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公开(公告)号：CN101888059A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN201010179947.5
申请日：2010-05-10
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01S5/22
CPC分类号： H01S5/22 , H01S5/10 , H01S5/101 , H01S5/1014 , H01S5/1017 , H01S5/16 , H01S5/2004 , H01S5/32341 , H01S2301/18
摘要： 本发明提供激光器二极管及其制造方法。该激光器二极管包括：有源层；条形脊，设置在有源层上方；成对的谐振器端面，从脊的延伸方向夹住有源层和脊；高台部分，设置为在成对的谐振器端面的至少一个端面中及其附近与脊的两个侧面接触。从有源层到高台部分的表面的厚度在谐振器端面侧较大，而在脊的中央侧较小，并且该厚度从谐振器端面侧的较厚部分连续地变化到脊中央侧的较薄部分。
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公开(公告)号：CN101752787A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910225790.2
申请日：2009-12-07
申请人： 恩益禧电子股份有限公司
发明人： 五十岚俊昭
IPC分类号： H01S5/06
CPC分类号： H01S5/32341 , H01S5/0425 , H01S5/0655 , H01S5/1017 , H01S5/1078 , H01S5/2022 , H01S5/2086 , H01S5/22 , H01S2301/18
摘要： 本发明涉及激光器二极管及其制造方法。该激光器二极管具有在沿着光波导的区域中设置的多个结构，所述多个结构中的每个结构具有散射、吸收或反射杂散光的功能，其中，在通过在所述光波导的纵向方向上将沿着所述光波导的区域等分成三个或更多的部分所获得的每个分割区域中，形成所述结构中的至少一个。
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公开(公告)号：CN100456582C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200510052988.7
申请日：2005-03-04
申请人： 日亚化学工业株式会社
CPC分类号： H01S5/16 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0224 , H01S5/024 , H01S5/1017 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/3216 , H01S5/34333 , H01S2301/18 , H01S2304/12
摘要： 一种半导体激光元件，在基板(101)的主面上备有第一导电型半导体层(200)、活性层(205)、第二导电型半导体层(210)、所述第二导电型半导体层(210)中使条状区域内电流狭窄而形成的波导通路区域(10)、和在与该波导通路区域大体垂直的端面上设置的共振面(20)形成的半导体激光元件。在与所述共振面(20)接近的区域中，从所述波导通路区域(10)隔间隔，在所述第二导电型半导体层(210)上形成多个凹部(110)。
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公开(公告)号：CN100373719C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200480019910.9
申请日：2004-06-24
申请人： 宜彼莱那光子学有限公司
发明人： 安东尼·约翰·帕特乔 , 约瑟夫·布赖恩·凯利 , 克里斯托弗·詹姆斯·奥高曼
CPC分类号： H01S5/065 , H01S5/0656 , H01S5/1017 , H01S5/1021 , H01S5/2231
摘要： 公布了一种激光器(10)，它包括：一个激光腔，该腔具有激光产生介质和在腔的两端的小面形式的初级光学反馈装置，所述激光腔限定了一个纵向延伸的光路；以及，由在激光腔中的多个折射率扰动(16，22)形成的次级光学反馈装置，每一个扰动限定了两个界面(20，21)；其特征在于，对至少一个扰动，所述两个界面中只有一个对沿着所述光路的光学反馈有贡献。本发明缓和了制作单纵模器件的平板印刷容差，并改进了性能特性。
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公开(公告)号：CN1875528A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200480031810.8
申请日：2004-08-31
申请人： 宾奥普迪克斯股份有限公司
发明人： A·A·贝法 , K·姆罗 , C·B·史塔加尔斯库 , A·T·谢里默尔
CPC分类号： H01S5/0625 , B82Y20/00 , H01S5/0264 , H01S5/06256 , H01S5/0655 , H01S5/1017 , H01S5/1021 , H01S5/1039 , H01S5/125 , H01S5/141 , H01S5/22 , H01S5/343 , H01S5/34313
摘要： 一种单模、蚀刻面为分布式布拉格反射激光器包括AlGaIn As/InP激光谐振腔，具有多个法布里－佩罗特元件前端镜组合，以及后端检测器。该前端镜组合元件和后端反射元件包括输入和输出蚀刻面，并且激光谐振腔是蚀刻脊形谐振腔，它们都通过两个步骤的光刻和CAIBE工艺从外延晶片形成的。
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公开(公告)号：CN1279667C
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN01813668.0
申请日：2001-05-16
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC分类号： H01S5/18305 , B82Y20/00 , H01S3/1062 , H01S3/109 , H01S5/026 , H01S5/041 , H01S5/1017 , H01S5/1071 , H01S5/1075 , H01S5/1082 , H01S5/141 , H01S5/1835 , H01S5/2022 , H01S5/2214 , H01S5/34313 , H01S5/4031 , H01S5/4056
摘要： 本发明涉及一种光抽运的表面发射半导体激光器件，这种器件具有至少一个产生辐射的量子阱结构(1)和至少一个用于量子阱结构(11)的光抽运的抽运辐射源(20)，而抽运辐射源(20)则具有一个边缘发射的半导体结构(21)。产生辐射的量子阱结构(11)和边缘发射的半导体结构(21)在一个共同的衬底(1)上外延生长。用这种单片制成的半导体激光器件有利于产生辐射的量子阱结构的很有效和均匀的光抽运。此外，本发明提出了这类半导体激光器件的制造方法。
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公开(公告)号：CN1665085A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN200510052988.7
申请日：2005-03-04
申请人： 日亚化学工业株式会社
CPC分类号： H01S5/16 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0224 , H01S5/024 , H01S5/1017 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/3216 , H01S5/34333 , H01S2301/18 , H01S2304/12
摘要： 一种半导体激光元件，在基板(101)的主面上备有第一导电型半导体层(200)、活性层(205)、第二导电型半导体层(210)、所述第二导电型半导体层(210)中使条状区域内电流狭窄而形成的波导通路区域(10)、和在与该波导通路区域大体垂直的端面上设置的共振面(20)形成的半导体激光元件。在与所述共振面(20)接近的区域中，从所述波导通路区域(10)隔间隔，在所述第二导电型半导体层(210)上形成多个凹部(110)。
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公开(公告)号：CN1444787A
公开(公告)日：2003-09-24
申请号：CN01813668.0
申请日：2001-05-16
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC分类号： H01S5/18305 , B82Y20/00 , H01S3/1062 , H01S3/109 , H01S5/026 , H01S5/041 , H01S5/1017 , H01S5/1071 , H01S5/1075 , H01S5/1082 , H01S5/141 , H01S5/1835 , H01S5/2022 , H01S5/2214 , H01S5/34313 , H01S5/4031 , H01S5/4056
摘要： 本发明涉及一种光抽运的表面发射半导体激光器件，这种器件具有至少一个产生辐射的量子阱结构(1)和至少一个用于量子阱结构(11)的光抽运的抽运辐射源(20)，而抽运辐射源(20)则具有一个边缘发射的半导体结构(21)。产生辐射的量子阱结构(11)和边缘发射的半导体结构(21)在一个共同的衬底(1)上外延生长。用这种单片制成的半导体激光器件有利于产生辐射的量子阱结构的很有效和均匀的光抽运。此外，本发明提出了这类半导体激光器件的制造方法。
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