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公开(公告)号：CN1869284A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200610031477.1
申请日：2006-04-06
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: C23F1/00 , C23F1/24 , H01L21/302
Abstract: 一种旋转喷腐方法的化学挖槽工艺方法及装置，在电力电子器件硅片表面进行选择性精密刻蚀加工制作中采用旋喷法进行加工。先将硅片置在底座上，加工时硅片是旋转的，酸液从硅片上部经喷嘴雾化后向下喷向硅片。具体制作方法是：采用旋转腐蚀法在硅片表面形成梳条的操作。先将置于下部的硅片作均速旋转，再通过压缩空气利用虹吸原理将酸性腐蚀液从酸液储罐中吸出，通过喷嘴使酸性腐蚀液雾化，并以一定的张角均匀地喷到硅片表面。在硅片加工过程中还设有水保护部分，分成底喷水保护和顶喷水保护。顶喷水设置成当喷酸刚停止时启动。底喷水设置成与当硅片旋转时同步供给，与顶喷水同时停止。每个工位一次加工一个硅片，一个工作周期中酸、水交替起作用。
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公开(公告)号：CN103065950B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201210573249.2
申请日：2012-12-26
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/268
Abstract: 一种提高GCT芯片安全工作区的横向非均匀电子辐照方法，其步骤为：（1）GCT芯片的预辐射；通过控制芯片的少子寿命及压降的方法，对GCT芯片实行一次预辐照；（2）一次退火后，进行少子寿命和芯片压降监测；（3）采用复合合金挡板，利用电子辐照穿透复合合金挡板的非均匀性对GCT芯片进行二次辐照并退火；（4）再次进行少子寿命和芯片压降监测。本发明具有原理简单、操作简便、通过两次辐照技术以实现GCT芯片局部少子寿命控制、通过降低远离门极梳条的少子寿命、降低在GCT关断过程中电流的再分配效应、提高GCT芯片整体安全工作区等优点。
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公开(公告)号：CN102214686B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201110107686.0
申请日：2011-04-28
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种电力半导体器件阴极图形及其阴极梳条图形排布方法，广泛应用于电力半导体、电力电子器件、全控型晶闸管等的阴极图形设计。阴极图形包括：以圆心为轴划分的等分扇区和同心圆环，扇区与同心圆环相交处为图形单元，分布在扇区内并位于同一圆环内的梳条沿圆环的圆弧排布，每圈梳条的外边线为圆弧，且梳条的朝向均平行于扇区的中心线，相邻的两个扇区之间留有门极快捷通道。将按上述设计的光刻掩膜版通过光刻加工，把阴极图形转移到芯片的表面，最终完成制作。该阴极图形及其梳条图形排布方法提高了芯片的有效面积利用率，提高了各梳条开通/关断的均匀性，有利于平衡距离门极电极远近带来的梳条开通/关断差异，便于加工成型。
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公开(公告)号：CN102148169B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201110000505.4
申请日：2011-01-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
CPC classification number: H01L24/01 , H01L2924/1301 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅功率模块的封装方法，包括以下步骤：在钼板上焊接一层氮化铝隔离层，将碳化硅芯片放置到氮化铝隔离层的空格中，与钼板焊接；在碳化硅芯片上焊接钼块，钼块上预留门极引线槽；将引线放置在门极引线槽内，焊接固定，收集引线并引出；用环氧树脂将钼板、氮化铝隔离层及碳化硅芯片整体浇筑成型，安装底座、管壳和管盖，进行封装。本发明还提供一种碳化硅功率模块。本发明可使碳化硅功率模块在大功率、高温工作条件下具有较高的可靠性，较强的热循环能力。
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公开(公告)号：CN101634814B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200910166484.6
申请日：2009-08-19
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种原始对中装置和原始对中系统，其中，所述原始对中装置的上表面开有第一圆槽孔，用于容置晶圆片，所述第一圆槽孔的深度低于晶圆片的厚度；所述装置上表面还具有直径大于第一圆槽孔且与第一圆槽孔同心的标记线，所述装置上的标记线与光刻板上的标记线在原始对中时重合。本发明的原始对中装置和系统在容置晶圆片的第一圆槽孔外和光刻板上都设置有标记线，通过将第一圆槽孔外的标记线与光刻板上的标记线对准，实现晶圆片和光刻板上图案的良好原始对中，改善原始对中同心度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1869284B
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200610031477.1
申请日：2006-04-06
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/302 , C23F1/24
Abstract: 一种旋转喷腐方法的化学挖槽工艺方法及装置，在电力电子器件硅片表面进行选择性精密刻蚀加工制作中采用旋喷法进行加工。先将硅片置在底座上，加工时硅片是旋转的，酸液从硅片上部经喷嘴雾化后向下喷向硅片。具体制作方法是：采用旋转腐蚀法在硅片表面形成梳条的操作。先将置于下部的硅片作均速旋转，再通过压缩空气利用虹吸原理将酸性腐蚀液从酸液储罐中吸出，通过喷嘴使酸性腐蚀液雾化，并以一定的张角均匀地喷到硅片表面。在硅片加工过程中还设有水保护部分，分成底喷水保护和顶喷水保护。顶喷水设置成当喷酸刚停止时启动。底喷水设置成与当硅片旋转时同步供给，与顶喷水同时停止。每个工位一次加工一个硅片，一个工作周期中酸、水交替起作用。
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公开(公告)号：CN100587906C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200710035781.8
申请日：2007-09-20
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/306 , C23F1/02
Abstract: 半导体器件芯片台面喷腐方法及装置，在芯片台面喷腐处理时，对芯片上需要保护的表面部分采取遮盖式保护方式，保护芯片上需要保护的表面部分不受损害。通过一套遮盖式保护系统，盖住芯片上需要保护的表面部分，以保证芯片上需要保护的表面部分在喷腐处理时不会有酸液溅浸到芯片中心需要保护的部位。整个装置至少包括一个保护罩，遮盖在芯片台面喷腐处理时，正好盖在芯片中心需要保护的部位，保护罩与芯片一起形成一个密封面，以保证芯片上需要保护的表面部分在喷腐处理时不会受到酸液溅浸。所述的保护罩可以是通过吸附方式吸附在芯片表面上的，也可以是直接通过外力装置紧贴在芯片表面的。
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公开(公告)号：CN101634814A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200910166484.6
申请日：2009-08-19
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种原始对中装置和原始对中系统，其中，所述原始对中装置的上表面开有第一圆槽孔，用于容置晶圆片，所述第一圆槽孔的深度低于晶圆片的厚度；所述装置上表面还具有直径大于第一圆槽孔且与第一圆槽孔同心的标记线，所述装置上的标记线与光刻板上的标记线在原始对中时重合。本发明的原始对中装置和系统在容置晶圆片的第一圆槽孔外和光刻板上都设置有标记线，通过将第一圆槽孔外的标记线与光刻板上的标记线对准，实现晶圆片和光刻板上图案的良好原始对中，改善原始对中同心度。
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公开(公告)号：CN101615602A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910160951.4
申请日：2009-07-31
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体器件及测试方法、测试模具。其中，一种半导体器件，包括依次层叠设置的管盖、铝合金阳极、管芯芯片、铝合金阴极、门极和管座，每层相邻构件之间电性连接且所述门极还与所述管芯芯片电连接。半导体器件测试方法，包括：将待测管芯芯片、门极组件和铝合金测试片组装入测试夹具，所述待测管芯芯片夹在所述铝合金测试片组的阳极和所述铝合金测试片组的阴极之间；执行动态测试。本发明实施例采用铝合金片组代替了现有技术中的镀铑钼片组，不仅降低了测试成本，而且减少了通态压降，改善了热阻性能，改良了与管芯芯片的表面结合。
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公开(公告)号：CN100547790C
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200710163586.3
申请日：2007-10-12
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L27/06 , H01L21/822 , H01L21/761
Abstract: 公开了一种集成门极换流晶闸管，所述门极换流晶闸管包括n-型衬底，p型掺杂区，n型掺杂区，门极换流晶闸管的阳极p+掺杂区，二极管n+缓冲区，以及门极换流晶闸管的阴极梳条，还包括门极换流晶闸管的阴极和门极，二极管的阳极、门极换流晶闸管的阳极和二极管的阴极，其特征在于：在门极换流晶闸管的门极和二极管的阳极之间的p型掺杂区中具有沟槽，所述沟槽中掺杂n+型隔离环。本发明的集成门极换流晶闸管及其制造方法能够在GCT单元和二极管之间实现有效的隔离。
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