公开(公告)号：CN105336600B

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201410397826.6

申请日：2014-08-14

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 崔虎山 ,  罗军 ,  刘庆波 ,  王桂磊 ,  卢一泓 ,  杨涛 ,  殷华湘 ,  李俊峰 ,  赵超

IPC: H01L21/285 ,  C23F1/02 ,  C23F1/28

Abstract: 一种形成金属硅化物的方法，包括：在含单晶、非晶、多晶硅的晶圆表面上沉积镍基金属，含有镍以及至少第二种金属；进行退火，使得镍基金属与暴露区域的硅反应形成镍基金属硅化物，比如位于源漏、栅极区域；采用湿法腐蚀混合液，在不损失刚形成的金属硅化物的同时选择性的湿法腐蚀去除未跟硅反应的镍基金属，其中混合液配方包含碘盐、单质碘、有机或无机酸和溶剂。依照本发明的金属硅化物工艺以及所使用的选择性湿法腐蚀混合液，通过合理调整湿法腐蚀液的各组分配比，在较低温度下获得了寿命较长的化学活性组分，从而降低了湿法腐蚀机台的配置要求，且降低了工艺成本、提高了工艺稳定性。

公开(公告)号：CN105336784B

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201410397828.5

申请日：2014-08-13

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 王桂磊 ,  赵超 ,  徐强

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成栅极沟槽；在栅极沟槽中依次形成栅极绝缘层、栅极导电层；在栅极导电层上形成TiN或者WN材质的阻挡层；采用ALD法淀积金属W层，进一步包括：步骤a1，交替通入SiH4气体、与WF6气体，反应形成不含B的第一类型W层；步骤a2，交替通入B2H6和SiH4的混合气体、与WF6气体，反应形成含有B的第二类型W层。依照本发明的半导体器件及其制造方法，在ALD法沉积W之时预先通入使用SiH4气体，再通入B2H6和SiH4混合气体交替反应方式形成ALD W薄膜，在保证了ALD W薄膜的填孔性能的同时，又避免了硼元素在阻挡层的界面富集以及穿透到高k材料中，并同时提升了W薄膜和阻挡层薄膜的粘附性，增大了W CMP工艺的窗口以及器件的可靠性。

公开(公告)号：CN105336619B

公开(公告)日：2018-09-18

申请号：CN201410360690.1

申请日：2014-07-25

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 王桂磊 ,  李俊峰 ,  赵超

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 一种半导体器件制造方法，包括：步骤1，在PMOS器件中形成栅极开口；步骤2，在栅极开口中沉积高K材料的栅极绝缘层以及金属材料的栅极导电层；步骤3，在栅极开口中、栅极导电层上，采用ALD法沉积金属材质的栅极接触层，其中，ALD法的前驱物包括硅基前驱物和金属氟化物。依照本发明的半导体器件制造方法，通过合理调整金属栅极沉积工艺，在保证金属栅极填充率高的同时增大金属栅极对于PMOS器件垂直于沟道区方向的张应力，有效提高了器件载流子迁移率，提高了器件驱动性能。

公开(公告)号：CN105355576B

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201410409029.5

申请日：2014-08-19

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 杨涛 ,  王桂磊 ,  陈韬 ,  崔虎山 ,  卢一泓 ,  李俊峰 ,  赵超

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明提供一种沟道替换工艺的监测方法，包括：提供外延形成替代沟道后的衬底的质量目标值以及其容差范围；提供具有鳍的衬底，去除鳍以形成开口；在开口中外延形成替代沟道；获得形成替代沟道后的衬底的质量；判断该质量是否在质量目标值的容差范围内。该方法直观、快速并对晶圆没有损伤，适用于量产时对沟道外延工艺的有效监测，以有效控制沟道外延工艺。

公开(公告)号：CN104916538B

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201410089112.9

申请日：2014-03-11

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 王桂磊 ,  赵超 ,  徐强 ,  杨涛

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括步骤：在衬底上形成栅沟槽；在栅沟槽中形成栅介质层以及其上的金属栅极层；在金属栅极层表面上形成扩散阻挡层；采用ALD工艺，在扩散阻挡层上形成填满栅沟槽的钨层，所述扩散阻挡层阻挡形成钨层过程中的前驱物中离子的扩散。扩散阻挡层阻挡ALD形成钨层时前驱物中离子的扩散，有效提高了器件的性能以及可靠性。

公开(公告)号：CN108063168A

公开(公告)日：2018-05-22

申请号：CN201711346331.0

申请日：2017-12-14

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 王桂磊 ,  亨利·H·阿达姆松 ,  罗军 ,  赵超 ,  刘实

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种基于应变调控的Ge光电探测器及其制作方法。其中，Ge光电探测器，包括：缓冲层外延衬底，为SOI衬底与缓冲层形成的结构，或GeOI衬底；Ge PIN结构，形成于缓冲层外延衬底之上；以及应变介质层，形成于缓冲层外延衬底之上，环绕于Ge PIN结构的周围，对该Ge PIN结构产生张应变并进行调控，以增强Ge PIN结构中的载流子迁移率。该Ge光电探测器及其制作方法提高了探测器的响应速度，降低了暗电流和制作成本。

公开(公告)号：CN107132617A

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201710212517.0

申请日：2017-04-01

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 王桂磊 ,  张严波 ,  亨利·雷德森 ,  李俊峰 ,  赵超

IPC: G02B6/13 ,  G02B6/12

Abstract: 本发明属于半导体集成技术领域，公开了一种降低硅基光波导侧壁粗糙度的方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成硅基光波导线条；对含有所述硅基光波导线条的衬底进行氢气退火，所述氢气退火的腔室压力为：20Torr‑1atm。本发明解决了现有技术中硅基光波导侧壁粗糙度过大的问题，本发明提供的方法不仅工艺简单，而且能很好地保持硅基光波导线条的形貌和尺寸，达到了在20Torr‑1atm腔室压力条件下实现降低硅基光波导侧壁粗糙度的技术效果。

公开(公告)号：CN105990091A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510048255.X

申请日：2015-01-29

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 罗军 ,  亨利·H·阿达姆松 ,  王桂磊 ,  赵超

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16

Abstract: 本发明公开了一种石墨烯的生长方法，包括：提供单晶硅或单晶锗的衬底；在衬底上形成Si1-xGexCy的外延层，其中，0.7≤x

公开(公告)号：CN105575807A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201410525730.3

申请日：2014-10-08

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 殷华湘 ,  秦长亮 ,  王桂磊 ,  朱慧珑

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/08

Abstract: 本发明公开了一种鳍式场效应晶体管的制造方法，包括步骤：提供衬底，所述衬底上形成有鳍，鳍之间形成有隔离；在鳍上形成栅极；去除栅极两端的部分厚度的鳍，以在隔离间形成凹陷区；从凹陷区开口端部去除部分隔离，以增大凹陷区的开口宽度；进行选择性外延生长并进行掺杂，以在凹陷区上形成源漏区。本发明在鳍上的源漏区域形成在隔离间的凹陷区上，且凹陷区具有更大的开口，这样，形成体积更大的源漏区，从而增强源漏区的应力作用，提高器件的载流子迁移率。

公开(公告)号：CN105405782A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201410409038.4

申请日：2014-08-19

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 杨涛 ,  王桂磊 ,  陈韬 ,  李俊峰 ,  赵超

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明提供一种源漏外延工艺的监测方法，包括：提供外延形成源漏区后的衬底的质量目标值以及其容差范围；提供衬底，在衬底上形成源漏沟槽，并在源漏沟槽中外延形成源漏区；获得外延形成源漏区后的衬底的质量；判断该质量是否在质量目标值的容差范围内。该方法直观、快速并对晶片没有损伤，也无需特定的测试结构，适用于量产时对源漏外延制程的有效监测，以便有效控制外延形成源漏的质量。