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公开(公告)号：CN108736118A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810274867.4
申请日：2018-03-29
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01P1/208
Abstract: 本发明公开一种基于表面等离激元的非对称结构圆腔滤波器的设计。采用口径耦合的方法构造了一种金属‐介质‐金属非对称结构的滤波器，由两个圆谐振腔通过两个矩形口径与光波导相连。在本发明实例中，金属薄膜采用金属银材料制成金属薄膜整体为正方形。利用表面等离激元SPP与谐振腔的共振耦合作用，本发明的特点：通过调节谐振腔半径的大小和谐振腔的个数等，可以显著增加滤波器的阻带此外阻带平坦并且透射率极低。
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公开(公告)号：CN108681707A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810463134.5
申请日：2018-05-15
Applicant: 桂林电子科技大学
CPC classification number: G06K9/00825 , G06K9/00744 , G06K9/6292 , G06K2209/23 , G06N3/0454 , G06N3/084
Abstract: 本发明公开一种基于全局和局部特征融合的大角度车型识别方法和系统，当车辆经过车型识别采集区时截取出包含车辆的图像，首先对截取的包含车辆的图像进行裁剪，得到去除复杂背景的车辆图片，将车辆图片分割为车脸图像分块、车尾图像分块和车轮图像分块。再将车辆图片、车脸图像分块、车尾图像分块和车轮图像分块导入到深层多分支卷积神经网络中对车辆的全局和局部特征进行特征训练，并将车辆图片特征和各个分块特征进行特征融合。后通过分类器对融合后的特征进行分类识别。本发明将大角度车辆的全局和局部特征进行融合，能够明显的提高大角度车型识别的准确率。
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公开(公告)号：CN105140155B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201510414886.9
申请日：2015-07-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种用于GaAs MMIC减薄工艺的粘片方法，包括在衬底正面匀涂电子束光刻胶的步骤、用液态蜡将衬底正面粘贴在石英托上的步骤，其中：所述的液态蜡是由一定量的Crystalbond 509强力粘合剂以及能够溶解所述Crystalbond 509强力粘合剂用量的丙酮组成。本发明采用特殊配方组成的液态蜡代替传统的高温蜡，在使用过程中不需要增加其它阻隔层即可避免因光刻胶和高温蜡的互溶而产生的较难去除的有机物；其次，由于液态蜡和光刻胶均易溶于丙酮，解决了传统工艺中用高温蜡粘片时去胶慢去胶难的问题；再者，还能使衬底和石英托之间具有优良的粘附性，有效地解决了后续抛光和减薄过程中的碎片问题。
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公开(公告)号：CN104986725A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510414119.8
申请日：2015-07-15
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种周期性碗状结构模板及其制备方法，包括：在基底上沉积二氧化硅掩膜层，在其上旋涂光刻胶，制备周期性微纳米光刻胶点阵图形，在光刻胶结构上沉积一层金属薄膜，经过剥离后得到金属孔阵图形，再以金属孔阵结构为掩膜，采用湿法腐蚀技术形成二氧化硅的碗状阵列结构，最后除去金属掩膜。本发明制备的周期性碗状模板面积大，结构均匀完整，在制备图形衬底、光子晶体、表面粗化、表面制绒和微纳米器件等方面有很好的应用前景，能广泛应用于LED、太阳能电池、光子晶体、量子器件等方面，或作为基底材料的刻蚀掩膜层，用于其它微纳米结构的制造。
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公开(公告)号：CN104966673A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201510393302.4
申请日：2015-07-07
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/321 , H01L21/314
CPC classification number: H01L29/66477 , H01L21/321
Abstract: 本发明公开了一种改善Al2O3/InP MOS电容界面特性及漏电特性的界面钝化方法。该方法包括对衬底表面进行N2等离子体处理步骤和栅介质沉积步骤，所述对衬底进行N2等离子体处理步骤和栅介质沉积步骤均在TFS 200原子层沉积系统中进行，其中：对衬底表面进行N2等离子体处理步骤是将衬底置于TFS 200原子层沉积系统的腔体中，利用TFS 200原子层沉积系统自带的等离子体发生器产生N2等离子体对衬底表面进行N2等离子体处理；栅介质沉积步骤是将N2等离子体处理后的衬底在原位沉积栅介质。采用该方法可以有效钝化边界缺陷及Al2O3/InP界面的界面缺陷，还可以降低栅漏电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119277181A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411661445.4
申请日：2024-11-20
Applicant: 桂林电子科技大学 , 桂林艾瑞科技有限公司
Abstract: 本申请涉及基于超透镜的高清X射线成像系统，包括闪烁体、成像透镜组和成像模块；所述闪烁体将入射的X射线转换成可见光，所述可见光经过所述成像透镜组进行聚焦，所述成像模块进行图像采集；所述成像透镜组包括透镜组、超透镜和反光镜；所述闪烁体的发光峰的半高全宽在所述超透镜的工作波长±10nm范围内；通过引入具有小型化、轻量化、可集成和多功能化特征的超透镜，能过够获得更高空间分辨成像的同时方便集成，解决了现有技术存在的困难，对推进超透镜的实用化具有重要意义。
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公开(公告)号：CN118112790A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410468389.6
申请日：2024-04-18
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提出一种基于偏振和拉伸控制的焦距可调超透镜设计方法。当x偏振和y偏振入射时，拉伸可调谐范围分别为11.4～20.6um、20.7～36.4um，动态聚焦范围为最小焦距的213.8％。以同样的条件，我们还构造了一个仅偏振控制和一个仅拉伸控制超透镜。对比表明，双控制的方案有效地克服了传统偏振复用超透镜不能连续变焦问题。此外，与单一控制的可调谐超透镜相比，该设计拥有可观的焦距可调谐范围。因此，在VR/AR显示技术、全息成像等方面，它具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN117393645A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311313220.5
申请日：2023-10-11
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0392 , H01L31/032
Abstract: 本申请提供一种镓铟氧光电探测器及其制备方法，该光电探测器是基于云母这种柔性衬底制备的，具有优异的抗弯折性能，即器件能够按一定角度弯折几千次而性能几乎保持不变，可适用于可穿戴光电探测器。本申请使用脉冲激光沉积设备先在云母衬底上生长一层镓铟氧薄膜，并使用高温退火炉在空气中退火，最后使用磁控溅射法利用金属掩膜版在镓铟氧薄膜上生长Ti/Au叉指电极，制得柔性的镓铟氧光电探测器。本申请通过简单的制备方法成功地在柔性的云母衬底上制备出了镓铟氧光电探测器，且制得的产品性能优异。
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公开(公告)号：CN117270095A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202310620407.3
申请日：2023-05-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明公开一种基于正弦结构的宽带多功能偏振转换器，该转换器由底部金板、中间介电质层和顶部正弦金板三层结构组成。本发明可以实现在7.4到8.3THz频率范围内的宽带多功能偏振转换，偏振转换比(PCR)大于0.8；在7.2到7.4THz的频率范围内可以实现近乎完美的线到左旋圆偏振转换；在7.7到8.2THz的频率范围内可以实现交叉偏振转换。这为高性能的宽带、多功能偏振转换器设计提供了一定的理论和数据支撑。该发明结构新颖、性能优越，有望在未来高性能、多功能的偏振器件设计方面得到广泛运用。
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公开(公告)号：CN117241590A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311191610.X
申请日：2023-09-15
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明属于微电子存储器技术领域，公开了一种基于柔性衬底的铁电存储器及其制备方法，铁电存储器包括云母基底层、缓冲层、底电极层、BaTiO3铁电功能氧化物层和Pt上电极层；其制备方法包括：S1、去除云母表面杂质，等待生长薄膜；S2～S3、制备缓冲层；S4、原位退火；S5～S7、制备底电极层和BaTiO3铁电功能氧化物层；S8、原位退火；S9、制备Pt上电极层。本发明利用云母作为基底材料、SrTiO3和La0.65Sr0.35MnO3作为缓冲层、1.1％Nb掺杂的SrTiO3作为底电极、BaTiO3作为铁电功能氧化物、Pt金属作为上电极，形成多层叠堆结构，使其能够在柔性设备中实现高性能的数据存储和读取功能，同时保持对弯曲和形变的适应性。
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