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公开(公告)号：CN115274999B
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202211197865.2
申请日：2022-09-29
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明提供了一种约瑟夫森结及其制备方法和应用。所述制备方法包括以下步骤：（1）在衬底表面制备得到第一层钽层，对第一层钽层进行光刻，得到侧壁倾斜的下电极层；（2）在下电极层表面制备得到氧化钽层；（3）在氧化钽层表面制备第二层钽层，对第二层钽层进行光刻，得到上电极层，上电极层和下电极层交叠区域为所述约瑟夫森结。本发明提供的制备方法，通过优化光刻工艺步骤，解决了非阴影方式制备约瑟夫森结时下电极和上电极搭线断裂以及下电极侧壁残留导致的寄生结问题，避免了器件失效，大幅度提高成品率，保证器件性能。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN115835768A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202310093192.4
申请日：2023-02-10
Applicant: 材料科学姑苏实验室
IPC: H10N60/80
Abstract: 本发明提供一种超导量子芯片制备用保护层及超导量子芯片，所述保护层用于防止超导芯片的氧化，所述保护层作为势阱，用于捕获超导芯片中的准粒子。所述保护层具有优异的抗氧化性以及耐腐蚀性能，有效地防止超导金属层的表面自然氧化及减小超导量子芯片的表面微波损耗，同时能捕获准粒子，提高超导量子比特相干时间。此外，所述保护层兼具优异的导电性和导热性，膨胀系数低，有助于芯片间粘合、导电及稳定。
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公开(公告)号：CN115274999A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202211197865.2
申请日：2022-09-29
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明提供了一种约瑟夫森结及其制备方法和应用。所述制备方法包括以下步骤：（1）在衬底表面制备得到第一层钽层，对第一层钽层进行光刻，得到侧壁倾斜的下电极层；（2）在下电极层表面制备得到氧化钽层；（3）在氧化钽层表面制备第二层钽层，对第二层钽层进行光刻，得到上电极层，上电极层和下电极层交叠区域为所述约瑟夫森结。本发明提供的制备方法，通过优化光刻工艺步骤，解决了非阴影方式制备约瑟夫森结时下电极和上电极搭线断裂以及下电极侧壁残留导致的寄生结问题，避免了器件失效，大幅度提高成品率，保证器件性能。
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公开(公告)号：CN115458673B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202211402335.7
申请日：2022-11-10
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明提供一种超导量子芯片首层结构及其制备方法，属于量子芯片领域，所述首层结构包括依次连接的硅衬底层、中间层以及超导金属层；所述中间层用于阻挡硅和超导金属层之间的互扩散；所述中间层可用于捕获超导金属层中的准粒子。所述首层结构及其制备方法解决了硅与超导金属层之间的互溶问题，实现了超导金属薄膜的高温制备。利用所述方法制备的超导金属薄膜晶粒大、界面锐利和表面平整，有利于降低微波损耗体积、提高超导量子芯片性能。
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公开(公告)号：CN115458673A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211402335.7
申请日：2022-11-10
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明提供一种超导量子芯片首层结构及其制备方法，属于量子芯片领域，所述首层结构包括依次连接的硅衬底层、中间层以及超导金属层；所述中间层用于阻挡硅和超导金属层之间的互扩散；所述中间层可用于捕获超导金属层中的准粒子。所述首层结构及其制备方法解决了硅与超导金属层之间的互溶问题，实现了超导金属薄膜的高温制备。利用所述方法制备的超导金属薄膜晶粒大、界面锐利和表面平整，有利于降低微波损耗体积、提高超导量子芯片性能。
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