公开(公告)号：CN105336600B

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201410397826.6

申请日：2014-08-14

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 崔虎山 ,  罗军 ,  刘庆波 ,  王桂磊 ,  卢一泓 ,  杨涛 ,  殷华湘 ,  李俊峰 ,  赵超

IPC: H01L21/285 ,  C23F1/02 ,  C23F1/28

Abstract: 一种形成金属硅化物的方法，包括：在含单晶、非晶、多晶硅的晶圆表面上沉积镍基金属，含有镍以及至少第二种金属；进行退火，使得镍基金属与暴露区域的硅反应形成镍基金属硅化物，比如位于源漏、栅极区域；采用湿法腐蚀混合液，在不损失刚形成的金属硅化物的同时选择性的湿法腐蚀去除未跟硅反应的镍基金属，其中混合液配方包含碘盐、单质碘、有机或无机酸和溶剂。依照本发明的金属硅化物工艺以及所使用的选择性湿法腐蚀混合液，通过合理调整湿法腐蚀液的各组分配比，在较低温度下获得了寿命较长的化学活性组分，从而降低了湿法腐蚀机台的配置要求，且降低了工艺成本、提高了工艺稳定性。

公开(公告)号：CN105336600A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201410397826.6

申请日：2014-08-14

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 崔虎山 ,  罗军 ,  刘庆波 ,  王桂磊 ,  卢一泓 ,  杨涛 ,  殷华湘 ,  李俊峰 ,  赵超

IPC: H01L21/285 ,  C23F1/02 ,  C23F1/28

Abstract: 一种形成金属硅化物的方法，包括：在含单晶、非晶、多晶硅的晶圆表面上沉积镍基金属，含有镍以及至少第二种金属；进行退火，使得镍基金属与暴露区域的硅反应形成镍基金属硅化物，比如位于源漏、栅极区域；采用湿法腐蚀混合液，在不损失刚形成的金属硅化物的同时选择性的湿法腐蚀去除未跟硅反应的镍基金属，其中混合液配方包含碘盐、单质碘、有机或无机酸和溶剂。依照本发明的金属硅化物工艺以及所使用的选择性湿法腐蚀混合液，通过合理调整湿法腐蚀液的各组分配比，在较低温度下获得了寿命较长的化学活性组分，从而降低了湿法腐蚀机台的配置要求，且降低了工艺成本、提高了工艺稳定性。