公开(公告)号：CN1670262A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN200410039695.0

申请日：2004-03-16

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 刘新宇 ,  孙海峰 ,  和致经 ,  邵刚

IPC: C25D7/12

Abstract: 一种电镀起镀层的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：a)在半导体衬底上制作第一层钛金属；b)在第一层钛金属上制作一层金属金；c)在金属金上制作第二层钛属金，完成起镀层的制作。

公开(公告)号：CN1641837A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN200410001433.5

申请日：2004-01-08

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 邵刚 ,  刘新宇 ,  和致经 ,  刘键 ,  吴德馨

IPC: H01L21/288 ,  H01L21/445 ,  H05K3/06

Abstract: 一种复合胶电镀制作空气桥的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)在基片上涂复合胶，光刻桥墩；2)高温烘烤，使复合胶边角圆滑；3)在复合胶上溅射起镀层；4)在起镀层上涂二次光刻胶，光刻桥面；5)光刻桥面后在起镀层上电镀金属；6)剥离去除光刻胶以下的起镀层，使之露出两侧的基片，形成空气桥。

公开(公告)号：CN100357495C

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200410039695.0

申请日：2004-03-16

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 刘新宇 ,  孙海峰 ,  和致经 ,  邵刚

IPC: C25D7/12 ,  B32B15/01

Abstract: 一种电镀起镀层的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：a)在半导体衬底上制作第一层钛金属，该第一层钛金属的厚度为300；b)在第一层钛金属上制作一层金属金，该金属金的厚度为500-1500；c)在金属金上制作第二层钛金属，该第二层钛金属的厚度为200，完成起镀层的制作。