发明公开
- 专利标题： 单纵模激光二极管
- 专利标题（英）： Single longitudinal mode laser diode
-
申请号： CN200480031810.8申请日： 2004-08-31
-
公开(公告)号： CN1875528A公开(公告)日： 2006-12-06
- 发明人: A·A·贝法 , K·姆罗 , C·B·史塔加尔斯库 , A·T·谢里默尔
- 申请人： 宾奥普迪克斯股份有限公司
- 申请人地址： 美国纽约州
- 专利权人： 宾奥普迪克斯股份有限公司
- 当前专利权人： 镁可微波技术有限公司
- 当前专利权人地址： 美国纽约州
- 代理机构： 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 李玲
- 优先权： 60/499,340 2003.09.03 US
- 国际申请： PCT/US2004/025601 2004.08.31
- 国际公布： WO2005/025017 EN 2005.03.17
- 进入国家日期： 2006-04-27
- 主分类号： H01S5/00
- IPC分类号： H01S5/00 ; G02B5/28
摘要：
一种单模、蚀刻面为分布式布拉格反射激光器包括AlGaIn As/InP激光谐振腔，具有多个法布里－佩罗特元件前端镜组合，以及后端检测器。该前端镜组合元件和后端反射元件包括输入和输出蚀刻面，并且激光谐振腔是蚀刻脊形谐振腔，它们都通过两个步骤的光刻和CAIBE工艺从外延晶片形成的。
公开/授权文献
- CN1875528B 单纵模激光二极管 公开/授权日：2010-09-29
