发明公开
- 专利标题: 激光器二极管及其制造方法
- 专利标题(英): Laser diode and method of manufacturing the same
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申请号: CN200910225790.2申请日: 2009-12-07
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公开(公告)号: CN101752787A公开(公告)日: 2010-06-23
- 发明人: 五十岚俊昭
- 申请人: 恩益禧电子股份有限公司
- 申请人地址: 日本神奈川
- 专利权人: 恩益禧电子股份有限公司
- 当前专利权人: 瑞萨电子株式会社
- 当前专利权人地址: 日本神奈川
- 代理机构: 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理商 孙志湧; 穆德骏
- 优先权: 2008-310670 2008.12.05 JP
- 主分类号: H01S5/06
- IPC分类号: H01S5/06
摘要:
本发明涉及激光器二极管及其制造方法。该激光器二极管具有在沿着光波导的区域中设置的多个结构,所述多个结构中的每个结构具有散射、吸收或反射杂散光的功能,其中,在通过在所述光波导的纵向方向上将沿着所述光波导的区域等分成三个或更多的部分所获得的每个分割区域中,形成所述结构中的至少一个。
公开/授权文献
- CN101752787B 激光器二极管及其制造方法 公开/授权日:2012-12-12