-
公开(公告)号：CN108736118A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810274867.4
申请日：2018-03-29
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01P1/208
Abstract: 本发明公开一种基于表面等离激元的非对称结构圆腔滤波器的设计。采用口径耦合的方法构造了一种金属‐介质‐金属非对称结构的滤波器，由两个圆谐振腔通过两个矩形口径与光波导相连。在本发明实例中，金属薄膜采用金属银材料制成金属薄膜整体为正方形。利用表面等离激元SPP与谐振腔的共振耦合作用，本发明的特点：通过调节谐振腔半径的大小和谐振腔的个数等，可以显著增加滤波器的阻带此外阻带平坦并且透射率极低。
-
公开(公告)号：CN108681707A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810463134.5
申请日：2018-05-15
Applicant: 桂林电子科技大学
CPC classification number: G06K9/00825 , G06K9/00744 , G06K9/6292 , G06K2209/23 , G06N3/0454 , G06N3/084
Abstract: 本发明公开一种基于全局和局部特征融合的大角度车型识别方法和系统，当车辆经过车型识别采集区时截取出包含车辆的图像，首先对截取的包含车辆的图像进行裁剪，得到去除复杂背景的车辆图片，将车辆图片分割为车脸图像分块、车尾图像分块和车轮图像分块。再将车辆图片、车脸图像分块、车尾图像分块和车轮图像分块导入到深层多分支卷积神经网络中对车辆的全局和局部特征进行特征训练，并将车辆图片特征和各个分块特征进行特征融合。后通过分类器对融合后的特征进行分类识别。本发明将大角度车辆的全局和局部特征进行融合，能够明显的提高大角度车型识别的准确率。
-
公开(公告)号：CN106847887A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710026314.2
申请日：2017-01-13
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L29/20 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78 , H01L29/1033 , H01L29/20 , H01L29/42376 , H01L29/66477
Abstract: 本发明公开一种III‑V族环栅场效应晶体管及其制备方法，由单晶衬底、隔离层、键合金属层、第一栅金属层、第一栅介质层、第一界面控制层、III‑V族半导体沟道层、第二界面控制层、III‑V族半导体源漏层、界面控制层侧墙、第二栅介质层、第二栅金属层和源漏金属层组成。采用III‑V族半导体材料作为沟道材料，用埋沟道结构加入界面控制层可以有效减少沟道散射，提高沟道载流子迁移率高；采用环栅结构可以有效提高MOSFET器件的栅控能力和电流驱动能力，能够有效抑制器件的短沟道效应和DIBL效应；环栅场效应晶体管可以集成在硅衬底上，可以与其它硅基CMOS集成器件实现单片集成；提供的III‑V族环栅场效应晶体管能够满足III‑V族CMOS在数字电路中的应用。
-
公开(公告)号：CN119644616A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411886792.7
申请日：2024-12-20
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及电光调制器技术领域，具体涉及一种下沉式双层电极铌酸锂电光调制器，包括衬底、氧化层、光波导、过渡层和金属电极；所述衬底位于最下方，所述氧化层位于所述衬底的顶部，所述光波导、过渡层和金属电极均设置在所述氧化层的上方，光波导为X型切割LN薄膜，采用传统的脊状结构，金属电极为双层电极结构，包括一层的行波电极与二层的T型结构电极，可有效降低损耗，提高调制效率。为了减少光吸收损耗，使用0.2um的二氧化硅过渡层分隔金属电极和光波导，金属电极沿光波导的Z轴排列，下沉式双层电极铌酸锂电光调制器在0.14dB/cm的光吸收损耗下实现了1.52V·cm的半波电压长度积，对电光调制器的设计具有重要的指导意义。
-
公开(公告)号：CN108306622B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201810384680.X
申请日：2018-04-26
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提出S波段宽带MMIC低噪声放大器,包括两级放大器：第一级场效应晶体管放大器、第一级栅极偏置网络、第一级漏极偏置网络、与第一级场效应晶体管放大器串联的第一传输线网、第二级场效应晶体管放大器、第二级栅极偏置网络和第二级漏极偏置网络；三级匹配网络：输入级匹配网络、级间匹配网络以及输出级匹配网络。本发明在第二级场效应晶体管源漏级并联负反馈网络，反馈网络的反馈电阻调节了放大器的增益，反馈网络的电容同时调节了信号的幅度和相位，还起到了直流隔离的作用。使得在较宽的频带内保持良好的增益平坦度，显著提高了低噪声放大器的线性度，降低了噪声系数。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116590660A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310524470.7
申请日：2023-05-10
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本申请提供一种能够增强氧化镓紫外吸光度的制备方法及根据该方法制备的氧化镓材料，先在一衬底上通过磁控溅射的方式生长一层能产生紫外吸收的氧化镓薄膜，对氧化镓薄膜进行退火处理，再将氧化镓薄膜通过磁控溅射的方式生长一层铜薄膜，然后进行快速退火，使得铜薄膜受热量作用而裂成铜纳米粒子。该制备方法利用铜纳米粒子来增强氧化镓的紫外吸光性能，工艺步骤简单，易操作，进而有效降低制备成本，且通过该制备方法制备的氧化镓材料紫外吸光度提升效果显著。
-
公开(公告)号：CN116299827A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310249284.7
申请日：2023-03-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明公开了基于金棒和金孔阵列复合结构的中红外偏振转换器，由二氧化硅衬底和上层金棒—蜂窝状金孔阵列复合的超表面结构组成的。本发明可以实现线偏振—圆偏振光和圆偏振—圆偏振光的转换，具有较高的偏振转换率(PCR)，这为高性能偏振操纵器件的设计提供了可靠的结果；此外还发现了一些关于金棒旋转角度(θ)与手性之间的规律，为手性传感的设计也提供而一些方法。本发明新颖的结构设计和优异的性能，有望广泛应用于今后微纳偏振操纵器件的设计中。
-
公开(公告)号：CN106783613B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN201710026316.1
申请日：2017-01-13
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/20
Abstract: 本发明公开一种III‑V族半导体MOSHEMT器件及其制备方法，其组分渐变缓冲层降低III‑V半导体之间晶格失配，减少位错引进的缺陷。同时该器件结构不仅降低MOS界面态密度，并且通过对外延材料采用高In组分In0.7Ga0.3As/In0.6Ga0.4As/In0.5Ga0.5As复合沟道设计以及势垒层和缓冲层平面处的双掺杂设计充分的提高了2‑DEG的浓度与电子迁移率，降低了沟道的方块电阻。本发明具有二维电子气浓度高、沟道电子迁移率大、器件特征频率和振荡频率高和制造工艺简单易于实现等特点。
-
公开(公告)号：CN112130238B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202011057874.2
申请日：2020-09-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B5/00
Abstract: 本发明涉及一种基于阵列等离子体柱的可调谐光开关，解决的是法诺共振频率不可控和通过几何参数调节法诺共振时出现的可调自由度小的技术问题，从而使得光开关能够在不改变结构几何参数的情况下实现共振峰的连续动态可调，实现多阈值光开关，通过采用包括厚度小于工作波长的超表面，超表面为规则的几何形状，超表面内平行等间距分布有至少3个等离子体柱；等离子体柱的材质为包层石英管和填充的惰性气体；利用米氏散射理论获得单个等离子体柱的米氏散射系数以确定米式共振频率，再阵列等离子体柱获得布拉格散射，使米氏散射与布拉格散射相干涉产生法诺共振现象的技术方案，较好的解决了该问题，可用于光开关领域中。
-
公开(公告)号：CN113640251A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110752420.5
申请日：2021-07-03
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种D型双芯光子晶体光纤双参量等离子体传感器。所述光纤SPR传感器包括具有开口环形通道和曲面侧壁的D型光子晶体光纤；包括纤芯、空气孔、金属膜、TiO2层、温敏介质、液体分析物及完美匹配层。本发明由光子晶体光纤的纤芯和大小一致的空气孔排列而成，基底材料为石英，纤芯的中间的一个空气孔填有温敏介质PDMS，并在其外圈涂有金属薄膜；在开口环形的平面上有金属薄膜与TiO2层。温敏介质的折射率随着温度改变而变化，同时纳米金层表面自由电子共振产生吸收峰，其共振波长会发生偏移，通过观测共振波长的偏移过程实现对温度的传感测量，采用的是表面等离子共振原理。该传感器灵敏度高，检测范围宽，抗腐蚀能力强。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
136
records
(took 0.058 seconds)
