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公开(公告)号：CN113433615B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202110540846.4
申请日：2021-05-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明公开了一种芯片，涉及芯片技术领域，用于通过一个光栅耦合器实现在相同的出射角度下对不同波长的寻址激光进行衍射，提高芯片的大规模可扩展性。所述芯片包括：基底、以及设置在基底表面的表面离子阱电极；表面离子阱电极用于在基底上方的预设区域内囚禁离子；其中，基底具有多个光栅耦合器；光栅耦合器所包括的光栅部用于将多种不同波长的寻址激光以相同的出射角度衍射至同一离子处，以完成寻址。
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公开(公告)号：CN113659016A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110797165.6
申请日：2021-07-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/108
Abstract: 本发明公开一种光电探测器，涉及光电子技术领域，以通过设置有布拉格谐振腔的狭缝波导部将光信号局域至石墨烯层内，并增强光信号与石墨烯层之间的相互作用，提高光电探测器在工作时的光电探测响应度。所述光电探测器包括：基底、光波导结构、石墨烯层、第一电极和第二电极。光波导结构形成在基底上。光波导结构包括设置有布拉格谐振腔的狭缝波导部。石墨烯层至少覆盖狭缝波导部。狭缝波导部用于将光信号局域至石墨烯层内。第一电极和第二电极形成在基底的上方。第一电极与光波导结构电连接，用于在外加电场的作用下导出第一类载流子。第二电极与石墨烯层电连接，用于在外加电场的作用下导出第二类载流子。第一类载流子和第二类载流子的电性相反。
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公开(公告)号：CN113655644A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110796025.7
申请日：2021-07-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种电光调制器，涉及光子器件技术领域，以通过设置有布拉格谐振腔的狭缝波导部将光信号局域至石墨烯层内，并增强光信号与石墨烯层之间的相互作用，提高电光调制器在工作时的电光调制响应度，提升电光调制器的工作性能。所述电光调制器包括：基底、光波导结构、石墨烯层、第一电极和第二电极。光波导结构形成在基底上。光波导结构包括设置有布拉格谐振腔的狭缝波导部。石墨烯层至少覆盖狭缝波导部。狭缝波导部用于将光信号局域至石墨烯层内。第一电极和第二电极形成在基底的上方。第一电极与光波导结构电连接。第二电极与石墨烯层电连接。
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公开(公告)号：CN113471656A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110604680.8
申请日：2021-05-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开一种波导器件及其制备方法，涉及半导体制造技术领域，以解决在氮化硅薄膜厚度较厚的情况下，在大面积生长氮化硅薄膜时，氮化硅薄膜存在较大的应力，易产生裂纹，从而影响波导器件的性能的技术问题。包括：提供一基底；在第一介质层上形成具有至少一个区域槽的第二介质层。当第二介质层的厚度大于预设厚度时，第二介质层包括多次形成的多个第二子介质层。其中，第二介质层为氮化硅介质层，形成每个第二子介质层均包括：在第一介质层上淀积第二介质材料层，对第二介质材料层依次进行第一图案化处理和热处理，得到第二子介质层，在第二介质层的波导器件区域形成波导结构，得到波导器件。
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公开(公告)号：CN113327896A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110469308.0
申请日：2021-04-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/8238
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域，用于通过扩散的方式形成源/漏区，并且半导体器件所包括的源/漏区采用肖特基结构，以提高半导体器件的工作性能。所述半导体器件的制造方法包括：在衬底上形成沿第一方向延伸的鳍状结构。鳍状结构具有源/漏区形成区和沟道区。形成至少覆盖在鳍状结构所具有的源/漏区形成区上的扩散掺杂层。对形成有鳍状结构和扩散掺杂层的衬底进行第一退火处理，以在鳍状结构所具有的源/漏区形成区的表面形成源/漏区。去除扩散掺杂层，并形成至少覆盖在源/漏区上的金属层。对形成有鳍状结构和金属层的衬底进行第二退火处理，以至少使得源/漏区形成肖特基源/漏区。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113009624A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110189580.3
申请日：2021-02-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本公开提供一种光学器件测试结构及其制作方法，其中结构包括：基底；以及在所述基底上形成的器件层，所述器件层包括光器件、端面耦合器和光栅耦合器；其中，所述光器件与所述端面耦合器通过光波导连接；所述端面耦合器和所述光栅耦合器耦合连接，所述光栅耦合器位于所述基底上待制作划片深槽的区域。本公开提供的光学器件测试结构，结合了端面耦合器和光栅耦合器的优点，可以同时解决光芯片的晶圆级测试和芯片封装问题。
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公开(公告)号：CN112945907A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110126293.8
申请日：2021-01-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01N21/43
Abstract: 本公开提供一种集成光交叉波导的传感阵列及生化检测系统，包括：基底；光交叉波导，沿着所述基底表面的长度方向设置，在所述光交叉波导两侧设有侧壁，该侧壁与所述光交叉波导形成多个凹槽；传感阵列，所述传感阵列包括多个谐振传感器，所述多个谐振传感器分别设置于所述光交叉波导同一侧的所述凹槽中，所述多个谐振传感器与所述光交叉波导侧耦合；盖板，具有多个微流体通道，设置于所述光交叉波导上，与所述光交叉波导键合，所述多个微流体通道与所述多个谐振传感器一一对应。本公开集成了低插损的光交叉波导，在不牺牲波导传输效率及结构尺寸的前提下，解决了谐振传感器间或与集成器件间的串扰问题。
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公开(公告)号：CN112924143A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110134591.1
申请日：2021-01-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种光子芯片晶圆级测试装置和方法，属于硅光子与光电子技术领域，解决现有测试方法不能经由端面耦合器件对光学器件进行测试并影响光学器件的尺寸减小的问题。该装置包括待测晶圆和L型透镜光纤，待测晶圆包括：半导体衬底；叠层结构设置在半导体衬底上方；多个沟槽包括第一方向和第二方向的多个平行沟槽，穿透叠层结构并穿过半导体衬底的部分厚度，用于放置L型透镜光纤，待测晶圆经由第一方向和第二方向的多个平行沟槽划分为多个光子芯片，待测光学器件设置在光子芯片中，L型透镜光纤的端部在光子芯片的相对侧处与待测光学器件水平对准，第一方向垂直于第二方向。L型光纤放置于沟槽中以通过水平方向光信号对光学器件进行测试。
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公开(公告)号：CN112680715A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011263056.8
申请日：2020-11-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种氮化硅膜的生长方法及厚膜氮化硅波导器件的制备方法。氮化硅膜的生长方法：在半导体衬底上生长氧化层；在氧化层上刻蚀出多条深槽，每条深槽底部深入半导体衬底内部，并且多条深槽相交将氧化层分成多个区域；然后在氧化层表面，利用LPCVD方法分多次沉积多层氮化硅膜，多层氮化硅膜堆叠成预设厚度的氮化硅膜，并且多次沉积中除最后一次沉积外，其余每次沉积之后都进行退火处理。氮化硅波导器件的制备方法：采用上述的生长方法生长氮化硅厚膜，制作波导结构，经过后续工艺形成波导器件。本发明以多组相邻深槽作为隔离区，提出了划区域预留氮化硅沉积区域的方法，解决了氮化硅因膜太厚而产生的高应力问题。
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公开(公告)号：CN112462470A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011167383.3
申请日：2020-10-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种利用侧墙转移制作硅基光子器件的方法及硅基光子器件，该方法包括以下步骤：提供绝缘体上硅衬底；在所述绝缘体上硅衬底上至少沉积一层刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层上形成凹槽；沉积第一侧墙材料，以在所述凹槽两侧形成第一侧墙；去除所述第一侧墙两侧的刻蚀停止层；沉积第二侧墙材料，以在所述第一侧墙两侧形成第二侧墙；刻蚀去除所述第一侧墙；以第二侧墙为光刻掩膜刻蚀所述绝缘体上硅衬底。该方法采用多次侧墙转移方法形成陡直度好的光栅结构，并可远超过光刻机线宽精度。
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