的包层；形成在包层中的光栅耦合器；其中，光栅耦合器包括自下而上间隔设置的第一氮化硅光栅耦合层和第二氮化硅光栅耦合层，第一氮化硅光栅耦合层与第二氮化硅光栅耦合层之间形成有包层；其中，第一氮化硅光栅耦合层采用低压化学气相淀积法形成，第二氮化硅光栅耦合层采用等离子体增强化学气相沉积法形成。
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公开(公告)号：CN113471656B
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202110604680.8
申请日：2021-05-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开一种波导器件及其制备方法，涉及半导体制造技术领域，以解决在氮化硅薄膜厚度较厚的情况下，在大面积生长氮化硅薄膜时，氮化硅薄膜存在较大的应力，易产生裂纹，从而影响波导器件的性能的技术问题。包括：提供一基底；在第一介质层上形成具有至少一个区域槽的第二介质层。当第二介质层的厚度大于预设厚度时，第二介质层包括多次形成的多个第二子介质层。其中，第二介质层为氮化硅介质层，形成每个第二子介质层均包括：在第一介质层上淀积第二介质材料层，对第二介质材料层依次进行第一图案化处理和热处理，得到第二子介质层，在第二介质层的波导器件区域形成波导结构，得到波导器件。
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公开(公告)号：CN111077607B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN201911398161.X
申请日：2019-12-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种硅基光波导器件的制造方法，包括：形成SOI衬底，所述SOI衬底包括至下而上依次层叠设置的硅衬底、埋氧层以及顶硅层；对所述顶硅层进行刻蚀，形成波导结构和第一凹槽；在所述波导结构的上表面和所述埋氧层的上表面形成上包层，所述上包层的材料和所述埋氧层的材料相同；对所述上包层和所述埋氧层进行刻蚀，形成第二凹槽；对所述硅衬底进行刻蚀，形成第三凹槽，所述第三凹槽的深度小于所述硅衬底的厚度，且所述第三凹槽的水平投影与所述第二凹槽的水平投影重合。本发明提供的硅基光波导器件的制造方法，在形成用于端面耦合的深槽结构时，刻蚀工艺只需要切换一次，因而简化了刻蚀菜单，降低了刻蚀难度和对光刻胶厚度的要求。
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公开(公告)号：CN111307415B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202010113555.2
申请日：2020-02-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01M11/00
Abstract: 本发明实施例提供一种光波导传输系统、光波导传输损耗的测量方法，涉及光通信领域，可大大减少测量光波导传输损耗的时间。一种光波导传输损耗的测量方法，包括：光发射器通过第一光纤向检测芯片的至少三个光波导发送第一光信号；至少三个光波导为长度呈等差的波导阵列；第一光纤的第一输出端包括至少三个第一子输出端，第一子输出端与光波导一一对应；光波导通过第二光纤向光功率计发送第二光信号；第二光纤的第二输入端包括至少三个第二子输入端，第二子输入端与光波导一一对应；根据第一光信号和第二光信号，得到光波导的传输损耗。
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