公开(公告)号：CN106548976A

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201610820102.7

申请日：2016-09-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢佑哲 ,  韩元奎 ,  吴赫祥 ,  李来寅 ,  韩炅润

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02

Abstract: 提供了形成具有介电层的半导体装置的方法及相关设备和系统。在基底上形成层间绝缘层。在层间绝缘层中形成开口。通过用微波辐射具有开口的层间绝缘层来执行脱气工艺。通过用UV光辐射具有开口的层间绝缘层来执行K值恢复工艺。在开口中形成导电层。将脱气工艺和K值恢复工艺作为原位工艺来执行。

公开(公告)号：CN104867977A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201510035301.2

申请日：2015-01-23

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 林夏珍 ,  金亨俊 ,  李来寅

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/20 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：半导体衬底，包括III族元素和V族元素；以及栅极结构，在半导体衬底上。半导体衬底包括：第一区，接触栅极结构的底表面；以及第二区，设置在第一区之下。III族元素在第一区中的浓度低于V族元素在第一区中的浓度，III族元素在第二区中的浓度基本上等于V族元素在第二区中的浓度。

公开(公告)号：CN101154629B

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN200710153174.1

申请日：2007-09-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南瑞佑 ,  文永俊 ,  慎烘縡 ,  李来寅

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/768 ,  H01L27/092 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/823871 ,  H01L29/7843 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，其包括：第一应力膜，其覆盖第一晶体管区以及界面区的第三栅电极的至少一部分；第二应力膜，其覆盖第二晶体管区并与所述界面区的第三栅电极上的第一应力膜的至少一部分重叠；以及形成于所述第一和第二应力膜上的层间绝缘膜。所述半导体器件还包括：穿过所述第一晶体管区内的层间绝缘膜和第一应力膜形成的多个第一接触孔；穿过所述第二晶体管区内的层间绝缘膜和第二应力膜形成的多个第二接触孔；以及穿过所述界面区内的层间绝缘膜、第二应力膜和第一应力膜形成的第三接触孔。其中形成了所述第三接触孔的所述第三栅电极的上侧的凹陷部分的深度大于或等于其中形成了所述第一接触孔的所述第一栅电极的上侧的凹陷部分的深度。

公开(公告)号：CN100474613C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200510006411.2

申请日：2005-01-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李钟镐 ,  李来寅

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/316

Abstract: 一种半导体器件，包括一硅酸盐界面层和一覆盖在所述硅酸盐界面层之上的高-k电介质层。所述高-k电介质层包括金属合金氧化物。

公开(公告)号：CN100385678C

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200310118865.X

申请日：2003-12-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金相秀 ,  李来寅 ,  裵金钟 ,  金基喆 ,  李化成

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/105 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L29/4232 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7923

Abstract: 本发明提供凹切栅极SONOS晶体管及其制造方法，所述凹切栅极SONOS晶体管包括：具有源/漏区的衬底；位于源/漏区之间的衬底上的栅绝缘层；凹切栅极结构，位于所述栅绝缘层上，并具有至少一个凹切；以及分别位于栅极结构的所述至少一个凹切中的至少一个ONO楔形结构。

公开(公告)号：CN1655362A

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN200510006411.2

申请日：2005-01-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李钟镐 ,  李来寅

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/316

Abstract: 一种半导体器件，包括一硅酸盐界面层和一覆盖在所述硅酸盐界面层之上的高－k电介质层。所述高－k电介质层包括金属合金氧化物。

公开(公告)号：CN1531095A

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：CN200410001272.X

申请日：2004-01-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵金钟 ,  李来寅 ,  金相秀 ,  金基喆 ,  金辰熙 ,  曹寅昱 ,  金成浩 ,  高光旭

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/12 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L29/7923 ,  Y10S438/954

Abstract: 本发明公开了一种局部硅－氧化物－氮化物－氧化物－硅(SONOS)结构及其制造方法。该局部SONOS结构具有两片栅极和自对准氧化物－氮化物－氧化物(ONO)结构，包括：衬底；ONO结构，在衬底上；第一栅极层，在ONO结构上并与其对准；栅极绝缘体，在ONO结构旁的衬底上；以及，第二栅极层，在第一栅极层上和栅极绝缘体上。第一和第二栅极层彼此电连接。ONO结构、第一和第二栅极层一同限定了至少1位局部SONOS结构。相应的制造方法包括：设置衬底；在衬底上形成ONO结构；在ONO结构上形成第一栅极层并且第一栅极层与ONO结构对准；在ONO结构旁的衬底上形成栅极绝缘体；在第一栅极层和栅极绝缘体上形成第二栅极层；以及电连接第一和第二栅极层。