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公开(公告)号：CN113912035B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202111433041.6
申请日：2021-11-29
Applicant: 材料科学姑苏实验室 , 苏州博萃循环科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种磷铁渣回收电池级磷酸铁材料的方法，所述方法包括如下步骤：混合磷铁渣与酸液，所得混合液进行固液分离和除杂后，得到净磷铁液；超声混合有机碳源、补剂和所述净磷铁液，所得混合液低温干燥后，得到所述电池级磷酸铁材料。本发明利用超声分散与有机碳源之间的协同作用，既能加快分子结合，控制磷酸铁沉淀成型的速率，又能阻止磷酸铁团聚，调控磷酸铁成核大小，使其粒径为纳米级；通过低温干燥技术保持磷酸铁多孔状结构，使其在合成磷酸铁锂材料时，更有利于与碳酸锂结合；采用本发明回收的磷酸铁材料制备磷酸铁锂材料时，有机碳源材料可作为还原剂，又可作为包覆材料来稳定磷酸铁锂材料的结构。
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公开(公告)号：CN115274999B
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202211197865.2
申请日：2022-09-29
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明提供了一种约瑟夫森结及其制备方法和应用。所述制备方法包括以下步骤：（1）在衬底表面制备得到第一层钽层，对第一层钽层进行光刻，得到侧壁倾斜的下电极层；（2）在下电极层表面制备得到氧化钽层；（3）在氧化钽层表面制备第二层钽层，对第二层钽层进行光刻，得到上电极层，上电极层和下电极层交叠区域为所述约瑟夫森结。本发明提供的制备方法，通过优化光刻工艺步骤，解决了非阴影方式制备约瑟夫森结时下电极和上电极搭线断裂以及下电极侧壁残留导致的寄生结问题，避免了器件失效，大幅度提高成品率，保证器件性能。
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公开(公告)号：CN115678742A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202110877966.3
申请日：2021-07-30
Applicant: 材料科学姑苏实验室 , 苏州罗岛纳米科技有限公司
IPC: C12M1/02 , C12M1/34 , C12M1/00 , C12Q1/6869
Abstract: 本发明涉及生物技术领域，公开了一种用于拉直DNA的纳米孔装置及其应用。本发明提供的纳米孔装置可将预拉直的DNA一端在载体上固定，通过机械装置使载体与纳米孔靠近，在电场的驱使下预拉直的DNA游离端过孔后与磁珠表面结合以及引入磁场操控磁珠，拉直纳米孔中的DNA，有效克服了纳米孔中DNA分子热运动，可使纳米孔DNA分析技术得到进一步的应用。
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公开(公告)号：CN115621261A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211382386.8
申请日：2022-11-07
Applicant: 材料科学姑苏实验室
IPC: H01L23/64
Abstract: 本发明公开了一种具有低物理结构敏感性的电容器件及电路结构，电容器件包括：基底，以及设置于所述基底上的第一电极和第二电极，所述基底上还设置有接地电极；所述第一电极和所述第二电极相对设置，且所述接地电极位于所述第一电极和所述第二电极之间；所述接地电极与所述第一电极和所述第二电极均相互绝缘，且所述接地电极接地。本发明可降低电容对器件物理结构的敏感性，实现超导电路电容器件的精准可控设计。
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公开(公告)号：CN115474424A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211423373.0
申请日：2022-11-15
Applicant: 材料科学姑苏实验室
IPC: H05K9/00
Abstract: 本发明提供了一种用于低温环境下的磁屏蔽装置及屏蔽方法，所述的用于低温环境下的磁屏蔽装置包括屏蔽主体，所述屏蔽主体包括依次嵌套设置的至少两个磁屏蔽单元，所述磁屏蔽单元包括金属壳体，以及依次套设于所述金属壳体外表面的超导层与高磁导率材料层，相邻两个所述磁屏蔽单元的超导层的超导临界温度互不相同。本发明提升了磁屏蔽的效果，确保能够在低温甚至于超低温环境下的使用，具有良好的导热性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115207203B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211121005.0
申请日：2022-09-15
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明提供一种铝基超导电路中叠层刻蚀的侧壁陡直性实现方法，包括以下步骤：（1）光刻胶图形化；（2）刻蚀开口暴露的铝金属层，开口暴露出介质层；（3）采用原子层沉积法在光刻胶层上表面、开口侧壁以及开口底面上沉积氧化硅层；（4）刻蚀步骤（3）中光刻胶层上表面以及开口底面上的氧化硅层；（5）刻蚀开口侧壁的氧化硅层以及开口暴露的介质层；（6）依次循环重复步骤（3）、步骤（4）、步骤（2）、步骤（5），直至将开口暴露的铝金属层和介质层均刻蚀掉，暴露出衬底，最后去除光刻胶层。采用本发明的方法，可以解决铝基超导电路中金属和非金属叠层刻蚀出现的台阶问题，实现侧壁陡直性。
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公开(公告)号：CN115130470B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202211025888.5
申请日：2022-08-25
Applicant: 材料科学姑苏实验室 , 鸿之微科技(上海)股份有限公司
IPC: G06F40/284 , G06F40/242 , G06F40/126
Abstract: 本发明公开了一种文本关键词的生成方法、装置、设备及介质。涉及自然语言处理领域。该方法包括：获取与源文本对应的词向量表示序列；将词向量表示序列分别输入至编码网络和序列标注网络，获取与源文本对应的第一类上下文表示序列和第二类上下文表示序列；将词向量表示序列、第一类上下文表示序列和第二类上下文表示序列共同输入至译码网络中，获取所述译码网络输出的词典概率向量序列；每个词典概率向量中包括词典中的每个词典词被选择作为文本关键词的概率值；根据所述词典概率向量序列，生成与所述源文本对应的文本关键词。通过本发明的技术方案，能够尽可能多地生成与源文本对应的关键字，提高关键字的生成率。
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公开(公告)号：CN115341274A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202211271142.2
申请日：2022-10-18
Applicant: 苏州立琻半导体有限公司 , 材料科学姑苏实验室
IPC: C30B25/02 , C30B25/16 , H01L21/205 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及半导体生产技术领域，具体公开了一种半导体制造设备及方法，该半导体制造设备包括真空反应腔体和控制器；真空反应腔体内设置有反应气体的喷淋组件、反应台和膜厚监测组件；控制器能获取膜厚监测组件测得反应台上外延衬底的生长膜厚分布信息，并控制喷淋组件调控反应气体在真空反应腔体内的分布；喷淋组件中，若干调气孔分散设于喷淋壳体面向反应台的一侧；调节组件包括安装板、阵列驱动电路和若干气体微控器件；安装板设有若干安装孔，气体微控器件设于安装孔处，气体微控器件能够被阵列驱动电路分别控制，调控安装孔的出气面积；安装孔连通喷淋腔与调气孔。上述设置有利于提高外延晶片厚度的均匀性。
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公开(公告)号：CN115132910A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202211051919.4
申请日：2022-08-30
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明涉及一种二能级缺陷表面分布的测量装置及其制备方法，所述测量装置包括电场发生装置以及表面缺陷测量结构；所述表面缺陷测量结构包括底片与顶片；所述顶片设置有电极；所述电极包括光栅电极或网格电极；所述底片设置有比特电路；所述底片与顶片通过微凸点倒装焊连接，形成电极在比特电路正上方的结构；所述电场发生装置连接电极，实现对二能级缺陷表面分布的电场调控。本发明通过在光栅电极或网格电极的不同区域施加电压，从而在比特电路表面的不同位置产生电场，从而实现对二能级缺陷表面分布的电场调控，实现二能级缺陷表面分布的测量。
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公开(公告)号：CN114447204A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210371353.7
申请日：2022-04-11
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明提供了一种满足大晶圆尺寸的约瑟夫森结、制备方法和用途，在衬底上制备Ta（110）膜，光刻制备超导电路结构，掩膜光刻形成下电极Ta（110）层，下电极Ta（110）层表面制备Ta2O5氧化层作为中间层，掩膜光刻形成上电极Ta（110）层，制备得到所述的约瑟夫森结。本发明以Ta（110）超导薄膜作为约瑟夫森结的下电极和上电极，其表面的Ta2O5氧化层具有致密、稳定等特点，可采用食人鱼溶液进行钝化、优化，进一步去除光刻残胶，并保证超导电路结构及约瑟夫森结的稳定，具有工艺步骤简洁、稳定可控、集成度高等特点，可制备满足大晶圆尺寸范围内均一、稳定的约瑟夫森结，适用于不同面积的约瑟夫森结的调控。
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