公开(公告)号：CN101414562A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200710175969.2

申请日：2007-10-17

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 李诚瞻 ,  魏珂 ,  刘新宇 ,  刘键 ,  刘果果 ,  郑英奎 ,  王冬冬 ,  黄俊 ,  和致经

IPC: H01L21/335

Abstract: 本发明涉及宽禁带半导体材料器件制作技术领域，公开了一种提高氮化镓基场效应晶体管性能的方法，该方法包括：在制作氮化镓基场效应晶体管的过程中，在对氮化镓基场效应晶体管进行钝化之前，采用混合预处理溶液对器件表面进行表面预处理，然后在进行表面预处理后的器件表面淀积氮化硅和富氧氮化硅复合介质层，对氮化镓基场效应晶体管进行钝化。利用本发明，解决了AlGaN表面长期存在的表面原始氧化层，消除了表面氧化层诱生的AlGaN表面态，并解决了AlGaN和氮化硅界面存在的表面态和表面原始氧化层诱生的电流崩塌效应以及常规钝化引起的栅反向漏电大幅度增加的问题，提高了GaN基HEMT的稳定性和可靠性。

公开(公告)号：CN100594591C

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200710175969.2

申请日：2007-10-17

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 李诚瞻 ,  魏珂 ,  刘新宇 ,  刘键 ,  刘果果 ,  郑英奎 ,  王冬冬 ,  黄俊 ,  和致经

IPC: H01L21/335

Abstract: 本发明涉及宽禁带半导体材料器件制作技术领域，公开了一种提高氮化镓基场效应晶体管性能的方法，该方法包括：在制作氮化镓基场效应晶体管的过程中，在对氮化镓基场效应晶体管进行钝化之前，采用混合预处理溶液对器件表面进行表面预处理，然后在进行表面预处理后的器件表面淀积氮化硅和富氧氮化硅复合介质层，对氮化镓基场效应晶体管进行钝化。利用本发明，解决了AlGaN表面长期存在的表面原始氧化层，消除了表面氧化层诱生的AlGaN表面态，并解决了AlGaN和氮化硅界面存在的表面态和表面原始氧化层诱生的电流崩塌效应以及常规钝化引起的栅反向漏电大幅度增加的问题，提高了GaN基HEMT的稳定性和可靠性。